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离散半导体产品（（885）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f
RM110N85T2	0.5800	RFQ	5450	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM110N85T2		8541.10.0080	4,000		n通道	85 v	110A（TC）	10V	6mohm @ 55a，10v	4.5V @ 250µA	±20V	3870 pf @ 40 V	-	145W（TC）
RM6N100S4	0.1400	RFQ	9965	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	MOSFET （金属 o化物）	SOT-223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM6N100S4TR		8541.10.0080	30,000		n通道	100 v	6a（6a）	10V	140MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	±20V	690 pf @ 25 V	-	（3W）（TA）
RM16P60LD	0.2600	RFQ	3845	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MOSFET （金属 o化物）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM16P60LDTR		8541.10.0080	25,000		P通道	60 V	16A（TC）	4.5V，10V	48mohm @ 8a，10v	2.2V @ 25µA	±20V	1810 PF @ 30 V	-	25W（TC）
RM25N30DN	0.1400	RFQ	8606	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	MOSFET （金属 o化物）	8-DFN-EP（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM25N30DNTR		8541.10.0080	25,000		n通道	30 V	25A（TC）	4.5V，10V	10mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	±20V	1530 pf @ 15 V	-	25W（TC）
RM50N200HD	1.2200	RFQ	3890	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	MOSFET （金属 o化物）	TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM50N200HDTR		8541.10.0080	8,000		n通道	200 v	51A（TC）	10V	32mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	±20V	1598 PF @ 100 V	-	214W（TC）
RM140N82T2	0.5400	RFQ	9860	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM140N82T2TR		8541.10.0080	5,000		n通道	82 v	140a（TC）	10V	6mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	±20V	7900 PF @ 40 V	-	220W（TC）
RM5N60S4	0.1500	RFQ	5893	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	MOSFET （金属 o化物）	SOT-223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM5N60S4TR		8541.10.0080	30,000		n通道	60 V	5A（5A）	4.5V，10V	55MOHM @ 4.5A，10V	2.5V @ 250µA	±20V	450 pf @ 25 V	-	2W（TA）
RM30N100LD	0.3500	RFQ	2353	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MOSFET （金属 o化物）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM30N100LDTR		8541.10.0080	25,000		n通道	100 v	30A（TC）	10V	31mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	±20V	2000 pf @ 25 V	-	85W（TC）
RM12N650TI	0.6700	RFQ	5804	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM12N650TI		8541.10.0080	5,000		n通道	650 v	11.5A（TC）	10V	360MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	±30V	870 pf @ 50 V	-	32.6W（TC）
RM20N60LD	0.1400	RFQ	3021	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MOSFET （金属 o化物）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM20N60LDTR		8541.10.0080	25,000		n通道	60 V	20A（TC）	10V	35mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	±20V	500 pf @ 30 V	-	45W（TC）
RM120N30DF	0.3800	RFQ	2658	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM120N30DFTR		8541.10.0080	40,000		n通道	30 V	120A（TC）	4.5V，10V	2.35MOHM @ 60a，10V	2.2V @ 250µA	±20V	4200 PF @ 15 V	-	75W（TC）
RM3010S6	0.0640	RFQ	2549	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM3010S6TR		8541.10.0080	30,000		n通道	30 V	10a（10a）	4.5V，10V	12mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	±20V	1550 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
RM138	0.0320	RFQ	3450	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM138TR		8541.10.0080	30,000		n通道	50 V	220mA（ta）	4.5V，10V	3.5OHM @ 220mA，10V	1.4V @ 250µA	±20V	27 PF @ 25 V	-	350MW（TA）
RM8N650IP	0.5200	RFQ	9897	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	MOSFET （金属 o化物）	TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM8N650IP		8541.10.0080	4,000		n通道	650 v	8A（TC）	10V	540MOHM @ 4A，10V	3.5V @ 250µA	±30V	680 pf @ 50 V	-	80W（TC）
RM10N100S8	0.3100	RFQ	1648年	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MOSFET （金属 o化物）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM10N100S8TR		8541.10.0080	40,000		n通道	100 v	10a（10a）	4.5V，10V	14mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	±20V	1640 pf @ 50 V	-	3.1W（TA）
RM4P20ES6	0.0690	RFQ	2421	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM4P20ES6TR		8541.10.0080	30,000		P通道	20 v	3A（3A），4.1A（4.1A）（TC）	2.5V，4.5V	52MOHM @ 4.1A，4.5V	1V @ 250µA	±12V	740 pf @ 4 V	-	1.7W（TA）
RM135N100HD	0.9400	RFQ	5381	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	MOSFET （金属 o化物）	TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM135N100HDTR		8541.10.0080	8,000		n通道	100 v	135a（TC）	10V	4.6mohm @ 60a，10v	4.5V @ 250µA	±20V	6400 PF @ 50 V	-	210W（TC）
RM052N100DF	0.6500	RFQ	7185	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM052N100DFTR		8541.10.0080	40,000		n通道	100 v	70A（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	+20V，-12V	9100 PF @ 25 V	-	142W（TC）
RM8N650HD	0.5200	RFQ	3581	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	MOSFET （金属 o化物）	TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM8N650HDTR		8541.10.0080	8,000		n通道	650 v	8A（TC）	10V	450MOHM @ 4A，10V	3.5V @ 250µA	±30V	680 pf @ 50 V	-	80W（TC）
RM18P100HDE	0.3400	RFQ	4578	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	MOSFET （金属 o化物）	TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM18P100HDETR		8541.10.0080	8,000		P通道	100 v	18A（TC）	10V	100mohm @ 16a，10v	3V @ 250µA	±20V	1300 pf @ 25 V	-	70W（TC）
RM78N100LD	0.4400	RFQ	1744年	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MOSFET （金属 o化物）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM78N100LDTR		8541.10.0080	25,000		n通道	100 v	78A（TC）	4.5V，10V	8.5mohm @ 39a，10v	2.2V @ 250µA	±20V	5480 pf @ 50 V	-	125W（TC）
rmp3n90ld	0.3300	RFQ	3260	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MOSFET （金属 o化物）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-rmp3n90ld		8541.10.0080	4,000		n通道	900 v	3A（TC）	10V	3.2OHM @ 1.5A，10V	5V @ 250µA	±30V	850 pf @ 25 V	-	50W（TC）
RM2301E	0.0410	RFQ	1997	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM2301ETR		8541.10.0080	30,000		P通道	20 v	2.6a（ta）	2.5V，4.5V	120MOHM @ 2A，4.5V	1V @ 250µA	±10V	325 pf @ 10 V	-	1W（ta）
RM1A5N30S3AE	0.0390	RFQ	6517	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	MOSFET （金属 o化物）	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM1A5N30S3AETR		8541.10.0080	30,000		n通道	30 V	1.5A（TA），1.4a（tc）	2.5V，4.5V	144MOHM @ 1A，4.5V	1.5V @ 250µA	±10V	105 pf @ 15 V	-	400MW（TA），500MW（（（（（（（（（（（
RM70P30LD	0.2800	RFQ	8708	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MOSFET （金属 o化物）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM70P30LDTR		8541.10.0080	25,000		P通道	30 V	70A（TC）	4.5V，10V	7.2MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	±20V	3450 pf @ 25 V	-	90W（TC）
RM80N60DF	0.5500	RFQ	2083	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM80N60DFTR		8541.10.0080	40,000		n通道	60 V	80A（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 40a，10v	2.4V @ 250µA	±20V	4000 PF @ 30 V	-	85W（TC）
RM50P40LD	0.2300	RFQ	2746	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MOSFET （金属 o化物）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM50P40LDTR		8541.10.0080	25,000		P通道	40 V	52A（TC）	4.5V，10V	13mohm @ 18a，10v	2.5V @ 250µA	±20V	3500 pf @ 15 V	-	52.1W（TC）
HFM105W-W	0.0280	RFQ	3082	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	do-214ac，SMA	标准	smx	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-HFM105W-WTR	Ear99	8541.10.0080	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）											1.3 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 400 V	150°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
R2000-T	0.0480	RFQ	8935	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		通过洞	do-204al，do-41，轴向	标准	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-R2000-TTR	Ear99	8541.10.0080	5,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）											1.3 V @ 1 A		5 µA @ 2000 V	-65°C〜175°C	1a	-
her508-f	0.1550	RFQ	7189	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		通过洞	DO-201 AD，轴向	标准	Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-HER508-FTR	Ear99	8541.10.0080	1200	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）											1.7 V @ 3 A	75 ns	500 NA @ 1000 V	150°C	5a	50pf @ 4V，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（885）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²