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离散半导体产品（（885）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
DTC123JCA	0.0410	RFQ	1173	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTC123		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-DTC123JCATR	Ear99	8541.10.0080	30,000																			50 V	100 ma			500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	46.2科姆斯
R2000F-T	0.0550	RFQ	9459	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-r2000f-ttr	Ear99	8541.10.0080	5,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度												4 V @ 200 ma	500 ns	5 µA @ 2000 V	-65°C〜175°C	200mA	-
RM40P07	0.1450	RFQ	3800	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM40P07TR		8541.10.0080	40,000		P通道	40 V	6.2a（ta）	4.5V，10V	25mohm @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	±20V	1750 pf @ 20 V	-	2.5W（TA）
RC202	0.4400	RFQ	3273	美国直发	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4圆，RC-2		标准		RC-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RC202	Ear99	8541.10.0080	6,000													1.05 V @ 2 A		200 na @ 100 V		2 a				单相	100 v
RS401L	0.7800	RFQ	7278	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RS-4L		标准		RS-4L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RS401L	Ear99	8541.10.0080	1,500													1.05 V @ 4 A		2 µA @ 50 V		4 a				单相	50 V
1002m卢比	0.9800	RFQ	3087	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，卢比10m		标准		10m卢比	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RS1002M	Ear99	8541.10.0080	1,800													1.1 V @ 5 A		5 µA @ 100 V		10 a				单相	100 v
HDB108L	0.3300	RFQ	2142	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准		DBL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-HDB108LSTR	Ear99	8541.10.0080	8,000													1.7 V @ 1 A		50 µA @ 1000 V		1 a				单相	1 kV
DB101S	0.3200	RFQ	5467	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准		DB-S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-DB101STR	Ear99	8541.10.0080	8,000													1 V @ 1 A		1 µA @ 50 V		1 a				单相	50 V
MB10F	0.3000	RFQ	7192	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准		MB-F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-MB10FTR	Ear99	8541.10.0080	40,000													1.1 V @ 800 mA		1 µA @ 1000 V		800 MA				单相	1 kV
2kmd60s	0.3800	RFQ	1527年	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		肖特基		MD-S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-2KMD60STR	Ear99	8541.10.0080	24,000													600 mv @ 2 a		200 µA @ 60 V		2 a				单相	60 V
sa3l	0.0300	RFQ	400	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOD-123F		标准		SOD-123FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2516-SA3LTR	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）											200 v	1 V @ 1 A		1 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	1a	8pf @ 4V，1MHz
RS207L	0.4800	RFQ	4995	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RS-2L		标准		RS-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RS207L	Ear99	8541.10.0080	3,600													1.1 V @ 2 A		2 µA @ 1000 V		2 a				单相	1 kV
1005m卢比	0.9800	RFQ	9997	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，卢比10m		标准		10m卢比	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RS1005M	Ear99	8541.10.0080	1,800													1.1 V @ 5 A		5 µA @ 600 V		10 a				单相	600 v
MP2510W	1.8500	RFQ	2291	美国直发	-	托盘	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，MP-25W		标准		MP-25W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-MP2510W	Ear99	8541.10.0080	1,000													1.1 V @ 12.5 A		5 µA @ 1000 V		25 a				单相	1 kV
DB207	0.3900	RFQ	1618年	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-Edip（0.321英寸，8.15mm）		标准		DB-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-DB207	Ear99	8541.10.0080	15,000													1.1 V @ 2 A		5 µA @ 1000 V		2 a				单相	1 kV
R2500F	0.1800	RFQ	8637	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		通过洞	do-204ac，do-15，轴向		标准		do-15	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-R2500FTR	Ear99	8541.10.0080	20,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度											2500 v	4 V @ 200 ma	500 ns	5 µA @ 2500 V	-55°C〜150°C	200mA	30pf @ 4V，1MHz
RM100N30DF	0.3600	RFQ	1653	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM100N30DFTR		8541.10.0080	40,000		n通道	30 V	100A（TC）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	±20V	5000 pf @ 15 V	-	65W（TC）
1N4004-F	0.0300	RFQ	7006	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-1N4004-FTR	Ear99	8541.10.0080	3,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												1 V @ 1 A		200 na @ 1000 V	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
RS1005ML	0.7800	RFQ	1593年	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RS-10毫升		标准		RS-10毫升	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RS1005ML	Ear99	8541.10.0080	2,000													1.1 V @ 5 A		200 NA @ 600 V		10 a				单相	600 v
DB1012S	0.3200	RFQ	3629	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准		DB-S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-DB1012STR	Ear99	8541.10.0080	8,000													1.1 V @ 1 A		5 µA @ 1200 V		1 a				单相	1.2 kV
MP2505	1.8500	RFQ	6375	美国直发	-	托盘	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	4平方英尺，MP-25		标准		MP-25	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-MP2505	Ear99	8541.10.0080	400													1.05 V @ 12.5 A		500 NA @ 50 V		25 a				单相	50 V
EMD2S	0.3300	RFQ	5028	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准		MD-S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-EMD2STR	Ear99	8541.10.0080	24,000													1.05 V @ 500 mA		10 µA @ 100 V		1 a				单相	100 v
RM11N800T2	1.4400	RFQ	7116	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM11N800T2		8541.10.0080	5,000		n通道	800 v	11A（TC）	10V	420MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	±30V	2600 PF @ 50 V	-	188W（TC）
DB201L	0.3900	RFQ	4385	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准		DBL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-DB201LSTR	Ear99	8541.10.0080	8,000													1.1 V @ 2 A		5 µA @ 50 V		2 a				单相	50 V
RM8N650LD	0.5200	RFQ	4458	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM8N650LDTR		8541.10.0080	25,000		n通道	650 v	8A（TC）	10V	540MOHM @ 4A，10V	3.5V @ 250µA	±30V	680 pf @ 50 V	-	80W（TC）
RS204L	0.4800	RFQ	7292	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RS-2L		标准		RS-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RS204L	Ear99	8541.10.0080	3,600													1.1 V @ 2 A		2 µA @ 400 V		2 a				单相	400 v
RBU807M	0.7900	RFQ	9077	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，rbu		标准		RBU	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-rbu807m	Ear99	8541.10.0080	2,000													1 V @ 8 A		500 NA @ 1000 V		8 a				单相	1 kV
DB206	0.3900	RFQ	1044	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-Edip（0.321英寸，8.15mm）		标准		DB-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-DB206	Ear99	8541.10.0080	15,000													1.1 V @ 2 A		5 µA @ 800 V		2 a				单相	800 v
RM30N250DF	1.2100	RFQ	4091	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM30N250DFTR		8541.10.0080	40,000		n通道	250 v	29A（TC）	10V	64mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	±20V	1584 PF @ 100 V	-	150W（TC）
RM2304	0.0450	RFQ	4923	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM2304Tr		8541.10.0080	30,000		n通道	30 V	3.6a（ta）	4.5V，10V	58mohm @ 3.6A，10V	2.2V @ 250µA	±20V	230 pf @ 15 V	-	1.7W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（885）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²