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离散半导体产品（（885）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
RM20N150LD	0.2600	RFQ	1142	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM20N150LDTR		8541.10.0080	25,000			n通道	150 v	20A（TA）	10V	65mohm @ 10a，10v	4.5V @ 250µA		±20V	600 pf @ 75 V	-	68W（TA）
1N5406-F	0.0900	RFQ	2711	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向		标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-1N5406-FTR	Ear99	8541.10.0080	1,250		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													1 V @ 3 A		200 na @ 1000 V	-55°C〜150°C	3a	30pf @ 4V，1MHz
FM302-W	0.0800	RFQ	1704年	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC		标准		SMC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-FM302-WTR	Ear99	8541.10.0080	3,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													1 V @ 3 A		1 µA @ 100 V	150°C	3a	30pf @ 4V，1MHz
R2000fg	0.0650	RFQ	4323	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-R2000FGTR	Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												2000 v	1.8 V @ 100 mA	300 ns	1 µA @ 2000 V	-65°C〜175°C	500mA	-
1N4004-F	0.0300	RFQ	7006	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-1N4004-FTR	Ear99	8541.10.0080	3,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													1 V @ 1 A		200 na @ 1000 V	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
RM5N800IP	0.6900	RFQ	4172	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK		MOSFET （金属 o化物）		TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM5N800IP		8541.10.0080	4,000			n通道	800 v	5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.5A，10V	3.5V @ 250µA		±30V	680 pf @ 50 V	-	81W（TC）
RM2305B	0.0390	RFQ	9804	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM2305BTR		8541.10.0080	30,000			P通道	20 v	3A（3A），4.1A（4.1A）（TC）	1.8V，4.5V	52MOHM @ 4.1A，4.5V	1V @ 250µA		±12V	740 pf @ 4 V	-	1.7W（TA）
RM35N30DN	0.2500	RFQ	1173	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN-EP（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM35N30DNTR		8541.10.0080	25,000			n通道	30 V	35A（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 12A，10V	3V @ 250µA		±20V	1265 pf @ 15 V	-	35W（TC）
HFM103W-W	0.0360	RFQ	1465	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		标准		smx	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-HFM103W-WTR	Ear99	8541.10.0080	7,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												200 v	1 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 200 V	150°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
BZT52B5V1	0.0700	RFQ	3	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-	表面安装	SC-76，SOD-323			500兆	SOD-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2516-BZT52B5V1STR	Ear99	8541.10.0080	3,000															900 mv @ 10 ma		2 µA @ 2 V						5.1 v	60欧姆
RM3401	0.0440	RFQ	3553	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM3401TR		8541.10.0080	30,000			P通道	30 V	4.2A（ta）	2.5V，10V	55MOHM @ 4.2A，10V	1.3V @ 250µA		±12V	880 pf @ 15 V	-	1.2W（TA）
HVM14	1.3500	RFQ	3376	美国直发	-	大部分	积极的			通过洞	轴向		标准		HVM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-HVM14	Ear99	8541.10.0080	1,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												14000 v	14 V @ 350 mA		5 µA @ 14000 V	-20°C〜150°C	350mA	-
RM6602	0.1300	RFQ	9658	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	RM660	MOSFET （金属 o化物）	1.2W（TA）	TSOT-23-6L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM6602TR		8541.10.0080	30,000	n和p通道			30V	3.5A（TA），2.7a ta（2.7a）		58mohm @ 3.5a，10v，100mohm @ 2.7a，10v	2.2V @ 250µA，2.5V @ 250µA	5NC @ 10V		210pf @ 15V，199pf @ 15V	-
RM11N800T2	1.4400	RFQ	7116	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM11N800T2		8541.10.0080	5,000			n通道	800 v	11A（TC）	10V	420MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA		±30V	2600 PF @ 50 V	-	188W（TC）
KBL406	0.5500	RFQ	5006	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，KBL		标准		KBL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-KBL406	Ear99	8541.10.0080	4,600															1.1 V @ 4 A		10 µA @ 600 V		4 a		单相	600 v
RM2A8N60S4	0.1100	RFQ	9497	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM2A8N60S4TR		8541.10.0080	30,000			n通道	60 V	2.8A（ta）	4.5V，10V	100mohm @ 2.5a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	715 PF @ 15 V	-	1.5W（TA）
RM100N60T2	0.3500	RFQ	6793	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM100N60T2TR		8541.10.0080	4,000			n通道	60 V	100A（TC）	10V	6.5MOHM @ 40a，10v	4V @ 250µA		±20V	4800 PF @ 30 V	-	170W（TC）
R3000F	0.1800	RFQ	2433	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向		标准		do-15	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-r3000ftr	Ear99	8541.10.0080	4,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												3000 v	5 V @ 200 ma	500 ns	5 µA @ 3000 V	-55°C〜150°C	200mA	30pf @ 4V，1MHz
RM2305	0.0490	RFQ	2178	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM2305Tr		8541.10.0080	30,000			P通道	20 v	3A（3A），4.1A（4.1A）（TC）	2.5V，4.5V	52MOHM @ 4.1A，4.5V	1V @ 250µA		±12V	740 pf @ 4 V	-	1.7W（TA）
RM4N700S4	0.3200	RFQ	2116	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM4N700S4TR		8541.10.0080	30,000			n通道	700 v	4A（TC）	10V	1.3OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA		±30V	304 pf @ 50 V	-	5.2W（TC）
MSB206S	0.3600	RFQ	6943	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，平坦的铅		标准		MSB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-MSB206STR	Ear99	8541.10.0080	24,000															1.1 V @ 2 A		1 µA @ 800 V		2 a		单相	800 v
RM75N60LD	0.2900	RFQ	6542	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM75N60LDTR		8541.10.0080	25,000			n通道	60 V	75A（TC）	10V	11.5MOHM @ 30a，10v	4V @ 250µA		±20V	2350 pf @ 25 V	-	110W（TC）
RM2309E	0.0540	RFQ	4943	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM2309ETR		8541.10.0080	30,000			P通道	30 V	-	4.5V，10V	38mohm @ 1A，10V	2.5V @ 250µA		±20V		-	-
EDB101	0.5400	RFQ	4130	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-Edip（0.321英寸，8.15mm）		标准		DB-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-EDB101	Ear99	8541.10.0080	15,000															1.05 V @ 1 A		5 µA @ 50 V		1 a		单相	50 V
LDB104S	0.3800	RFQ	8342	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准		DB-S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-LDB104STR	Ear99	8541.10.0080	24,000															1 V @ 1 A		1 µA @ 400 V		1 a		单相	400 v
801m卢比	0.9100	RFQ	2509	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，8m卢比		标准		8m卢比	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RS801M	Ear99	8541.10.0080	2,400															1.05 V @ 8 A		500 NA @ 50 V		8 a		单相	50 V
DB154S	0.3900	RFQ	5075	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准		DB-S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-DB154STR	Ear99	8541.10.0080	8,000															1 V @ 1.5 A		1 µA @ 400 V		1.5 a		单相	400 v
KBL403	0.5500	RFQ	7519	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，KBL		标准		KBL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-KBL403	Ear99	8541.10.0080	4,600															1.1 V @ 4 A		10 µA @ 200 V		4 a		单相	200 v
R4000	0.1200	RFQ	9761	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向		标准		do-15	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-R4000Tr	Ear99	8541.10.0080	20,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												4000 v	5 V @ 200 ma		5 µA @ 4000 V	-55°C〜150°C	200mA	30pf @ 4V，1MHz
FFM1200W	0.0420	RFQ	6148	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		标准		smx	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-FFM1200WTR	Ear99	8541.10.0080	60,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1200 v	1.8 V @ 500 mA	300 ns	5 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	500mA	15pf @ 4V，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（885）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²