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离散半导体产品（（885）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）
RS605	0.9800	RFQ	7983	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RS-6		标准		RS-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RS605	Ear99	8541.10.0080	1,600																	1.05 V @ 6 A		200 NA @ 600 V		6 a		单相	600 v
RM6N800T2	0.8200	RFQ	9372	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM6N800T2		8541.10.0080	5,000			n通道	800 v	6A（TC）	10V	900MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA		±30V	1320 PF @ 50 V	-	98W（TC）
RM2004NE	0.0900	RFQ	9814	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	RM2004	MOSFET （金属 o化物）	1.25W（TA）	SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM2004NETR		8541.10.0080	30,000	2 n 通道（双）			20V	6a（6a）		24mohm @ 6a，10v	1V @ 250µA	8NC @ 4.5V		650pf @ 10V	-
RM12N650T2	0.6700	RFQ	2682	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM12N650T2		8541.10.0080	5,000			n通道	650 v	11.5A（TC）	10V	360MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA		±30V	870 pf @ 50 V	-	101W（TC）
RM2301	0.0420	RFQ	2341	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM2301TR		8541.10.0080	30,000			P通道	20 v	3A（3A）	2.5V，4.5V	110MOHM @ 3A，4.5V	1V @ 250µA		±12V	405 pf @ 10 V	-	1W（ta）
EFM102-W	0.0400	RFQ	7153	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		标准		DO-214AC（SMA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-EFM102-WTR	Ear99	8541.10.0080	7,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															950 MV @ 1 A	35 ns	5 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	1a	10pf @ 4V，1MHz
RM17N800TI	1.5300	RFQ	5642	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM17N800TI		8541.10.0080	5,000			n通道	800 v	17a（TC）	10V	320MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 250µA		±30V	2060 pf @ 50 V	-	35W（TC）
406m卢比	0.7800	RFQ	3616	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，4M卢比		标准		4m卢比	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RS406M	Ear99	8541.10.0080	1,800																	1.05 V @ 4 A		5 µA @ 800 V		4 a		单相	800 v
RM45N60DF	0.4500	RFQ	9267	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM45N60DFTR		8541.10.0080	40,000			n通道	60 V	45A（TC）	4.5V，10V	13mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA		±20V	2180 pf @ 30 V	-	60W（TC）
RM130N100T2	0.6900	RFQ	9163	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM130N100T2		8541.10.0080	5,000			n通道	100 v	130a（TC）	10V	5.5MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA		±20V	4570 pf @ 25 V	-	120W（TC）
2N7002K36	0.0450	RFQ	2683	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	表面安装	SOT-23-6	2N7002	MOSFET （金属 o化物）	350MW（TA）	SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-2N7002K36TR		8541.10.0080	30,000	2 n 通道（双）			60V	250mA（ta）		3ohm @ 500mA，10v	1.9V @ 250µA	-		-	-
RM10N100LD	0.1480	RFQ	2964	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM10N100LDTR		8541.10.0080	25,000			n通道	100 v	10A（TC）	4.5V，10V	130mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA		±20V	730 PF @ 50 V	-	40W（TC）
RM30N100T2	0.3900	RFQ	2008	美国直发	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM30N100T2		8541.10.0080	5,000			n通道	100 v	30A（TC）	10V	28mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA		±20V	2000 pf @ 25 V	-	75W（TC）
BAV70	0.0300	RFQ	6307	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAV70	标准		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-BAV70TR	Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	100 v	215ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	500 NA @ 70 V	-55°C〜150°C
RM3407	0.1200	RFQ	7167	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM3407Tr		8541.10.0080	12,000			P通道	30 V	4.3a（ta）	4.5V，10V	52MOHM @ 4A，10V	3V @ 250µA		±20V	700 pf @ 15 V	-	1.5W（TA）
RM5N650IP	0.4500	RFQ	6616	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK		MOSFET （金属 o化物）		TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM5N650IP		8541.10.0080	4,000			n通道	650 v	5A（TC）	10V	900mohm @ 2.5a，10v	3.5V @ 250µA		±30V	460 pf @ 50 V	-	49W（TC）
RS1501ML	1.0200	RFQ	4518	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RS-15ML		标准		RS-15毫升	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RS1501ML	Ear99	8541.10.0080	2,000																	1.1 V @ 7.5 A		200 na @ 50 V		15 a		单相	50 V
RM60N30DF	0.1400	RFQ	4964	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM60N30DFTR		8541.10.0080	40,000			n通道	30 V	58A（TC）	4.5V，10V	8.5mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	1844 pf @ 15 V	-	46W（TC）
DB105L	0.3200	RFQ	4463	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准		DBL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-DB105LSTR	Ear99	8541.10.0080	8,000																	1 V @ 1 A		1 µA @ 600 V		1 a		单相	600 v
MMSZ4697T	0.0500	RFQ	2282	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-	表面安装	SC-79，SOD-523			300兆	SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2516-MMSZ4697TTR	Ear99	8541.10.0080	8,000																	900 mv @ 10 ma		1 µA @ 7.6 V						10 v
RBU2006M	0.8900	RFQ	5773	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，rbu		标准		RBU	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RBU2006M	Ear99	8541.10.0080	2,000																	1.1 V @ 10 A		5 µA @ 800 V		20 a		单相	800 v
LDB106S	0.3800	RFQ	9652	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准		DB-S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-LDB106STR	Ear99	8541.10.0080	24,000																	1 V @ 1 A		1 µA @ 800 V		1 a		单相	800 v
EDB102	0.5400	RFQ	1671年	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-Edip（0.321英寸，8.15mm）		标准		DB-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-EDB102	Ear99	8541.10.0080	15,000																	1.05 V @ 1 A		5 µA @ 100 V		1 a		单相	100 v
4RS105M	0.4000	RFQ	1661年	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，卢比1M		标准		卢比	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-4RS105M	Ear99	8541.10.0080	5,280																	1.1 V @ 4 A		2 µA @ 600 V		4 a		单相	600 v
2RS107M	0.3600	RFQ	4587	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，卢比1M		标准		卢比	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-2RS107M	Ear99	8541.10.0080	5,280																	1.1 V @ 2 A		2 µA @ 1000 V		2 a		单相	1 kV
2RS104M	0.3600	RFQ	2185	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，卢比1M		标准		卢比	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-2RS104M	Ear99	8541.10.0080	5,280																	1.1 V @ 2 A		2 µA @ 400 V		2 a		单相	400 v
RS206L	0.4800	RFQ	8702	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RS-2L		标准		RS-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RS206L	Ear99	8541.10.0080	3,600																	1.1 V @ 2 A		2 µA @ 800 V		2 a		单相	800 v
1N4003-T	0.0220	RFQ	3075	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-1N4003-TTR	Ear99	8541.10.0080	5,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													1000 v		1 V @ 1 A		200 na @ 1000 V	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
RM8N700T2	0.6800	RFQ	4384	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM8N700T2		8541.10.0080	5,000			n通道	700 v	8A（TC）	10V	600MOHM @ 4A，10V	3.5V @ 250µA		±30V	680 pf @ 50 V	-	80W（TC）
RM130N30D3	0.2200	RFQ	2210	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN-EP（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM130N30D3TR		8541.10.0080	25,000			n通道	30 V	130a（TC）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 30a，10v	2.4V @ 250µA		±20V	4200 PF @ 15 V	-	45W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（885）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²