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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻 @ if，f
NGTB40N60L2WG	6.0800	RFQ	25	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NGTB40	标准		417 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，40a，10ohm，15V												73 ns				沟渠场停止	600 v	80 a	160 a	2.61V @ 15V，40a	1.17MJ（在）上，280µJ off）	228 NC	98NS/213NS
DFB2520	1.6192	RFQ	5894	Onmi	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，TS-6P	DFB25		标准		TS-6P	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1200														1.1 V @ 25 A		10 µA @ 200 V	25 a										单相	200 v
1N5998B_T50R	-	RFQ	5008	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5998			500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000														1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 6.5 V													8.2 v	7欧姆
NSVMMBD354LT1G	0.6400	RFQ	1	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBD354				SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000													300兆					1pf @ 0v，1MHz									肖特基 -1对普通阴极	7V			-
FGI3040G2-F085C	2.9100	RFQ	1	Onmi	汽车，AEC-Q101，Ecospark®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		逻辑		150 w	i2pak（（TO-262）	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-FGI3040G2-F085C	Ear99	8541.29.0095	50			300V，6.5a，1KOHM，5V																-	400 v	41 a		1.25V @ 4V，6A	-	21 NC	- /4.8µs
NTMFS4841NT1G	-	RFQ	1312	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		30 V	8.3a（ta），57A（tc）	4.5V，10V	7mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1436 pf @ 12 V	-	870MW（TA），41.7W（tc）
SMBZ1514LT3	0.0200	RFQ	70	Onmi	*	大部分	积极的										-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000
1SMA5923BT3	-	RFQ	1863年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	1SMA5923			1.5 w	SMA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000														1.5 V @ 200 ma		2.5 µA @ 6.5 V													8.2 v	3.5欧姆
SZMMBZ5243BLT1G	0.1800	RFQ	6	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SZMMBZ5243			225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000														900 mv @ 10 ma		500 NA @ 9.9 V													13 V	13欧姆
SZ1SMB5939BT3G	0.6900	RFQ	1	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SZ1SMB5939			3 W	SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500														1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 29.7 V													39 v	45欧姆
SZMMBZ5250ELT1G	-	RFQ	1201	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SZMMBZ5250			225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000														900 mv @ 10 ma		100 na @ 15 V													20 v	25欧姆
FDS2672	1.9700	RFQ	7723	Onmi	Ultrafet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS26		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		200 v	3.9a（ta）	6V，10V	70mohm @ 3.9a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	2535 PF @ 100 V	-	2.5W（TA）
HGTP12N60C3D	-	RFQ	7730	Onmi	-	管子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	HGTP12N60	标准		104 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2832-HGTP12N60C3D	Ear99	8541.29.0095	50			-												40 ns				-	600 v	24 a	96 a	2.2V @ 15V，15a	（380µJ）（在900µJ上）	48 NC	-
30507-001-xtd	0.1900	RFQ	271	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	2（1年）	供应商不确定		3A991	8542.39.0001	1
HUFA753393	-	RFQ	8384	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	HUFA75		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		n通道		55 v	75A（TC）	10V	12mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	130 nc @ 20 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	200W（TC）
NDCTR05120A	3.4450	RFQ	7259	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的					NDCTR05120					-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NDCTR05120ATR			3,000					-
FGHL75T65LQDT	6.6600	RFQ	8493	Onmi	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		469 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-FGHL75T65LQDT	Ear99	8541.29.0095	450			400V，75A，4.7OHM，15V												152 ns				沟渠场停止	650 v	80 a	300 a	1.35V @ 15V，75a	1.88mj（在）上，2.38mj off）	793 NC	48NS/568N
ISL9V3040D3ST-F085C	1.9600	RFQ	2	Onmi	Ecospark®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ISL9V3040	逻辑		150 w	D-pak（TO-252）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			300V，1000OHM，5V												7 µs				-	430 v	21 a		1.6V @ 4V，6A	-	17 NC	- /4µs
FDB110N15A	5.4300	RFQ	2	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB110		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		150 v	92A（TC）	10V	11mohm @ 92a，10v	4V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	4510 PF @ 75 V	-	234W（TC）
FQD4N20LTF	-	RFQ	9653	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD4		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		200 v	3.2A（TC）	5V，10V	1.35OHM @ 1.6A，10V	2V @ 250µA	5.2 NC @ 5 V	±20V	310 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），30W（tc）
FDPF4D5N10C	6.3600	RFQ	948	Onmi	PowerTrench®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FDPF4		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2156-FDPF4D5N10C-488	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		100 v	128a（TC）	10V	4.5MOHM @ 100A，10V	4V @ 310µA	68 NC @ 10 V	±20V	5065 pf @ 50 V	-	2.4W（TA），37.5W（tc）
1N5355BG	0.4900	RFQ	5190	Onmi	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	T-18，轴向	1N5355			5 w	轴向	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000														1.2 V @ 1 A		500 NA @ 13.7 V													18 V	2.5欧姆
FCP170N60	6.9700	RFQ	800	Onmi	SuperFet®II	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FCP170		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	22a（TC）	10V	170mohm @ 11a，10v	3.5V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	2860 PF @ 380 V	-	227W（TC）
NVMJD012N06CLTWG	0.7134	RFQ	4638	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56	NVMJD012		MOSFET （金属 o化物）	3.2W（ta），42W（（（（（（（（（）	8-lfpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVMJD012N06CLTWGTR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）			60V	11.5A（TA），42A （TC）		11.9mohm @ 25a，10v	2.2V @ 30µA	11.5NC @ 10V		792pf @ 25V	-
NZ9F4V3T5G	-	RFQ	7621	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOD-923	NZ9F			250兆	SOD-923	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000														900 mv @ 10 ma		5 µA @ 1 V													4.3 v	100欧姆
NGTB30N120L2WG	8.3800	RFQ	9	Onmi	*	管子	积极的					NGTB30					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30
FDS6900AS-G	-	RFQ	6955	Onmi	PoterTrench®，SyncFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS69		MOSFET （金属 o化物）	900MW（TA）	8-SOIC	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）			30V	6.9a，8.2a		27mohm @ 6.9a，10v	3V @ 250µA，3V @ 1mA	15nc @ 10V		600pf @ 15V	逻辑级别门
CPH6413-TLD-E	-	RFQ	5682	Onmi	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）		6-CPH	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-CPH6413-TLD-E-488			1		n通道		20 v	5A（5A）	2.5V，4V	41MOHM @ 3A，4V	1.3V @ 1mA	7.6 NC @ 4 V	±10V	570 pf @ 10 V	-	1.6W（TA）
NGTB30N65IHL2WG	-	RFQ	5598	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NGTB30	标准		300 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，30a，10ohm，15V												430 ns				沟渠场停止	650 v	60 a	120 a	2.2V @ 15V，30a	（200µJ）	135 NC	- /145ns
NVHL160N120SC1	13.6600	RFQ	3682	Onmi	汽车，AEC-Q101	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NVHL160		sicfet （碳化硅）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NVHL160N120SC1	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1200 v	17a（TC）	20V	224mohm @ 12a，20v	4.3V @ 2.5mA	34 NC @ 20 V	+25V，-15V	665 PF @ 800 V	-	119W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²