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离散半导体产品（（885）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）
FM2000W	0.0500	RFQ	7307	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	do-214ac，SMA		标准		DO-214AC（SMA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-FM2000WTR	Ear99	8541.10.0080	60,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												2000 v	1.1 V @ 1 A	2 µs	2 µA @ 2000 V	-55°C 〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
R2000fg	0.0650	RFQ	4323	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-R2000FGTR	Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												2000 v	1.8 V @ 100 mA	300 ns	1 µA @ 2000 V	-65°C〜175°C	500mA	-
rmp3n90ip	0.3300	RFQ	8056	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK		MOSFET （金属 o化物）		TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-rmp3n90ip		8541.10.0080	4,000			n通道	900 v	3A（TC）	10V	3.2OHM @ 1.5A，10V	5V @ 250µA		±30V	850 pf @ 25 V	-	50W（TC）
RMD7N40DN	0.2400	RFQ	1566年	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	RMD7N	MOSFET （金属 o化物）	1.9W（ta），12W（（（（（（（）	8-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RMD7N40DNTR		8541.10.0080	25,000	2 n 通道（双）			40V	（7A（ta），20A （TC）		20mohm @ 7a，10v	3V @ 250µA	11NC @ 10V		720pf @ 20V	-
HVM16	2.1000	RFQ	7709	美国直发	-	大部分	积极的		通过洞	轴向		标准		HVM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-HVM16	Ear99	8541.10.0080	1,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												16000 v	14 V @ 350 mA		5 µA @ 16000 V	-20°C〜150°C	350mA	-
RM100N60T2	0.3500	RFQ	6793	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM100N60T2TR		8541.10.0080	4,000			n通道	60 V	100A（TC）	10V	6.5MOHM @ 40a，10v	4V @ 250µA		±20V	4800 PF @ 30 V	-	170W（TC）
RM13P40S8	0.2700	RFQ	7991	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM13P40S8TR		8541.10.0080	40,000			P通道	40 V	13A（TA）	10V	15mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	2800 PF @ 20 V	-	2.5W（TA）
RM35P100T2	0.4700	RFQ	6451	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM35P100T2		8541.10.0080	5,000			P通道	100 v	35A（TC）	4.5V，10V	50mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	6516 pf @ 25 V	-	104W（TC）
R8KH	1.2600	RFQ	8374	美国直发	-	大部分	积极的		通过洞	轴向		标准		轴向	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-R8KH	Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												8700 v	14 V @ 350 mA	150 ns	5 µA @ 8700 V	130°C	380mA	-
RM2A8N60S4	0.1100	RFQ	9497	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM2A8N60S4TR		8541.10.0080	30,000			n通道	60 V	2.8A（ta）	4.5V，10V	100mohm @ 2.5a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	715 PF @ 15 V	-	1.5W（TA）
RM100N60T7	0.6800	RFQ	4789	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM100N60T7		8541.10.0080	1,800			n通道	60 V	100A（TC）	10V	6.5MOHM @ 40a，10v	4V @ 250µA		±20V	4800 PF @ 30 V	-	170W（TC）
RM15P55LD	0.2800	RFQ	7424	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM15P55LDTR		8541.10.0080	25,000			P通道	55 v	15A（TC）	10V	75MOHM @ 5A，10V	3.5V @ 250µA		±20V	1450 pf @ 20 V	-	35W（TC）
FM4004-W	0.0350	RFQ	8455	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	do-214ac，SMA		标准		smx	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-FM4004-WTR	Ear99	8541.10.0080	7,500		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													1.1 V @ 1 A		5 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
RM15N650T2	0.9200	RFQ	4091	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM15N650T2		8541.10.0080	5,000			n通道	650 v	15A（TC）	10V	260MOHM @ 8A，10V	3.5V @ 250µA		±30V	1360 pf @ 50 V	-	145W（TC）
RM3401Y	0.0460	RFQ	5047	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM3401YTR		8541.10.0080	30,000			P通道	30 V	4.2A（ta）	2.5V，10V	55MOHM @ 4.2A，10V	1.3V @ 250µA		±12V	880 pf @ 15 V	-	1.2W（TA）
RBU2505M-C-LV	1.0200	RFQ	8397	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，rbu		标准		RBU	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RBU2505M-C-LV	Ear99	8541.10.0080	2,000															920 MV @ 12.5 A		5 µA @ 600 V		25 a		单相	600 v
RM6N800IP	0.7000	RFQ	8536	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK		MOSFET （金属 o化物）		TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM6N800IP		8541.10.0080	4,000			n通道	800 v	6A（TC）	10V	900MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA		±30V	1290 pf @ 50 V	-	98W（TC）
RM4N650LD	0.3300	RFQ	3330	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM4N650LDTR		8541.10.0080	25,000			n通道	650 v	4A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.5A，10V	3.5V @ 250µA		±30V	280 pf @ 50 V	-	46W（TC）
RM6N800LD	0.7000	RFQ	3906	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM6N800LDTR		8541.10.0080	25,000			n通道	800 v	6A（TC）	10V	900MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA		±30V	1290 pf @ 50 V	-	98W（TC）
4RS205M	0.5200	RFQ	9939	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RS-2M		标准		RS-2M	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-4RS205M	Ear99	8541.10.0080	3,600															1.1 V @ 4 A		2 µA @ 600 V		4 a		单相	600 v
RBU806M	0.7900	RFQ	4655	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，rbu		标准		RBU	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-rbu806m	Ear99	8541.10.0080	2,000															1 V @ 8 A		500 NA @ 800 V		8 a		单相	800 v
FM302-W	0.0800	RFQ	1704年	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	DO-214AB，SMC		标准		SMC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-FM302-WTR	Ear99	8541.10.0080	3,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													1 V @ 3 A		1 µA @ 100 V	150°C	3a	30pf @ 4V，1MHz
RM6005AR	0.1400	RFQ	3382	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM6005ARTR		8541.10.0080	30,000			n通道	60 V	5A（5A）	10V	35mohm @ 5A，10V	2.5V @ 250µA		±20V	979 PF @ 30 V	-	2W（TA）
R1500F	0.0390	RFQ	6452	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-R1500FTR	Ear99	8541.10.0080	20,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1500 v	2.5 V @ 500 mA	500 ns	5 µA @ 1500 V	-65°C〜175°C	500mA	-
RM60N75LD	0.4100	RFQ	3866	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM60N75LDTR		8541.10.0080	25,000			n通道	75 v	60a（TC）	10V	8.5mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA		±20V	4400 PF @ 25 V	-	140W（TC）
2N7002KD1	0.0300	RFQ	1143	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	2N7002	MOSFET （金属 o化物）		DFN1006-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-2N7002KD1TR		8541.10.0080	30,000			n通道	60 V	350mA（ta）	5V，10V	2.8ohm @ 200mA，10v	1.9V @ 250µA		±20V	50 pf @ 25 V	-	350MW（TA）
RM3404	0.0480	RFQ	3718	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM3404Tr		8541.10.0080	30,000			n通道	30 V	5.8A（ta）	4.5V，10V	31MOHM @ 5A，10V	2.4V @ 250µA		±20V	255 pf @ 15 V	-	1.4W（TA）
RM50N60T2	0.2400	RFQ	2291	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM50N60T2		8541.10.0080	5,000			n通道	60 V	50A（TC）	10V	20mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	2050 pf @ 30 V	-	85W（TC）
R3000F	0.1800	RFQ	2433	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		通过洞	do-204ac，do-15，轴向		标准		do-15	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-r3000ftr	Ear99	8541.10.0080	4,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												3000 v	5 V @ 200 ma	500 ns	5 µA @ 3000 V	-55°C〜150°C	200mA	30pf @ 4V，1MHz
RM2306E	0.0550	RFQ	7571	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM2306Etr		8541.10.0080	30,000			n通道	30 V	5.3a（ta）	4.5V，10V	31mohm @ 6.7a，10v	3V @ 250µA		±20V	370 pf @ 15 V	-	1.39W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（885）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²