RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（885）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
RM45N600T7	2.9000	RFQ	7621	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM45N600T7		8541.10.0080	1,800			n通道	600 v	44.5A（TJ）	10V	90MOHM @ 15.6A，10V	4V @ 250µA		±30V	2808 PF @ 100 V	-	431W
RM120N30T2	0.3300	RFQ	1989	美国直发	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM120N30T2		8541.10.0080	5,000			n通道	30 V	120a（ta）	10V	3.5mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA		±20V	3550 pf @ 25 V	-	120W（ta）
DB157S-T	0.1500	RFQ	9926	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准		DB-S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-DB157S-TTR	Ear99	8541.10.0080	1,000															1 V @ 1.5 A		1 µA @ 1000 V		1.5 a		单相	1 kV
RM052N100DF	0.6500	RFQ	7185	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM052N100DFTR		8541.10.0080	40,000			n通道	100 v	70A（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA		+20V，-12V	9100 PF @ 25 V	-	142W（TC）
RM185N30DF	0.7300	RFQ	8931	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM185N30DFTR		8541.10.0080	40,000			n通道	30 V	185a（TC）	4.5V，10V	1.4MOHM @ 95A，10V	2V @ 250µA		±20V	8800 pf @ 15 V	-	95W（TC）
R3000	0.1100	RFQ	2507	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向		标准		do-15	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-R3000Tr	Ear99	8541.10.0080	4,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												3000 v	4 V @ 200 ma		5 µA @ 3000 V	-55°C〜150°C	200mA	30pf @ 4V，1MHz
FM1600W	0.0420	RFQ	6113	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		标准		smx	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-FM1600WTR	Ear99	8541.10.0080	60,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												1600 v	2 V @ 500 MA		5 µA @ 1600 V	-55°C〜150°C	500mA	35pf @ 4V，1MHz
RM100N65DF	0.6500	RFQ	6339	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM100N65DFTR		8541.10.0080	40,000			n通道	65 v	100A（TC）	4.5V，10V	2.8mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA		+20V，-12V	9500 PF @ 25 V	-	142W（TC）
6a6-t	0.5000	RFQ	1313	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	R-6，轴向		标准		R-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-6A6-TTR	Ear99	8541.10.0080	800		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1000 v	1 V @ 6 A		300 NA @ 1000 V	-55°C〜150°C	6a	150pf @ 4V，1MHz
HFM105W-W	0.0280	RFQ	3082	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		标准		smx	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-HFM105W-WTR	Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1.3 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 400 V	150°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
FFM1000W	0.0420	RFQ	2279	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		标准		smx	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-FFM1000WTR	Ear99	8541.10.0080	60,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1000 v	1.8 V @ 500 mA	300 ns	5 µA @ 1000 V	-55°C〜150°C	500mA	15pf @ 4V，1MHz
R1500	0.0310	RFQ	1136	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-R1500Tr	Ear99	8541.10.0080	20,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												1500 v	1.1 V @ 1 A		5 µA @ 1500 V	-65°C〜175°C	1a	-
4RS202M	0.5200	RFQ	7703	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RS-2M		标准		RS-2M	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-4RS202M	Ear99	8541.10.0080	3,600															1.1 V @ 4 A		2 µA @ 100 V		4 a		单相	100 v
FR106-T	0.0250	RFQ	1153	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-FR106-TTR	Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												800 v	1.3 V @ 1 A	500 ns	5 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
FFM1500W	0.0420	RFQ	5569	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		标准		smx	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-FFM1500WTR	Ear99	8541.10.0080	60,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1500 v	1.8 V @ 500 mA	300 ns	5 µA @ 1500 V	-55°C〜150°C	500mA	15pf @ 4V，1MHz
R2000-T	0.0480	RFQ	8935	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-R2000-TTR	Ear99	8541.10.0080	5,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													1.3 V @ 1 A		5 µA @ 2000 V	-65°C〜175°C	1a	-
RM25N30DN	0.1400	RFQ	8606	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN-EP（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM25N30DNTR		8541.10.0080	25,000			n通道	30 V	25A（TC）	4.5V，10V	10mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA		±20V	1530 pf @ 15 V	-	25W（TC）
RM2003	0.0620	RFQ	9948	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	RM200	MOSFET （金属 o化物）	800MW（TA）	SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM2003Tr		8541.10.0080	30,000	n和p通道			20V	3A（3A）		35mohm @ 3A，4.5V，75MOHM @ 2.5A，4.5V	1.2V @ 250µA，1V @ 250µA	5NC @ 4.5V，3.2NC @ 4.5V		260pf @ 10V，325pf @ 10V	-
RM2301E	0.0410	RFQ	1997	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM2301ETR		8541.10.0080	30,000			P通道	20 v	2.6a（ta）	2.5V，4.5V	120MOHM @ 2A，4.5V	1V @ 250µA		±10V	325 pf @ 10 V	-	1W（ta）
2N7002KA	0.0420	RFQ	3372	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2N7002	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-2N7002KATR		8541.10.0080	30,000			n通道	60 V	115ma（ta）	5V，10V	3ohm @ 500mA，10v	2V @ 250µA		±20V	50 pf @ 25 V	-	225MW（TA）
1S40-T	0.0550	RFQ	9988	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	R-1，轴向		肖特基		R-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-1S40-TTR	Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													550 mv @ 1 a		200 µA @ 40 V	150°C	1a	110pf @ 4V，1MHz
RM5N800LD	0.6900	RFQ	2148	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM5N800LDTR		8541.10.0080	25,000			n通道	800 v	5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.5A，10V	3.5V @ 250µA		±30V	680 pf @ 50 V	-	81W（TC）
R1800F	0.0520	RFQ	7205	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-R1800FTR	Ear99	8541.10.0080	20,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1800 v	2.5 V @ 500 mA	500 ns	5 µA @ 1800 V	-65°C〜175°C	500mA	-
R4000G	0.0880	RFQ	2646	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-R4000GTR	Ear99	8541.10.0080	20,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												4000 v	4 V @ 200 ma		5 µA @ 4000 V	-65°C〜175°C	200mA	30pf @ 4V，1MHz
2N7002K	0.0330	RFQ	9136	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2N7002	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-2N7002KTR		8541.10.0080	30,000			n通道	60 V	300mA（TA）	5V，10V	2ohm @ 500mA，10v	1.9V @ 250µA		±20V	50 pf @ 25 V	-	350MW（TA）
RM5N800IP	0.6900	RFQ	4172	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK		MOSFET （金属 o化物）		TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM5N800IP		8541.10.0080	4,000			n通道	800 v	5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.5A，10V	3.5V @ 250µA		±30V	680 pf @ 50 V	-	81W（TC）
1f10	0.0550	RFQ	7256	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	R-1，轴向		标准		R-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-1f10tr	Ear99	8541.10.0080	20,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1000 v	1.8 V @ 500 mA	300 ns	5 µA @ 1000 V	-55°C〜150°C	500mA	15pf @ 4V，1MHz
BZT52B5V1	0.0700	RFQ	3	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-	表面安装	SC-76，SOD-323			500兆	SOD-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2516-BZT52B5V1STR	Ear99	8541.10.0080	3,000															900 mv @ 10 ma		2 µA @ 2 V						5.1 v	60欧姆
DB107S-TZ	0.1500	RFQ	6038	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准		DB-S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-DB107S-T-ZTR	Ear99	8541.10.0080	1,000															1 V @ 1 A		1 µA @ 1000 V		1 a		单相	1 kV
FM4002-W	0.0350	RFQ	5512	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		标准		DO-214AC（SMA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-FM4002-WTR	Ear99	8541.10.0080	7,500		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													1 V @ 1 A		500 NA @ 100 V	-55°C 〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（885）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²