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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
2N3393_D26Z	-	RFQ	8552	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N339			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																														25 v	500 MA						100NA（ICBO）			NPN	-	90 @ 2mA，4.5V	-
FDMC510P-F106	-	RFQ	2679	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMC510		MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道			20 v	12a（12A），18A （TC）	1.5V，4.5V	8mohm @ 12a，4.5V	1V @ 250µA	116 NC @ 4.5 V	±8V	7860 pf @ 10 V	-	2.3W（TA），41W（（（（TC）
FQP4N90	-	RFQ	8893	Onmi	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP4		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			900 v	4.2A（TC）	10V	3.3OHM @ 2.1a，10V	5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	140W（TC）
MPS3638AG	-	RFQ	7916	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	MPS363			625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	MPS3638AGOS	Ear99	8541.21.0075	5,000																														25 v	500 MA						35na			PNP	1V @ 30mA，300mA	20 @ 300mA，2V	150MHz
MBR30H80CTG	-	RFQ	5146	Onmi	SwitchMode™	管子	过时的			通过洞	TO-220-3	MBR30H80		肖特基		TO-220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																				1对普通阴极	80 V	15a	780 mv @ 15 A		250 µA @ 80 V	-20°C〜150°C
MJB45H11G	1.4400	RFQ	400	Onmi	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	MJB45			2 w	D²Pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50																														80 V	10 a						10µA			PNP	1V @ 400mA，8a	40 @ 4A，1V	40MHz
5LP01C-TB-H	-	RFQ	6073	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	5LP01		MOSFET （金属 o化物）		SC-59-3/CP3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道			50 V	70mA（ta）	1.5V，4V	23ohm @ 40mA，4V	-	1.4 NC @ 10 V	±10V	7.4 pf @ 10 V	-	250MW（TA）
FDMD84100	3.0800	RFQ	2	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMD84		MOSFET （金属 o化物）	2.1W	电源3.3x5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）公共来源					100V	7a		20mohm @ 7a，10v	4V @ 250µA	16NC @ 10V		980pf @ 50V	-
FDD8870-F085	-	RFQ	3431	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD887		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			30 V	21a（21a）	4.5V，10V	3.9mohm @ 35a，10v	2.5V @ 250µA	118 NC @ 10 V	±20V	5160 pf @ 15 V	-	160W（TC）
2N4124TA	-	RFQ	3414	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N4124			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																														25 v	200 ma						50NA（iCBO）			NPN	300mv @ 5mA，50mA	120 @ 2mA，1V	300MHz
BC32725TA	0.3800	RFQ	6	Onmi	-	（CT）	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC32725			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																														45 v	800 MA						100NA			PNP	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	100MHz
FDH038AN08A1	11.1400	RFQ	7363	Onmi	PowerTrench®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FDH038		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450			n通道			75 v	22a（22A），80a tc（TC）	6V，10V	3.8mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	8665 PF @ 25 V	-	450W（TC）
FDS9412A	-	RFQ	9321	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS94		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			30 V	8a（8a）	4.5V，10V	21mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	985 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
FDV302P_D87Z	-	RFQ	4526	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FDV30		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000			P通道			25 v	120mA（ta）	2.7V，4.5V	10ohm @ 200ma，4.5V	1.5V @ 250µA	0.31 NC @ 4.5 V	-8V	11 pf @ 10 V	-	350MW（TA）
mpsw45azl1g	-	RFQ	4041	Onmi	-	（CT）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPSW45			1 w	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000																														50 V	1 a						100NA（ICBO）			npn-达灵顿	1.5V @ 2mA，1a	25000 @ 200mA，5V	100MHz
FDP61N20	2.8600	RFQ	800	Onmi	Unifet™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP61		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2156-FDP61N20-OS	Ear99	8541.29.0095	50			n通道			200 v	61A（TC）	10V	41MOHM @ 30.5A，10V	5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±30V	3380 pf @ 25 V	-	417W（TC）
2SC4027S-TL-E	0.9400	RFQ	89	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SC4027			1 w	TP-FA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	700																														160 v	1.5 a						1µA（ICBO）			NPN	450mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，5V	120MHz
1N5371B	-	RFQ	4995	Onmi	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	T-18，轴向	1N5371			5 w	轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	1N5371BOS	Ear99	8541.10.0050	1,000																									1.2 V @ 1 A		500 NA @ 45.5 V											60 V	40欧姆
FQP3N60	-	RFQ	6554	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			600 v	3A（TC）	10V	3.6OHM @ 1.5A，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	450 pf @ 25 V	-	75W（TC）
NGTB50N65S1WG	-	RFQ	9700	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NGTB50	标准		300 w	TO-247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					400V，50a，10ohm，15V																					70 ns			沟	650 v	140 a	140 a	2.45V @ 15V，50a	1.25mj（在）上，530µJ off）	128 NC	75NS/128NS
MAC4DHM-1G	0.3500	RFQ	359	Onmi	-	大部分	积极的		-40°C〜110°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63					TO-252，（-d-pak）	下载					Ear99	8541.30.0080	1	单身的			15 ma												逻辑 -敏感门	600 v	4 a	1.3 v	40a @ 60Hz	5 ma
MPSA18RLRP	-	RFQ	6224	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPSA18			625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																														45 v	200 ma						50NA（iCBO）			NPN	300mv @ 5mA，50mA	500 @ 10mA，5v	160MHz
NTD4N60T4	0.6700	RFQ	7	Onmi	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达受影响	2156-NTD4N60T4-488	Ear99	8541.29.0095	1
BC238BBU	-	RFQ	6787	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC238			500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																														25 v	100 ma						15NA			NPN	600mv @ 5mA，100mA	180 @ 2mA，5v	250MHz
TIP41B	-	RFQ	7224	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	提示41			2 w	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200																														80 V	6 a						700µA			NPN	1.5V @ 600mA，6a	15 @ 3a，4V	3MHz
FDG327N	-	RFQ	2056	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	FDG327		MOSFET （金属 o化物）		SC-88 （SC-70-6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道			20 v	1.5A（TA）	1.8V，4.5V	90MOHM @ 1.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	6.3 NC @ 4.5 V	±8V	423 pf @ 10 V	-	420MW（TA）
NZT605	0.6000	RFQ	2589	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	NZT60			1 w	SOT-223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	4,000																														110 v	1.5 a						10NA（ICBO）			npn-达灵顿	1.5V @ 1mA，1a	2000 @ 1A，5V	150MHz
NVMFS6B05NWFT3G	-	RFQ	2873	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS6		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道			100 v	114a（TC）	10V	8mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±16V	3100 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），165W（tc）
SBC857CLT1G	0.3400	RFQ	26	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SBC857			300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																														45 v	100 ma						15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
NZT749	-	RFQ	1479年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	NZT749			1.2 w	SOT-223-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																														25 v	4 a						100NA（ICBO）			PNP	300mv @ 100mA，1a	80 @ 1A，2V	75MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²