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离散半导体产品（（885）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
FFM1200W	0.0420	RFQ	6148	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	do-214ac，SMA		标准		smx	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-FFM1200WTR	Ear99	8541.10.0080	60,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1200 v	1.8 V @ 500 mA	300 ns	5 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	500mA	15pf @ 4V，1MHz
R4000	0.1200	RFQ	9761	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		通过洞	do-204ac，do-15，轴向		标准		do-15	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-R4000Tr	Ear99	8541.10.0080	20,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												4000 v	5 V @ 200 ma		5 µA @ 4000 V	-55°C〜150°C	200mA	30pf @ 4V，1MHz
801m卢比	0.9100	RFQ	2509	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，8m卢比		标准		8m卢比	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RS801M	Ear99	8541.10.0080	2,400															1.05 V @ 8 A		500 NA @ 50 V		8 a				单相	50 V
KBL403	0.5500	RFQ	7519	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，KBL		标准		KBL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-KBL403	Ear99	8541.10.0080	4,600															1.1 V @ 4 A		10 µA @ 200 V		4 a				单相	200 v
4RS203M	0.5200	RFQ	7452	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RS-2M		标准		RS-2M	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-4RS203M	Ear99	8541.10.0080	3,600															1.1 V @ 4 A		2 µA @ 200 V		4 a				单相	200 v
EDB101	0.5400	RFQ	4130	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-Edip（0.321英寸，8.15mm）		标准		DB-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-EDB101	Ear99	8541.10.0080	15,000															1.05 V @ 1 A		5 µA @ 50 V		1 a				单相	50 V
DB154S	0.3900	RFQ	5075	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准		DB-S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-DB154STR	Ear99	8541.10.0080	8,000															1 V @ 1.5 A		1 µA @ 400 V		1.5 a				单相	400 v
RM002N30DF	0.3200	RFQ	9560	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM002N30DFTR		8541.10.0080	40,000			n通道	30 V	85A（TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	4345 pf @ 15 V	-	187W（TC）
RM3401Y	0.0460	RFQ	5047	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM3401YTR		8541.10.0080	30,000			P通道	30 V	4.2A（ta）	2.5V，10V	55MOHM @ 4.2A，10V	1.3V @ 250µA		±12V	880 pf @ 15 V	-	1.2W（TA）
HVM16	2.1000	RFQ	7709	美国直发	-	大部分	积极的		通过洞	轴向		标准		HVM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-HVM16	Ear99	8541.10.0080	1,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												16000 v	14 V @ 350 mA		5 µA @ 16000 V	-20°C〜150°C	350mA	-
RM50N200T2	1.2200	RFQ	3702	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM50N200T2		8541.10.0080	5,000			n通道	200 v	51A（TC）	10V	32mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA		±20V	1598 PF @ 100 V	-	214W（TC）
MDA206G	0.5500	RFQ	4290	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RS-1		标准		RS-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-MDA206G	Ear99	8541.10.0080	4,800															1.1 V @ 3.14 A		5 µA @ 600 V		2 a				单相	600 v
1003m卢比	0.9800	RFQ	1712	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，卢比10m		标准		10m卢比	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RS1003M	Ear99	8541.10.0080	1,800															1.1 V @ 5 A		5 µA @ 200 V		10 a				单相	200 v
RM8N650LD	0.5200	RFQ	4458	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM8N650LDTR		8541.10.0080	25,000			n通道	650 v	8A（TC）	10V	540MOHM @ 4A，10V	3.5V @ 250µA		±30V	680 pf @ 50 V	-	80W（TC）
RM2N650LD	0.3000	RFQ	3845	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM2N650LDTR		8541.10.0080	25,000			n通道	650 v	2A（TC）	10V	2.5OHM @ 1A，10V	3.5V @ 250µA		±30V	190 pf @ 50 V	-	23W（TC）
FM2000W	0.0500	RFQ	7307	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	do-214ac，SMA		标准		DO-214AC（SMA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-FM2000WTR	Ear99	8541.10.0080	60,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												2000 v	1.1 V @ 1 A	2 µs	2 µA @ 2000 V	-55°C 〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
RM3075S8（n）	0.1700	RFQ	1414	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RM3075	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM3075S8（n）tr		8541.10.0080	40,000	n和p通道			30V	6.8A（ta），4.6a ta（4.6a）		27mohm @ 6.8a，10v	2.3V @ 10µA	14NC @ 10V，16NC @ 10V		383pf @ 15V	-
RM3010	0.1300	RFQ	6757	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM3010TR		8541.10.0080	40,000			n通道	30 V	10a（10a）	4.5V，10V	12mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA		±20V	1550 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
RM35P100T2	0.4700	RFQ	6451	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM35P100T2		8541.10.0080	5,000			P通道	100 v	35A（TC）	4.5V，10V	50mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	6516 pf @ 25 V	-	104W（TC）
1N4004G-T	0.0280	RFQ	2955	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-1N4004G-TTR	Ear99	8541.10.0080	5,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												400 v	1 V @ 1 A		200 NA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
RM80N30DN	0.2900	RFQ	6630	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-ppak（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM80N30DNTR		8541.10.0080	25,000			n通道	30 V	80A（TC）	4.5V，10V	3.8mohm @ 24a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	3190 pf @ 25 V	-	66W（TC）
MP254W	1.8500	RFQ	9367	美国直发	-	托盘	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，MP-25W		标准		MP-25W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-MP254W	Ear99	8541.10.0080	1,000															1.1 V @ 12.5 A		5 µA @ 400 V		25 a				单相	400 v
DB1512S	0.4200	RFQ	7174	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准		DB-S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-DB1512STR	Ear99	8541.10.0080	8,000															1 V @ 1.5 A		1 µA @ 1200 V		1.5 a				单相	1.2 kV
RM5A1P30S6	0.0760	RFQ	4647	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM5A1P30S6TR		8541.10.0080	30,000			P通道	30 V	5.1a（ta）	4.5V，10V	32MOHM @ 4A，10V	2.2V @ 250µA		±20V	1280 pf @ 15 V	-	1.56W（TA）
RM2309E	0.0540	RFQ	4943	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM2309ETR		8541.10.0080	30,000			P通道	30 V	-	4.5V，10V	38mohm @ 1A，10V	2.5V @ 250µA		±20V		-	-
CMBT2907A-T	0.0240	RFQ	2763	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-CMBT2907A-TTR	Ear99	8541.10.0080	3,000																					60 V	600 MA			50NA	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 10mA，10v	200MHz
RM100N60T2	0.3500	RFQ	6793	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM100N60T2TR		8541.10.0080	4,000			n通道	60 V	100A（TC）	10V	6.5MOHM @ 40a，10v	4V @ 250µA		±20V	4800 PF @ 30 V	-	170W（TC）
RM2A8N60S4	0.1100	RFQ	9497	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM2A8N60S4TR		8541.10.0080	30,000			n通道	60 V	2.8A（ta）	4.5V，10V	100mohm @ 2.5a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	715 PF @ 15 V	-	1.5W（TA）
RM4N700S4	0.3200	RFQ	2116	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM4N700S4TR		8541.10.0080	30,000			n通道	700 v	4A（TC）	10V	1.3OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA		±30V	304 pf @ 50 V	-	5.2W（TC）
R3000F	0.1800	RFQ	2433	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		通过洞	do-204ac，do-15，轴向		标准		do-15	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-r3000ftr	Ear99	8541.10.0080	4,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												3000 v	5 V @ 200 ma	500 ns	5 µA @ 3000 V	-55°C〜150°C	200mA	30pf @ 4V，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（885）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²