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离散半导体产品（（885）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）
RM40P07	0.1450	RFQ	3800	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM40P07TR		8541.10.0080	40,000			P通道	40 V	6.2a（ta）	4.5V，10V	25mohm @ 5A，10V	2.5V @ 250µA		±20V	1750 pf @ 20 V	-	2.5W（TA）
MP151	1.8500	RFQ	7649	美国直发	-	托盘	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	4平方英尺，MP-15		标准		MP-15	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-MP151	Ear99	8541.10.0080	400															1.05 V @ 7.5 A		500 NA @ 100 V		15 a		单相	100 v
RM3N700S4	0.2900	RFQ	2302	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM3N700S4TR		8541.10.0080	30,000			n通道	700 v	3A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA		±20V	225 pf @ 100 V	-	6.2W（TC）
MP258W	1.8500	RFQ	7855	美国直发	-	托盘	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，MP-25W		标准		MP-25W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-MP258W	Ear99	8541.10.0080	1,000															1.1 V @ 12.5 A		5 µA @ 800 V		25 a		单相	800 v
RM150N100ADF	0.8000	RFQ	8337	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM150N100ADFTR		8541.10.0080	40,000			n通道	100 v	128a（TC）	10V	4.2MOHM @ 20A，10V	2.4V @ 250µA		±20V	3650 pf @ 50 V	-	125W（TC）
RS1501ML	1.0200	RFQ	4518	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RS-15ML		标准		RS-15毫升	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RS1501ML	Ear99	8541.10.0080	2,000															1.1 V @ 7.5 A		200 na @ 50 V		15 a		单相	50 V
RM90N40DF	0.4100	RFQ	8078	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM90N40DFTR		8541.10.0080	40,000			n通道	40 V	90A（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	5400 PF @ 20 V	-	65W（TC）
MD10F	0.3300	RFQ	6047	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准		MD-S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-MD10FTR	Ear99	8541.10.0080	24,000															1 V @ 500 MA		1 µA @ 1000 V		1 a		单相	1 kV
MDA208G	0.5500	RFQ	5861	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RS-1		标准		RS-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-MDA208G	Ear99	8541.10.0080	4,800															1.1 V @ 3.14 A		5 µA @ 800 V		2 a		单相	800 v
RM50P30D3	0.2300	RFQ	3274	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN-EP（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM50P30D3TR		8541.10.0080	25,000			P通道	30 V	50A（TC）	4.5V，10V	8.7MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	3448 pf @ 15 V	-	38W（TC）
RM5N650LD	0.4500	RFQ	7945	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM5N650LDTR		8541.10.0080	25,000			n通道	650 v	5A（TC）	10V	900mohm @ 2.5a，10v	3.5V @ 250µA		±30V	460 pf @ 50 V	-	49W（TC）
RM3407	0.1200	RFQ	7167	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM3407Tr		8541.10.0080	12,000			P通道	30 V	4.3a（ta）	4.5V，10V	52MOHM @ 4A，10V	3V @ 250µA		±20V	700 pf @ 15 V	-	1.5W（TA）
DB106	0.3400	RFQ	2698	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-Edip（0.321英寸，8.15mm）		标准		DB-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-DB106	Ear99	8541.10.0080	2,500															1 V @ 1 A		1 µA @ 800 V		1 a		单相	800 v
RM50P30DF	0.4200	RFQ	2671	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM50P30DFTR		8541.10.0080	25,000			P通道	30 V	50A（TC）	10V	7mohm @ 10a，10v	2.2V @ 250µA		±20V	3590 pf @ 15 V	-	35W（TC）
RM15N650TI	0.9200	RFQ	7598	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM15N650TI		8541.10.0080	5,000			n通道	650 v	15A（TC）	10V	260MOHM @ 8A，10V	3.5V @ 250µA		±30V	1360 pf @ 50 V	-	33.5W（TC）
LL4148-T	0.0140	RFQ	3693	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80		标准		LL-34	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-LL4148-TTR	Ear99	8541.10.0080	10,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1 V @ 10 mA	4 ns	5 µA @ 75 V	175°c （最大）	500mA	4pf @ 0v，1MHz
FM4004W-W	0.0350	RFQ	8461	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	do-214ac，SMA		标准		smx	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-FM4004W-WTR	Ear99	8541.10.0080	7,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												400 v	1.1 V @ 1 A		5 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
BSS127	0.0390	RFQ	5738	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-BSS127TR		8541.10.0080	30,000			n通道	600 v	21ma（ta）	4.5V，10V	500ohm @ 16mA，10v	2.6V @ 8µA		±20V	28 PF @ 25 V	-	500MW（TA）
RM50N60TI	0.2400	RFQ	2760	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM50N60TI		8541.10.0080	5,000			n通道	60 V	50a（ta）	10V	20mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	2050 pf @ 30 V	-	85W（ta）
RM50N60LD	0.2400	RFQ	6169	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM50N60LDTR		8541.10.0080	25,000			n通道	60 V	50A（TC）	10V	20mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	2050 pf @ 30 V	-	85W（TC）
RM40P40LD	0.2600	RFQ	1155	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM40P40LDTR		8541.10.0080	25,000			P通道	40 V	40a（TC）	10V	14mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA		±20V	2960 pf @ 20 V	-	80W（TC）
RM150N150HD	1.7500	RFQ	3265	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM150N150HDTR		8541.10.0080	8,000			n通道	150 v	150a（TC）	10V	7.2MOHM @ 70A，10V	4V @ 250µA		±20V	5500 PF @ 75 V	-	320W（TC）
RM10N40S8	0.2900	RFQ	1604	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RM10N	MOSFET （金属 o化物）	2.1W（TC）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM10N40S8TR		8541.10.0080	40,000	2 n 通道（双）			40V	10A（TC）		15mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	26nc @ 4.5V		2000pf @ 20V	-
RM80N150T2	0.8800	RFQ	4712	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM80N150T2		8541.10.0080	5,000			n通道	150 v	80A（TC）	10V	12.5MOHM @ 40a，10v	4.5V @ 250µA		±20V	3200 PF @ 75 V	-	210W（TC）
RM20P30D3	0.2300	RFQ	9069	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN-EP（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM20P30D3TR		8541.10.0080	25,000			P通道	30 V	20A（TA）	4.5V，10V	15mohm @ 15a，10v	1.9V @ 250µA		±20V	2130 PF @ 25 V	-	35W（TA）
RM5N800HD	0.6700	RFQ	5232	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM5N800HDTR		8541.10.0080	8,000			n通道	800 v	5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA		±30V	1320 PF @ 50 V	-	98W（TC）
RM110N150HD	1.4400	RFQ	8528	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM110N150HDTR		8541.10.0080	8,000			n通道	150 v	113A（TC）	10V	8.8mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA		±20V	4362 PF @ 75 V	-	273W（TC）
RM150N60HD	0.6700	RFQ	5813	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM150N60HDTR		8541.10.0080	8,000			n通道	60 V	150a（TC）	10V	4.5MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA		±20V	6500 PF @ 25 V	-	220W（TC）
RM1505S	0.3900	RFQ	3397	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM1505STR		8541.10.0080	40,000			n通道	150 v	5.1a（ta）	10V	65mohm @ 5.1A，10V	4.5V @ 250µA		±20V	730 PF @ 75 V	-	（3W）（5W）（5W tc）
RM1002	0.0440	RFQ	9360	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM1002TR		8541.10.0080	30,000			n通道	100 v	2A（TA）	10V	220MOHM @ 1A，10V	2.5V @ 250µA		±20V	190 pf @ 50 V	-	1.1W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（885）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²