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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	（ih）（IH））	测试条件	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	当前 -关闭状态（最大）	scr	噪音图	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
HGTG7N60A4	-	RFQ	2897	Onmi	-	管子	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	HGTG7N60	标准			125 w	TO-247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	150					390V，7a，25ohm，15V																								-	600 v	34 a	56 a	2.7V @ 15V，7a	55µJ（在）上，60µJ（60µJ）	37 NC	11NS/100NS
FQP4N90	-	RFQ	8893	Onmi	QFET®	大部分	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP4			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						900 v	4.2A（TC）	10V	3.3OHM @ 2.1a，10V	5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	140W（TC）
FDN371N	-	RFQ	2746	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FDN371			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道						20 v	2.5a（ta）	2.5V，4.5V	50mohm @ 2.5a，4.5V	1.5V @ 250µA	10.7 NC @ 4.5 V	±12V	815 PF @ 10 V	-	500MW（TA）
2N5323	-	RFQ	8599	Onmi	-	大部分	过时的			-	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N532				10 W	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200																														50 V	2 a							-			PNP	1.2V @ 50mA，500mA	40 @ 500mA，4V	-
BC559B	-	RFQ	3513	Onmi	-	大部分	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC559				500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																														30 V	100 ma							15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	150MHz
FJN3303TA	-	RFQ	7847	Onmi	-	（CT）	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	FJN330				1.1 w	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000																														400 v	1.5 a							10µA（ICBO）			NPN	3V @ 500mA，1.5a	14 @ 500mA，2V	4MHz
NDS355AN-F169	-	RFQ	9715	Onmi	-	托盘	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NDS355			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载		供应商不确定	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1		n通道						30 V	1.7A（TA）	4.5V，10V	85MOHM @ 1.9A，10V	2V @ 250µA	5 nc @ 5 V	±20V	195 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
NTQS6463R2	-	RFQ	9472	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	NTQS64			MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000		P通道						20 v	6.8a（ta）	2.5V，4.5V	20mohm @ 6.8a，4.5V	900mv @ 250µA	50 NC @ 5 V	±12V		-	930MW（TA）
FQPF28N15	-	RFQ	7162	Onmi	QFET®	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF2			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						150 v	16.7A（TC）	10V	90MOHM @ 8.35a，10V	4V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±25V	1600 pf @ 25 V	-	60W（TC）
2N5769	-	RFQ	9824	Onmi	-	大部分	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N576				350兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2N5769-NDR	Ear99	8541.21.0095	2,000																														15 v	200 ma							400µA			NPN	500mv @ 10mA，100mA	40 @ 10mA，350mv	-
BC80716MTF	-	RFQ	1129	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC807				310 MW	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																														45 v	800 MA							100NA			PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
TN5415A	-	RFQ	7479	Onmi	-	大部分	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	TN5415				1 w	TO-226-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500																														200 v	100 ma							50µA			PNP	2.5V @ 5mA，50mA	30 @ 50mA，10v	-
BZX85C51_T50R	-	RFQ	2660	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±6％		-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	BZX85C51				1 w	do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	6,000																											1.2 V @ 200 ma	500 na @ 36 V											51 v	115欧姆
2N6497	-	RFQ	2062	Onmi	-	管子	过时的			-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	2N6497				80 W	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	2N6497OS	Ear99	8541.29.0095	50																														250 v	5 a							-			NPN	5V @ 2a，5a	10 @ 2.5A，10V	5MHz
KSD471AYBU	-	RFQ	5472	Onmi	-	大部分	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	KSD471				800兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2832-KSD471AYBU	Ear99	8541.21.0075	10,000																														30 V	1 a							100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 100mA，1a	120 @ 100mA，1V	130MHz
2N4923	-	RFQ	1655年	Onmi	-	大部分	过时的			-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	2N4923				30 W	TO-126	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	2N4923OS	Ear99	8541.29.0095	500																														80 V	1 a							500µA			NPN	600mv @ 100mA，1a	30 @ 500mA，1V	3MHz
2N5484_D26Z	-	RFQ	4370	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		25 v		通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N5484		400MHz	JFET		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000	n通道		5mA			-	-																			4DB											15 v
BC368_J35Z	-	RFQ	2171	Onmi	-	大部分	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC368				625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																														20 v	2 a							10µA（ICBO）			NPN	500mv @ 100mA，1a	85 @ 500mA，1V	45MHz
BC548CTAR	-	RFQ	4660	Onmi	-	（TB）	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC548				500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																														30 V	100 ma							15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	300MHz
MCH3416-TL-E	0.1900	RFQ	291	Onmi	*	大部分	积极的												-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3,000
NTTFS004N04CTAG	1.5000	RFQ	3141	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NTTFS004			MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道						40 V	18A（18A），77A （TC）	10V	4.9MOHM @ 35A，10V	3.5V @ 50µA	18 nc @ 10 V	±20V	1150 pf @ 25 V	-	3.2W（TA），55W（tc）
mps2907arlrm	-	RFQ	9494	Onmi	-	（TB）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPS290				625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																														60 V	600 MA							10NA（ICBO）			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
FDU8874	-	RFQ	9960	Onmi	PowerTrench®	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FDU88			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,800		n通道						30 V	18A（18A），116a（tc）	4.5V，10V	5.1MOHM @ 35A，10V	2.5V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	2990 pf @ 15 V	-	110W（TC）
BD157STU	-	RFQ	1294	Onmi	-	管子	过时的			-	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD157				20 w	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	60																														250 v	500 MA							100µA（ICBO）			NPN	-	30 @ 50mA，10v	-
MMBT5550LT1G	0.1800	RFQ	155	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT5550				225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																														140 v	600 MA							100NA			NPN	250mv @ 5mA，50mA	60 @ 10mA，5V	-
MCR22-8RL1	-	RFQ	9782	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-40°C〜110°C	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MCR22					TO-92（to-226）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2,000				5 ma														600 v	1.5 a	800 mv	15a @ 60hz	200 µA	1.7 v	10 µA	敏感门
FDS9945	0.6900	RFQ	8718	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS99			MOSFET （金属 o化物）	1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）							60V	3.5a		100mohm @ 3.5a，10v	3V @ 250µA	13nc @ 5V		420pf @ 30V	逻辑级别门
TIP147G	2.8400	RFQ	3170	Onmi	-	管子	积极的			-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	TIP147				125 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30																														100 v	10 a							2mA			pnp-达灵顿	3V @ 40mA，10a	1000 @ 5A，4V	-
FDS4072N7	-	RFQ	9567	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS40			MOSFET （金属 o化物）		8-so flmp	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						40 V	12.4A（TA）	4.5V，10V	9MOHM @ 13.7a，10V	3V @ 250µA	46 NC @ 4.5 V	±12V	4299 PF @ 20 V	-	（3W）（TA）
FDC642P_SB4N006	-	RFQ	2007	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的						FDC642						-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	3,000									-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²