RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（885）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
MP251	1.5000	RFQ	8970	美国直发	-	盒子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	4平方英尺，MP-25		标准		MP-25	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-MP251	Ear99	8541.10.0080	50															1.05 V @ 12.5 A		500 NA @ 100 V		25 a				单相	100 v
CMBT2907A-T	0.0240	RFQ	2763	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-CMBT2907A-TTR	Ear99	8541.10.0080	3,000																					60 V	600 MA			50NA	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 10mA，10v	200MHz
1N4007G-T	0.0280	RFQ	7179	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-1N4007G-TTR	Ear99	8541.10.0080	5,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												1000 v	1 V @ 1 A		200 na @ 1000 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
Her305-T	0.1100	RFQ	5847	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		通过洞	DO-201 AD，轴向		标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-HER305-TTR	Ear99	8541.10.0080	1200		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												400 v	1.3 V @ 3 A	50 ns	5 µA @ 400 V	150°C	3a	70pf @ 4V，1MHz
BR86	0.6500	RFQ	3682	美国直发	-	盒子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	4平方英尺，BR-8		标准		BR-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-BR86	Ear99	8541.10.0080	200															1.1 V @ 4 A		5 µA @ 600 V		8 a				单相	600 v
FR605-T	0.1950	RFQ	5673	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		通过洞	R-6，轴向		标准		R-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-FR605-TTR	Ear99	8541.10.0080	800		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												600 v	1.3 V @ 6 A	250 ns	10 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	6a	150pf @ 4V，1MHz
FFM1200W	0.0420	RFQ	6148	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	do-214ac，SMA		标准		smx	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-FFM1200WTR	Ear99	8541.10.0080	60,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1200 v	1.8 V @ 500 mA	300 ns	5 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	500mA	15pf @ 4V，1MHz
FM2500W	0.0540	RFQ	15	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	do-214ac，SMA		标准		smx	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-FM2500WTR	Ear99	8541.10.0080	7,500		小信号= <200ma（io（io），任何速度												2500 v	2 V @ 150 MA		5 µA @ 2500 V	-55°C〜150°C	150mA	35pf @ 4V，1MHz
1F15	0.0550	RFQ	8103	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		通过洞	R-1，轴向		标准		R-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-1F15TR	Ear99	8541.10.0080	20,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1500 v	1.8 V @ 500 mA	300 ns	5 µA @ 1500 V	-55°C〜150°C	500mA	15pf @ 4V，1MHz
FFM1400W	0.0420	RFQ	3157	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	do-214ac，SMA		标准		smx	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-FFM1400WTR	Ear99	8541.10.0080	60,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1400 v	1.8 V @ 500 mA	300 ns	5 µA @ 1400 V	-55°C〜150°C	500mA	15pf @ 4V，1MHz
RM25P30S8	0.3500	RFQ	8986	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM25P30S8TR		8541.10.0080	40,000			P通道	30 V	25A（TA）	4.5V，10V	9mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	3960 pf @ 15 V	-	3.5W（TA）
RM2305	0.0490	RFQ	2178	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM2305Tr		8541.10.0080	30,000			P通道	20 v	3A（3A），4.1A（4.1A）（TC）	2.5V，4.5V	52MOHM @ 4.1A，4.5V	1V @ 250µA		±12V	740 pf @ 4 V	-	1.7W（TA）
RM130N200HD	3.8400	RFQ	4700	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM130N200HDTR		8541.10.0080	8,000			n通道	200 v	132a（TC）	10V	10.7MOHM @ 20A，10V	4V @ 250µA		±20V	4970 pf @ 100 V	-	429W（TC）
RM3075S8（n）	0.1700	RFQ	1414	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RM3075	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM3075S8（n）tr		8541.10.0080	40,000	n和p通道			30V	6.8A（ta），4.6a ta（4.6a）		27mohm @ 6.8a，10v	2.3V @ 10µA	14NC @ 10V，16NC @ 10V		383pf @ 15V	-
RM42P30DN	0.1550	RFQ	4027	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN-EP（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM42P30DNTR		8541.10.0080	25,000			P通道	30 V	42A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	2215 PF @ 15 V	-	37W（TC）
RM3134	0.0600	RFQ	2255	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RM313	MOSFET （金属 o化物）	150MW	SOT-363-6L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM3134Tr		8541.10.0080	30,000	2 n 通道（双）			20V	750mA（TA）		380MOHM @ 650mA，4.5V	1.1V @ 250µA	0.75nc @ 4.5V		120pf @ 16V	-
2N7002DS6	0.0480	RFQ	9024	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	2N7002	MOSFET （金属 o化物）	350MW（TA）	SOT-363-6L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-2N7002DS6TR		8541.10.0080	30,000	2 n 通道（双）			60V	250mA（ta）		5ohm @ 500mA，10v	1.9V @ 250µA	-		-	-
RM60P60HD	0.5400	RFQ	1158	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM60P60HDTR		8541.10.0080	8,000			P通道	60 V	61a（ta）	6V，10V	22mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA		±20V	3200 PF @ 25 V	-	171W（TA）
RM21N650T7	1.6000	RFQ	1597年	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM21N650T7		8541.10.0080	1,800			n通道	650 v	21a（TC）	10V	180mohm @ 10.5a，10v	3.5V @ 250µA		±30V	1950 pf @ 50 V	-	200W（TC）
RM2309	0.0360	RFQ	2872	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM2309Tr		8541.10.0080	30,000			P通道	30 V	3.1a（ta）	4.5V，10V	70MOHM @ 3A，10V	3V @ 250µA		±20V	226 pf @ 15 V	-	1W（ta）
RM140N150T2	1.5100	RFQ	2150	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM140N150T2		8541.10.0080	5,000			n通道	150 v	140a（TC）	10V	6.2MOHM @ 70A，10V	4V @ 250µA		±20V	5900 PF @ 75 V	-	320W（TC）
RM2020ES9	0.0550	RFQ	9570	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RM2020	MOSFET （金属 o化物）	（150MW）（800MW）（800MW）	SOT-363-6L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM2020ES9TR		8541.10.0080	30,000	n和p通道			20V	750mA（ta），800mA（ta）		1.2OHM @ 500mA，4.5V，380MOHM @ 650mA，4.5V	1V @ 250µA，1.1V @ 250µA	0.0018NC @ 10V，0.75NC @ 4.5V		87pf @ 10v，120pf @ 16V	-
RM2309E	0.0540	RFQ	4943	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM2309ETR		8541.10.0080	30,000			P通道	30 V	-	4.5V，10V	38mohm @ 1A，10V	2.5V @ 250µA		±20V		-	-
RM30P55LD	0.3300	RFQ	9543	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM30P55LDTR		8541.10.0080	25,000			P通道	55 v	30A（TC）	10V	40mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA		±20V	3500 PF @ 30 V	-	65W（TC）
RM80N30DN	0.2900	RFQ	6630	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-ppak（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM80N30DNTR		8541.10.0080	25,000			n通道	30 V	80A（TC）	4.5V，10V	3.8mohm @ 24a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	3190 pf @ 25 V	-	66W（TC）
RM150N40DF	0.5600	RFQ	3261	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM150N40DFTR		8541.10.0080	40,000			n通道	40 V	150a（TC）	4.5V，10V	1.8MOHM @ 75A，10V	2.2V @ 250µA		±20V	7150 pf @ 20 V	-	88W（TC）
RM4N650IP	0.3300	RFQ	6734	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK		MOSFET （金属 o化物）		TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM4N650IP		8541.10.0080	4,000			n通道	650 v	4A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.5A，10V	3.5V @ 250µA		±30V	280 pf @ 50 V	-	46W（TC）
RM21N700T2	1.3300	RFQ	4395	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM21N700T2		8541.10.0080	5,000			n通道	700 v	21a（TC）	10V	190mohm @ 10.5a，10v	3.5V @ 250µA		±30V	1950 pf @ 50 V	-	200W（TC）
RM20N150LD	0.2600	RFQ	1142	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM20N150LDTR		8541.10.0080	25,000			n通道	150 v	20A（TA）	10V	65mohm @ 10a，10v	4.5V @ 250µA		±20V	600 pf @ 75 V	-	68W（TA）
RM80N20DN	0.2600	RFQ	3119	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-ppak（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM80N20DNTR		8541.10.0080	25,000			n通道	20 v	80A（TC）	1.8V，4.5V	3.5MOHM @ 15a，4.5V	1V @ 250µA		±12V	5500 pf @ 10 V	-	66W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（885）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²