RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（885）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f
1F15	0.0550	RFQ	8103	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		通过洞	R-1，轴向		标准		R-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-1F15TR	Ear99	8541.10.0080	20,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1500 v	1.8 V @ 500 mA	300 ns	5 µA @ 1500 V	-55°C〜150°C	500mA	15pf @ 4V，1MHz
FFM1400W	0.0420	RFQ	3157	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	do-214ac，SMA		标准		smx	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-FFM1400WTR	Ear99	8541.10.0080	60,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1400 v	1.8 V @ 500 mA	300 ns	5 µA @ 1400 V	-55°C〜150°C	500mA	15pf @ 4V，1MHz
RM5N800TI	0.6700	RFQ	6037	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM5N800TI		8541.10.0080	5,000			n通道	800 v	5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA		±30V	1320 PF @ 50 V	-	32.4W（TC）
RMD0A8P20ES9	0.0600	RFQ	7140	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RMD0A8	MOSFET （金属 o化物）	800MW（TA）	SOT-363-6L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RMD0A8P20ES9TR		8541.10.0080	30,000	2（p 通道（双）			20V	800mA（ta）		1.2OHM @ 500mA，4.5V	1V @ 250µA	0.0018C @ 4.5V		87pf @ 10V	-
RM120N40T2	0.5100	RFQ	6176	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM120N40T2		8541.10.0080	5,000			n通道	40 V	120A（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	5400 PF @ 20 V	-	130W（TC）
RM10N30D2	0.0720	RFQ	9869	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫		MOSFET （金属 o化物）		6-PQFN （2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM10N30D2TR		8541.10.0080	25,000			n通道	30 V	10a（10a）	4.5V，10V	12mohm @ 11a，10v	2V @ 250µA		±20V	1415 pf @ 15 V	-	730MW（TA）
RM150N100T2	0.8400	RFQ	2825	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM150N100T2		8541.10.0080	5,000			n通道	100 v	150a（TC）	10V	4.2MOHM @ 70A，10V	4V @ 250µA		+20V，-12V	6680 pf @ 50 V	-	275W（TC）
RM24N200TI	0.4400	RFQ	3535	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM24N200TI		8541.10.0080	5,000			n通道	220 v	24A（24A）	10V	80Mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	4200 PF @ 25 V	-	45W（TA）
RM25P30S8	0.3500	RFQ	8986	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM25P30S8TR		8541.10.0080	40,000			P通道	30 V	25A（TA）	4.5V，10V	9mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	3960 pf @ 15 V	-	3.5W（TA）
RM2305	0.0490	RFQ	2178	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM2305Tr		8541.10.0080	30,000			P通道	20 v	3A（3A），4.1A（4.1A）（TC）	2.5V，4.5V	52MOHM @ 4.1A，4.5V	1V @ 250µA		±12V	740 pf @ 4 V	-	1.7W（TA）
RM130N200HD	3.8400	RFQ	4700	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM130N200HDTR		8541.10.0080	8,000			n通道	200 v	132a（TC）	10V	10.7MOHM @ 20A，10V	4V @ 250µA		±20V	4970 pf @ 100 V	-	429W（TC）
RM3075S8（n）	0.1700	RFQ	1414	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RM3075	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM3075S8（n）tr		8541.10.0080	40,000	n和p通道			30V	6.8A（ta），4.6a ta（4.6a）		27mohm @ 6.8a，10v	2.3V @ 10µA	14NC @ 10V，16NC @ 10V		383pf @ 15V	-
RM42P30DN	0.1550	RFQ	4027	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN-EP（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM42P30DNTR		8541.10.0080	25,000			P通道	30 V	42A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	2215 PF @ 15 V	-	37W（TC）
RM3134	0.0600	RFQ	2255	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RM313	MOSFET （金属 o化物）	150MW	SOT-363-6L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM3134Tr		8541.10.0080	30,000	2 n 通道（双）			20V	750mA（TA）		380MOHM @ 650mA，4.5V	1.1V @ 250µA	0.75nc @ 4.5V		120pf @ 16V	-
2N7002DS6	0.0480	RFQ	9024	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	2N7002	MOSFET （金属 o化物）	350MW（TA）	SOT-363-6L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-2N7002DS6TR		8541.10.0080	30,000	2 n 通道（双）			60V	250mA（ta）		5ohm @ 500mA，10v	1.9V @ 250µA	-		-	-
RM002N30DF	0.3200	RFQ	9560	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM002N30DFTR		8541.10.0080	40,000			n通道	30 V	85A（TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	4345 pf @ 15 V	-	187W（TC）
RM2P60S2	0.0390	RFQ	2132	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM2P60S2TR		8541.10.0080	30,000			P通道	60 V	1.9a（ta）	4.5V，10V	215MOHM @ 1.8A，10V	3V @ 250µA		±20V	358 pf @ 30 V	-	1.4W（TA）
RM60P60HD	0.5400	RFQ	1158	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM60P60HDTR		8541.10.0080	8,000			P通道	60 V	61a（ta）	6V，10V	22mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA		±20V	3200 PF @ 25 V	-	171W（TA）
RM21N650T7	1.6000	RFQ	1597年	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM21N650T7		8541.10.0080	1,800			n通道	650 v	21a（TC）	10V	180mohm @ 10.5a，10v	3.5V @ 250µA		±30V	1950 pf @ 50 V	-	200W（TC）
RM2309	0.0360	RFQ	2872	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM2309Tr		8541.10.0080	30,000			P通道	30 V	3.1a（ta）	4.5V，10V	70MOHM @ 3A，10V	3V @ 250µA		±20V	226 pf @ 15 V	-	1W（ta）
RM140N150T2	1.5100	RFQ	2150	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM140N150T2		8541.10.0080	5,000			n通道	150 v	140a（TC）	10V	6.2MOHM @ 70A，10V	4V @ 250µA		±20V	5900 PF @ 75 V	-	320W（TC）
RM2020ES9	0.0550	RFQ	9570	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RM2020	MOSFET （金属 o化物）	（150MW）（800MW）（800MW）	SOT-363-6L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM2020ES9TR		8541.10.0080	30,000	n和p通道			20V	750mA（ta），800mA（ta）		1.2OHM @ 500mA，4.5V，380MOHM @ 650mA，4.5V	1V @ 250µA，1.1V @ 250µA	0.0018NC @ 10V，0.75NC @ 4.5V		87pf @ 10v，120pf @ 16V	-
RM2309E	0.0540	RFQ	4943	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM2309ETR		8541.10.0080	30,000			P通道	30 V	-	4.5V，10V	38mohm @ 1A，10V	2.5V @ 250µA		±20V		-	-
RM30P55LD	0.3300	RFQ	9543	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM30P55LDTR		8541.10.0080	25,000			P通道	55 v	30A（TC）	10V	40mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA		±20V	3500 PF @ 30 V	-	65W（TC）
RM3N700S4	0.2900	RFQ	2302	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM3N700S4TR		8541.10.0080	30,000			n通道	700 v	3A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA		±20V	225 pf @ 100 V	-	6.2W（TC）
RM80N30DN	0.2900	RFQ	6630	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-ppak（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM80N30DNTR		8541.10.0080	25,000			n通道	30 V	80A（TC）	4.5V，10V	3.8mohm @ 24a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	3190 pf @ 25 V	-	66W（TC）
RM150N40DF	0.5600	RFQ	3261	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM150N40DFTR		8541.10.0080	40,000			n通道	40 V	150a（TC）	4.5V，10V	1.8MOHM @ 75A，10V	2.2V @ 250µA		±20V	7150 pf @ 20 V	-	88W（TC）
RM4N650IP	0.3300	RFQ	6734	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK		MOSFET （金属 o化物）		TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM4N650IP		8541.10.0080	4,000			n通道	650 v	4A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.5A，10V	3.5V @ 250µA		±30V	280 pf @ 50 V	-	46W（TC）
RM21N700T2	1.3300	RFQ	4395	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM21N700T2		8541.10.0080	5,000			n通道	700 v	21a（TC）	10V	190mohm @ 10.5a，10v	3.5V @ 250µA		±30V	1950 pf @ 50 V	-	200W（TC）
RM20N150LD	0.2600	RFQ	1142	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM20N150LDTR		8541.10.0080	25,000			n通道	150 v	20A（TA）	10V	65mohm @ 10a，10v	4.5V @ 250µA		±20V	600 pf @ 75 V	-	68W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（885）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²