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离散半导体产品（（885）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
HVM8	1.3100	RFQ	6117	美国直发	-	大部分	积极的			通过洞	轴向		标准		HVM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-HVM8	Ear99	8541.10.0080	1,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												8000 v	14 V @ 350 mA		5 µA @ 8000 V	-20°C〜150°C	350mA	-
RM80N80HD	0.5200	RFQ	6436	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM80N80HDTR		8541.10.0080	8,000			n通道	80 V	80a（ta）	10V	8.5mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA		±20V	4400 PF @ 25 V	-	170W（TA）
DTC123JUA	0.0410	RFQ	9963	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	DTC123		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-DTC123JUATR	Ear99	8541.10.0080	24,000																					50 V	100 ma			500NA			npn- +二极管	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	46.2科姆斯
RM3003S6	0.0980	RFQ	2601	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	RM3003	MOSFET （金属 o化物）	1.2W（TA）	TSOT-23-6L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM3003S6TR		8541.10.0080	30,000	n和p通道			30V	3.5A（TA），2.7a ta（2.7a）		58mohm @ 3.5a，10v，100mohm @ 2.7a，10v	1.3V @ 250µA，2.5V @ 250µA	5NC @ 10V		210pf @ 15V，199pf @ 15V	-
MMSZ5232B	0.0400	RFQ	8079	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-30°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-76，SOD-323			500兆	SOD-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-MMSZ5232BSTR	Ear99	8541.10.0080	3,000															900 mv @ 10 ma		5 µA @ 3 V									5.6 v	11欧姆
RM20N650TI	1.0400	RFQ	3696	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM20N650TI		8541.10.0080	5,000			n通道	650 v	20A（TC）	10V	210mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA		±30V	2600 PF @ 50 V	-	33W（TC）
RM6005S4	0.1550	RFQ	1297	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM6005S4TR		8541.10.0080	30,000			n通道	60 V	5A（5A）	4.5V，10V	55MOHM @ 4.5A，10V	2.5V @ 250µA		±20V	450 pf @ 25 V	-	2W（TA）
RM150N30LT2	0.2800	RFQ	9826	美国直发	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM150N30LT2		8541.10.0080	5,000			n通道	30 V	150a（TC）	4.5V，10V	3mohm @ 30a，10v	3V @ 250µA		±20V	3400 PF @ 25 V	-	150W（TC）
FFM201-W	0.0700	RFQ	3875	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB		标准		DO-214AA（SMB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-FFM201-WTR	Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1.3 V @ 2 A	150 ns	2 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	2a	50pf @ 4V，1MHz
RM80N80T2	0.5200	RFQ	3910	美国直发	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM80N80T2		8541.10.0080	5,000			n通道	80 V	80a（ta）	10V	8.5mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA		±20V	4100 PF @ 25 V	-	170W（TA）
3SSL60L-W	0.0570	RFQ	9606	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-123F		肖特基		SOD-123FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-3SSL60L-WTR	Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												60 V	620 mv @ 3 a		100 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	3a	75pf @ 4V，1MHz
RL1N1500F	0.0380	RFQ	4358	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	轴向		标准		A-405	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RL1N1500FTR	Ear99	8541.10.0080	20,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1500 v	1.8 V @ 500 mA	300 ns	5 µA @ 1500 V	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
R1500G	0.0550	RFQ	3405	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向		标准		do-15	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-R1500GTR	Ear99	8541.10.0080	20,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												1500 v	1.2 V @ 1.5 A	3 µs	2 µA @ 1500 V	-55°C 〜175°C	1.5a	15pf @ 4V，1MHz
RM2333	0.0520	RFQ	7834	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM2333Tr		8541.10.0080	30,000			P通道	12 v	6a（6a）	2.5V，4.5V	30mohm @ 6a，4.5V	1V @ 250µA		±12V	1100 pf @ 6 V	-	1.8W（TA）
FFM1800W	0.0420	RFQ	7490	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		标准		smx	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-FFM1800WTR	Ear99	8541.10.0080	60,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1800 v	1.8 V @ 500 mA	300 ns	5 µA @ 1800 V	-55°C〜150°C	500mA	15pf @ 4V，1MHz
205m卢比	0.5500	RFQ	7835	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RS-2M		标准		RS-2M	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RS205M	Ear99	8541.10.0080	2,700															1.05 V @ 2 A		200 NA @ 600 V		2 a				单相	600 v
FM340-W	0.1200	RFQ	8285	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC		肖特基		DO-214AB（SMC）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-FM340-WTR	Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													550 mv @ 3 a	6 ns	60 µA @ 40 V	-55°C〜150°C	3a	200pf @ 4V，1MHz
1f12	0.0550	RFQ	1183	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	R-1，轴向		标准		R-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-1F12TR	Ear99	8541.10.0080	20,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1200 v	1.8 V @ 500 mA	300 ns	5 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	500mA	15pf @ 4V，1MHz
RM35P30LDV	0.1980	RFQ	8698	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM35P30LDVTR		8541.10.0080	25,000			P通道	30 V	35A（TC）	4.5V，10V	20mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	1345 PF @ 15 V	-	40W（TC）
2n7002ks6	0.0430	RFQ	6245	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	2N7002	MOSFET （金属 o化物）	350MW（TA）	SOT-363-6L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-2N7002KS6TR		8541.10.0080	30,000	2 n 通道（双）			60V	250mA（ta）		5ohm @ 500mA，10v	1.9V @ 250µA	-		-	-
R3000G	0.0880	RFQ	4128	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-R3000GTR	Ear99	8541.10.0080	20,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												3000 v	3 V @ 200 ma		5 µA @ 3000 V	-65°C〜175°C	500mA	30pf @ 4V，1MHz
FFM1600W	0.0420	RFQ	6449	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		标准		smx	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-FFM1600WTR	Ear99	8541.10.0080	60,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1600 v	1.8 V @ 500 mA	300 ns	5 µA @ 1600 V	-55°C〜150°C	500mA	15pf @ 4V，1MHz
RM20N650T2	1.0400	RFQ	2976	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM20N650T2		8541.10.0080	5,000			n通道	650 v	20A（TC）	10V	210mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA		±30V	2600 PF @ 50 V	-	180W（TC）
RM8A5P60S8	0.2900	RFQ	4571	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM8A5P60S8TR		8541.10.0080	40,000			P通道	60 V	8.5A（TC）	4.5V，10V	30mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	3900 PF @ 25 V	-	4.1W（TC）
RM35N30DF	0.2700	RFQ	1960年	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM35N30DFTR		8541.10.0080	40,000			n通道	30 V	35A（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA		±20V	2330 pf @ 15 V	-	40W（TC）
RM60N100DF	0.4900	RFQ	7225	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM60N100DFTR		8541.10.0080	40,000			n通道	100 v	60a（TC）	10V	8.5mohm @ 30a，10v	4.5V @ 250µA		±20V	3500 PF @ 50 V	-	105W（TC）
RM3416	0.0580	RFQ	7064	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM3416TR		8541.10.0080	30,000			n通道	20 v	6.5A（TA）	1.8V，4.5V	27mohm @ 6.5a，4.5V	1V @ 250µA		±12V	660 pf @ 10 V	-	1.4W（TA）
R1800	0.0490	RFQ	7994	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-R1800Tr	Ear99	8541.10.0080	20,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												1800 v	1.3 V @ 1 A		5 µA @ 1800 V	-65°C〜175°C	1a	-
RM6A5N30S6	0.0520	RFQ	4369	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM6A5N30S6TR		8541.10.0080	30,000			n通道	32 v	6.5A（TA）	4.5V，10V	35mohm @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA		±20V	325 pf @ 15 V	-	2.7W（TA）
RL1N1600F	0.0380	RFQ	3327	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	轴向		标准		A-405	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RL1N1600FTR	Ear99	8541.10.0080	20,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1600 v	1.8 V @ 500 mA	300 ns	5 µA @ 1600 V	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（885）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²