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离散半导体产品（（885）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电流 -io（io）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）
MP258	1.8500	RFQ	9108	美国直发	-	托盘	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	4平方英尺，MP-25		标准	MP-25	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-MP258	Ear99	8541.10.0080	400											1.05 V @ 12.5 A	500 NA @ 800 V	25 a	单相	800 v
RBU2001M	0.8900	RFQ	7228	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，rbu		标准	RBU	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RBU2001M	Ear99	8541.10.0080	2,000											1.1 V @ 10 A	5 µA @ 50 V	20 a	单相	50 V
EDB107S	0.5400	RFQ	1274	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准	DB-S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-EDB107STR	Ear99	8541.10.0080	8,000											1.7 V @ 1 A	5 µA @ 600 V	1 a	单相	600 v
RBU1006M	0.7900	RFQ	6826	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，rbu		标准	RBU	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-rbu1006m	Ear99	8541.10.0080	2,000											1 V @ 5 A	1 µA @ 800 V	10 a	单相	800 v
MB6F	0.3000	RFQ	9999	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准	MB-F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-MB6FTR	Ear99	8541.10.0080	40,000											1.1 V @ 800 mA	1 µA @ 600 V	800 MA	单相	600 v
1005m卢比	0.4700	RFQ	4323	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，卢比1M		标准	卢比	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RS105M	Ear99	8541.10.0080	3,400											1.1 V @ 1 A	2 µA @ 600 V	1 a	单相	600 v
2503m卢比	1.3500	RFQ	8374	美国直发	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RS-25M		标准	25m卢比	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RS2503M	Ear99	8541.10.0080	1200											1 V @ 12.5 A	500 na @ 200 V	25 a	单相	200 v
DB157	0.3800	RFQ	3623	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-Edip（0.321英寸，8.15mm）		标准	DB-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-DB157	Ear99	8541.10.0080	15,000											1 V @ 1.5 A	1 µA @ 1000 V	1.5 a	单相	1 kV
BR36	0.5500	RFQ	3375	美国直发	-	托盘	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，BR-3		标准	BR-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-BR36	Ear99	8541.10.0080	2,000											1 V @ 1.5 A	5 µA @ 600 V	3 a	单相	600 v
BR66	0.8500	RFQ	9053	美国直发	-	托盘	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，BR-6		标准	BR-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-BR66	Ear99	8541.10.0080	2,000											1.1 V @ 3 A	5 µA @ 600 V	6 a	单相	600 v
RS1002ML	0.7800	RFQ	4463	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RS-10毫升		标准	RS-10毫升	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RS1002ML	Ear99	8541.10.0080	2,000											1.1 V @ 5 A	200 na @ 100 V	10 a	单相	100 v
2504m卢比	1.3500	RFQ	9529	美国直发	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RS-25M		标准	25m卢比	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RS2504M	Ear99	8541.10.0080	1200											1 V @ 12.5 A	500 NA @ 400 V	25 a	单相	400 v
BR31	0.5500	RFQ	6317	美国直发	-	托盘	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，BR-3		标准	BR-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-BR31	Ear99	8541.10.0080	2,000											1 V @ 1.5 A	5 µA @ 100 V	3 a	单相	100 v
RS804	0.9100	RFQ	4303	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RS-8		标准	RS-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RS804	Ear99	8541.10.0080	1,600											1.2 V @ 8 A	5 µA @ 400 V	8 a	单相	400 v
DB153S	0.3900	RFQ	2950	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准	DB-S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-DB153STR	Ear99	8541.10.0080	8,000											1 V @ 1.5 A	1 µA @ 200 V	1.5 a	单相	200 v
DB103L	0.3200	RFQ	1029	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准	DBL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-DB103LSTR	Ear99	8541.10.0080	8,000											1 V @ 1 A	1 µA @ 200 V	1 a	单相	200 v
RM80N60DF	0.5500	RFQ	2083	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM80N60DFTR		8541.10.0080	40,000	n通道	60 V	80A（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 40a，10v	2.4V @ 250µA	±20V	4000 PF @ 30 V	-	85W（TC）
RM3400	0.4100	RFQ	7462	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM3400Tr		8541.10.0080	30,000	n通道	30 V	5.8A（ta）	2.5V，10V	41MOHM @ 5.8A，10V	1.4V @ 250µA	±12V	820 pf @ 15 V	-	1.4W（TA）
RM130N100HD	0.7000	RFQ	4397	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM130N100HDTR		8541.10.0080	8,000	n通道	100 v	130a（TC）	10V	5.5MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA	±20V	4570 pf @ 25 V	-	120W（TC）
BR34	0.5000	RFQ	3700	美国直发	-	盒子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，BR-3		标准	BR-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-BR34	Ear99	8541.10.0080	200											1 V @ 1.5 A	5 µA @ 400 V	3 a	单相	400 v
KBL606	0.6800	RFQ	1201	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，KBL		标准	KBL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-KBL606	Ear99	8541.10.0080	4,600											1.1 V @ 6 A	10 µA @ 600 V	6 a	单相	600 v
RM4N650TI	0.4200	RFQ	7671	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM4N650TI		8541.10.0080	5,000	n通道	650 v	4A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.5A，10V	3.5V @ 250µA	±30V	280 pf @ 50 V	-	28.5W（TC）
MB4F	0.3000	RFQ	9466	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准	MB-F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-MB4FTR	Ear99	8541.10.0080	40,000											1.1 V @ 800 mA	1 µA @ 400 V	800 MA	单相	400 v
HDB208L	0.3500	RFQ	7517	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准	DBL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-HDB208LSTR	Ear99	8541.10.0080	8,000											1.7 V @ 2 A	2 µA @ 1000 V	2 a	单相	1 kV
KBL410	0.5500	RFQ	2080	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，KBL		标准	KBL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-KBL410	Ear99	8541.10.0080	4,600											1.1 V @ 4 A	10 µA @ 1000 V	4 a	单相	1 kV
RBU2004M	0.8900	RFQ	9680	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，rbu		标准	RBU	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RBU2004M	Ear99	8541.10.0080	2,000											1.1 V @ 10 A	5 µA @ 400 V	20 a	单相	400 v
EDB103	0.5400	RFQ	4267	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-Edip（0.321英寸，8.15mm）		标准	DB-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-EDB103	Ear99	8541.10.0080	15,000											1.05 V @ 1 A	5 µA @ 150 V	1 a	单相	150 v
MD8F	0.3300	RFQ	3927	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准	MD-S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-MD8FTR	Ear99	8541.10.0080	24,000											1 V @ 500 MA	1 µA @ 800 V	1 a	单相	800 v
MSB305S	0.3600	RFQ	8920	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，平坦的铅	MSB30	标准	MSB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-MSB305STR	Ear99	8541.10.0080	24,000											1.1 V @ 3 A	1 µA @ 600 V	3 a	单相	600 v
RM25N30DN	0.1400	RFQ	8606	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）	8-DFN-EP（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM25N30DNTR		8541.10.0080	25,000	n通道	30 V	25A（TC）	4.5V，10V	10mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	±20V	1530 pf @ 15 V	-	25W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（885）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²