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离散半导体产品（（885）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
FM5822A-W	0.0650	RFQ	8229	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	do-214ac，SMA		肖特基		DO-214AC（SMA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-FM5822A-WTR	Ear99	8541.10.0080	7,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												40 V	460 mv @ 3 a		80 µA @ 40 V	150°C	3a	200pf @ 4V，1MHz
RM110N82T2	0.4400	RFQ	9356	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM110N82T2		8541.10.0080	5,000			n通道	82 v	110A（TC）	10V	7mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA		±20V	6400 PF @ 40 V	-	200W（TC）
10a6-t	0.1700	RFQ	9569	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		通过洞	R-6，轴向		标准		R-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-10A6-TTR	Ear99	8541.10.0080	800		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													1.1 V @ 10 A		10 µA @ 1000 V	-55°C〜150°C	10a	135pf @ 4V，1MHz
HFM103W-W	0.0360	RFQ	1465	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	do-214ac，SMA		标准		smx	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-HFM103W-WTR	Ear99	8541.10.0080	7,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												200 v	1 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 200 V	150°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
RM2303	0.0450	RFQ	2195	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM2303Tr		8541.10.0080	30,000			P通道	30 V	2A（TA）	4.5V，10V	130MOHM @ 2A，10V	2.5V @ 250µA		±20V	226 pf @ 15 V	-	1W（ta）
RM11N800TI	1.4400	RFQ	3242	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM11N800TI		8541.10.0080	5,000			n通道	800 v	11A（TJ）	10V	420MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA		±30V	2600 PF @ 50 V	-	33.8W（TC）
RM27P30LDV	0.1600	RFQ	2318	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM27P30LDVTR		8541.10.0080	25,000			P通道	30 V	27a（TC）	4.5V，10V	30mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	930 PF @ 15 V	-	40W（TC）
RM8810	0.0900	RFQ	4687	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	RM88	MOSFET （金属 o化物）	1.5W（TA）	SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM8810TR		8541.10.0080	30,000	2 n 通道（双）			20V	7a（ta）		20mohm @ 6a，4.5V	1V @ 250µA	14NC @ 4.5V		1295pf @ 10V	-
RM180N100T2	1.5100	RFQ	5783	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM180N100T2		8541.10.0080	5,000			n通道	100 v	180a（TC）	10V	3MOHM @ 100A，10V	4.5V @ 250µA		±20V	1150 PF @ 50 V	-	300W（TC）
HVM12	1.3500	RFQ	5239	美国直发	-	大部分	积极的		通过洞	轴向		标准		HVM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-HVM12	Ear99	8541.10.0080	1,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												12000 v	14 V @ 350 mA		5 µA @ 12000 V	-20°C〜150°C	350mA	-
1N5406-F	0.0900	RFQ	2711	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		通过洞	DO-201 AD，轴向		标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-1N5406-FTR	Ear99	8541.10.0080	1,250		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													1 V @ 3 A		200 na @ 1000 V	-55°C〜150°C	3a	30pf @ 4V，1MHz
RM4N700S4	0.3200	RFQ	2116	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM4N700S4TR		8541.10.0080	30,000			n通道	700 v	4A（TC）	10V	1.3OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA		±30V	304 pf @ 50 V	-	5.2W（TC）
RM4435	0.1400	RFQ	5534	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM4435TR		8541.10.0080	40,000			P通道	30 V	9.1A（ta），11a （TC）	4.5V，10V	20mohm @ 9.1a，10v	3V @ 250µA		±20V	1600 pf @ 15 V	-	3.1W（TA）
FFM104W-W	0.0400	RFQ	240	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	do-214ac，SMA		标准		smx	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-FFM104W-WTR	Ear99	8541.10.0080	7,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												400 v	1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
RM4P30S6	0.0520	RFQ	2091	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM4P30S6TR		8541.10.0080	30,000			P通道	30 V	4.2A（ta）	2.5V，10V	55MOHM @ 4.2A，10V	1.3V @ 250µA		±12V	880 pf @ 15 V	-	1.2W（TA）
1N5404G-T	0.1100	RFQ	2945	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		通过洞	DO-201 AD，轴向		标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-1N5404G-TTR	Ear99	8541.10.0080	1200		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												400 v	980 mv @ 3 a		500 NA @ 400 V	-55°C〜150°C	3a	30pf @ 4V，1MHz
RM3010	0.1300	RFQ	6757	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM3010TR		8541.10.0080	40,000			n通道	30 V	10a（10a）	4.5V，10V	12mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA		±20V	1550 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
FR302-B	0.0890	RFQ	7496	美国直发	-	大部分	积极的		通过洞	DO-201 AD，轴向		标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-FR302-B	Ear99	8541.10.0080	2,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1.3 V @ 3 A	150 ns	10 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	3a	65pf @ 4V，1MHz
1N4004G-T	0.0280	RFQ	2955	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-1N4004G-TTR	Ear99	8541.10.0080	5,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												400 v	1 V @ 1 A		200 NA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
R4000	0.1200	RFQ	9761	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		通过洞	do-204ac，do-15，轴向		标准		do-15	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-R4000Tr	Ear99	8541.10.0080	20,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												4000 v	5 V @ 200 ma		5 µA @ 4000 V	-55°C〜150°C	200mA	30pf @ 4V，1MHz
R2000	0.0490	RFQ	7573	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-R2000Tr	Ear99	8541.10.0080	5,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												2000 v	1.3 V @ 1 A		5 µA @ 2000 V	-65°C〜175°C	1a	-
RM130N200T2	3.8400	RFQ	4306	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM130N200T2		8541.10.0080	5,000			n通道	200 v	132a（TC）	10V	11mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA		±20V	4970 pf @ 100 V	-	429W（TC）
RM75N60LD	0.2900	RFQ	6542	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM75N60LDTR		8541.10.0080	25,000			n通道	60 V	75A（TC）	10V	11.5MOHM @ 30a，10v	4V @ 250µA		±20V	2350 pf @ 25 V	-	110W（TC）
RM6602	0.1300	RFQ	9658	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	RM660	MOSFET （金属 o化物）	1.2W（TA）	TSOT-23-6L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM6602TR		8541.10.0080	30,000	n和p通道			30V	3.5A（TA），2.7a ta（2.7a）		58mohm @ 3.5a，10v，100mohm @ 2.7a，10v	2.2V @ 250µA，2.5V @ 250µA	5NC @ 10V		210pf @ 15V，199pf @ 15V	-
HVM14	1.3500	RFQ	3376	美国直发	-	大部分	积极的		通过洞	轴向		标准		HVM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-HVM14	Ear99	8541.10.0080	1,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												14000 v	14 V @ 350 mA		5 µA @ 14000 V	-20°C〜150°C	350mA	-
RM9926	0.0840	RFQ	7144	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RM99	MOSFET （金属 o化物）	1.25W（TA）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM9926TR		8541.10.0080	40,000	2 n 通道（双）			20V	6a（6a）		28mohm @ 6a，4.5V	1.2V @ 250µA	10NC @ 4.5V		640pf @ 10V	-
RM12N650IP	0.5400	RFQ	5130	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK		MOSFET （金属 o化物）		TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM12N650IP		8541.10.0080	40,000			n通道	650 v	11.5A（TC）	10V	360MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA		±30V	870 pf @ 50 V	-	101W（TC）
CMBT2222A-T	0.0240	RFQ	198	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			300兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-CMBT2222A-TTR	Ear99	8541.10.0080	12,000																					40 V	600 MA			10NA	NPN	300mv @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
UMB10F	0.3800	RFQ	8284	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，平坦的铅		标准		4-SOF2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-umb10ftr	Ear99	8541.10.0080	48,000															1.1 V @ 400 mA		5 µA @ 1000 V		500 MA				单相	1 kV
FM2000W	0.0500	RFQ	7307	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	do-214ac，SMA		标准		DO-214AC（SMA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-FM2000WTR	Ear99	8541.10.0080	60,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												2000 v	1.1 V @ 1 A	2 µs	2 µA @ 2000 V	-55°C 〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（885）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²