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离散半导体产品（（885）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
Her305-T	0.1100	RFQ	5847	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向		标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-HER305-TTR	Ear99	8541.10.0080	1200		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												400 v	1.3 V @ 3 A	50 ns	5 µA @ 400 V	150°C	3a	70pf @ 4V，1MHz
R2000	0.0490	RFQ	7573	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-R2000Tr	Ear99	8541.10.0080	5,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												2000 v	1.3 V @ 1 A		5 µA @ 2000 V	-65°C〜175°C	1a	-
RM50N60T2	0.2400	RFQ	2291	美国直发	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM50N60T2		8541.10.0080	5,000			n通道	60 V	50A（TC）	10V	20mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	2050 pf @ 30 V	-	85W（TC）
1f10	0.0550	RFQ	7256	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	R-1，轴向		标准		R-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-1f10tr	Ear99	8541.10.0080	20,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1000 v	1.8 V @ 500 mA	300 ns	5 µA @ 1000 V	-55°C〜150°C	500mA	15pf @ 4V，1MHz
RM75N60LD	0.2900	RFQ	6542	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM75N60LDTR		8541.10.0080	25,000			n通道	60 V	75A（TC）	10V	11.5MOHM @ 30a，10v	4V @ 250µA		±20V	2350 pf @ 25 V	-	110W（TC）
4RS103M	0.4000	RFQ	4041	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，卢比1M		标准		卢比	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-4RS103M	Ear99	8541.10.0080	5,280															1.1 V @ 4 A		2 µA @ 200 V		4 a				单相	200 v
RM180N100T2	1.5100	RFQ	5783	美国直发	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM180N100T2		8541.10.0080	5,000			n通道	100 v	180a（TC）	10V	3MOHM @ 100A，10V	4.5V @ 250µA		±20V	1150 PF @ 50 V	-	300W（TC）
FM1800W	0.0420	RFQ	7951	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		标准		smx	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-FM1800WTR	Ear99	8541.10.0080	60,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												1800 v	2 V @ 500 MA		5 µA @ 1800 V	-55°C〜150°C	500mA	35pf @ 4V，1MHz
DTC123JKA	0.0410	RFQ	8984	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTC123		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-DTC123JKATR	Ear99	8541.10.0080	30,000																					50 V	100 ma			500NA			npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	46.2科姆斯
RM2303	0.0450	RFQ	2195	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM2303Tr		8541.10.0080	30,000			P通道	30 V	2A（TA）	4.5V，10V	130MOHM @ 2A，10V	2.5V @ 250µA		±20V	226 pf @ 15 V	-	1W（ta）
FMD2S	0.3300	RFQ	1897年	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准		MD-S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-FMD2STR	Ear99	8541.10.0080	24,000															1.3 V @ 400 mA		10 µA @ 100 V		500 MA				单相	100 v
RMA7P20ED1	0.0290	RFQ	7509	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883		MOSFET （金属 o化物）		DFN1006-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RMA7P20ED1TR		8541.10.0080	40,000			P通道	20 v	700mA（TC）	2.5V，4.5V	420MOHM @ 500mA，4.5V	1V @ 250µA		±8V	52 pf @ 4 V	-	900MW（TA）
DTC123JCA	0.0410	RFQ	1173	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTC123		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-DTC123JCATR	Ear99	8541.10.0080	30,000																					50 V	100 ma			500NA			npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	46.2科姆斯
RM10N30D2	0.0720	RFQ	9869	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫		MOSFET （金属 o化物）		6-PQFN （2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM10N30D2TR		8541.10.0080	25,000			n通道	30 V	10a（10a）	4.5V，10V	12mohm @ 11a，10v	2V @ 250µA		±20V	1415 pf @ 15 V	-	730MW（TA）
FFM104W-W	0.0400	RFQ	240	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		标准		smx	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-FFM104W-WTR	Ear99	8541.10.0080	7,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												400 v	1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
FR302-B	0.0890	RFQ	7496	美国直发	-	大部分	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向		标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-FR302-B	Ear99	8541.10.0080	2,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1.3 V @ 3 A	150 ns	10 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	3a	65pf @ 4V，1MHz
RM2P60S2	0.0390	RFQ	2132	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM2P60S2TR		8541.10.0080	30,000			P通道	60 V	1.9a（ta）	4.5V，10V	215MOHM @ 1.8A，10V	3V @ 250µA		±20V	358 pf @ 30 V	-	1.4W（TA）
RM60P60HD	0.5400	RFQ	1158	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM60P60HDTR		8541.10.0080	8,000			P通道	60 V	61a（ta）	6V，10V	22mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA		±20V	3200 PF @ 25 V	-	171W（TA）
2005年	1.1600	RFQ	5249	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，20m卢比		标准		20m卢比	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RS2005M	Ear99	8541.10.0080	1200															1.1 V @ 10 A		5 µA @ 600 V		20 a				单相	600 v
RM5N700LD	0.4700	RFQ	4418	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM5N700LDTR		8541.10.0080	25,000			n通道	700 v	5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.5A，10V	3.5V @ 250µA		±30V	460 pf @ 50 V	-	49W（TC）
RC205	0.4400	RFQ	1563年	美国直发	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4圆，RC-2		标准		RC-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RC205	Ear99	8541.10.0080	6,000															1.05 V @ 2 A		200 NA @ 600 V		2 a				单相	600 v
RM6N800IP	0.7000	RFQ	8536	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK		MOSFET （金属 o化物）		TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM6N800IP		8541.10.0080	4,000			n通道	800 v	6A（TC）	10V	900MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA		±30V	1290 pf @ 50 V	-	98W（TC）
2N7002KD1	0.0300	RFQ	1143	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	2N7002	MOSFET （金属 o化物）		DFN1006-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-2N7002KD1TR		8541.10.0080	30,000			n通道	60 V	350mA（ta）	5V，10V	2.8ohm @ 200mA，10v	1.9V @ 250µA		±20V	50 pf @ 25 V	-	350MW（TA）
MSB206S	0.3600	RFQ	6943	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，平坦的铅		标准		MSB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-MSB206STR	Ear99	8541.10.0080	24,000															1.1 V @ 2 A		1 µA @ 800 V		2 a				单相	800 v
BZT52B5V1	0.0700	RFQ	3	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-	表面安装	SC-76，SOD-323			500兆	SOD-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2516-BZT52B5V1STR	Ear99	8541.10.0080	3,000															900 mv @ 10 ma		2 µA @ 2 V									5.1 v	60欧姆
HFM103W-W	0.0360	RFQ	1465	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		标准		smx	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-HFM103W-WTR	Ear99	8541.10.0080	7,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												200 v	1 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 200 V	150°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
RM3401	0.0440	RFQ	3553	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM3401TR		8541.10.0080	30,000			P通道	30 V	4.2A（ta）	2.5V，10V	55MOHM @ 4.2A，10V	1.3V @ 250µA		±12V	880 pf @ 15 V	-	1.2W（TA）
RM3134	0.0600	RFQ	2255	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RM313	MOSFET （金属 o化物）	150MW	SOT-363-6L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM3134Tr		8541.10.0080	30,000	2 n 通道（双）			20V	750mA（TA）		380MOHM @ 650mA，4.5V	1.1V @ 250µA	0.75nc @ 4.5V		120pf @ 16V	-
sa3l	0.0300	RFQ	400	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-123F		标准		SOD-123FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2516-SA3LTR	Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												200 v	1 V @ 1 A		1 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	1a	8pf @ 4V，1MHz
RM24N200TI	0.4400	RFQ	3535	美国直发	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM24N200TI		8541.10.0080	5,000			n通道	220 v	24A（24A）	10V	80Mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	4200 PF @ 25 V	-	45W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（885）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²