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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
MJE200G	0.6500	RFQ	13	Onmi	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3		MJE200			15 W	TO-126	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500																										40 V	5 a						100NA（ICBO）			NPN	1.8V @ 1a，5a	45 @ 2a，1V	65MHz
NXV65HR82DZ1	32.4111	RFQ	5081	Onmi	汽车，AEC-Q101	管子	积极的			通过洞	16-SSIP裸露的垫，形成铅	MOSFET						下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NXV65HR82DZ1	Ear99	8542.39.0001	72	H桥				26 a	650 v	5000vrm
NSVT45010MW6T3G	0.0920	RFQ	3105	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363		NSVT45010			380MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																										45V	100mA						15NA（icbo）			2 PNP （双）	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
KSE45H11TU	-	RFQ	1513年	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		KSE45			1.67 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																										80 V	10 a						10µA			PNP	1V @ 400mA，8a	60 @ 2a，1V	40MHz
BD14016STU	0.7500	RFQ	1	Onmi	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3		BD140			1.25 w	TO-126-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2832-BD14016STU	Ear99	8541.29.0095	60																										80 V	1.5 a						100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	-
NTMD6N02R2	-	RFQ	8118	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		NTMD6		MOSFET （金属 o化物）	730MW	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	NTMD6N02R2OS	Ear99	8541.21.0095	2,500	2 n 通道（双）							20V	3.92a		35mohm @ 6a，4.5V	1.2V @ 250µA	20NC @ 4.5V		1100pf @ 16V	逻辑级别门
FQP12P20	-	RFQ	1005	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		FQP12		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			P通道					200 v	11.5A（TC）	10V	470MOHM @ 5.75A，10V	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	1200 pf @ 25 V	-	120W（TC）
2N5210_D81Z	-	RFQ	5885	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		2N5210			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																										50 V	100 ma						50NA（iCBO）			NPN	700mv @ 1mA，10mA	200 @ 100µA，5V	30MHz
S2J	0.4700	RFQ	205	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB		S2J		标准		DO-214AA（SMB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																600 v	1.15 V @ 2 A	2 µs	1 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	2a	30pf @ 4V，1MHz
BD440S	0.9100	RFQ	1	Onmi	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3		BD440			36 W	TO-126-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000																										60 V	4 a						100µA			PNP	800mv @ 200mA，2a	40 @ 500mA，1V	3MHz
FGH40T120SMDL4	-	RFQ	1558年	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4		FGH40	标准		555 w	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450				600V，40a，10ohm，15V																65 ns					沟渠场停止	1200 v	80 a	160 a	2.4V @ 15V，40a	2.24mj（在）上，1.02MJ（）	370 NC	44NS/464NS
BC847BPDW1T1G	0.2400	RFQ	39	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363		BC847			380MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																										45V	100mA						15NA（icbo）			NPN，PNP	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	100MHz
SMMBT2369LT1G	-	RFQ	4570	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		SMMBT2369			225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																										15 v	200 ma						400NA			NPN	250mv @ 1mA，10mA	40 @ 10mA，1V	-
SS8550CTA	0.4600	RFQ	54	Onmi	-	（CT）	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		SS8550			1 w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000																										25 v	1.5 a						100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 80mA，800mA	120 @ 100mA，1V	200MHz
SZBZX84B3V3LT1G	0.2600	RFQ	6	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		SZBZX84			250兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																			900 mv @ 10 ma		5 µA @ 1 V													3.3 v	95欧姆
NTMTS001N06CTXG	11.1800	RFQ	7548	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		NTMTS001		MOSFET （金属 o化物）		8-DFNW（8.3x8.4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道					60 V	53.7a（TA），376A （TC）	10V	0.91MOHM @ 50a，10V	4V @ 250µA	113 NC @ 10 V	±20V	8705 PF @ 30 V	-	（5W）（244W）（TC）
KSA928AOTA	-	RFQ	8893	Onmi	-	（CT）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）		KSA928			1 w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000																										30 V	2 a						100NA（ICBO）			PNP	2V @ 30mA，1.5a	100 @ 500mA，2V	120MHz
FDW254P	-	RFQ	9666	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）		FDW25		MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道					20 v	9.2a（ta）	1.8V，4.5V	12mohm @ 9.2a，4.5V	1.5V @ 250µA	96 NC @ 4.5 V	±8V	5878 pf @ 10 V	-	1.3W（TA）
FJN4311RTA	-	RFQ	4756	Onmi	-	（TB）	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		FJN431			300兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																										40 V	100 ma						100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	200 MHz	22 KOHMS
MMBT3904TT1G	0.1800	RFQ	23	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416		MMBT3904			300兆	SC-75，SOT-416	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																										40 V	200 ma						-			NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
2N4403_S00Z	-	RFQ	9276	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		2N4403			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																										40 V	600 MA						-			PNP	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	200MHz
MJE210	-	RFQ	7701	Onmi	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3		MJE210			15 W	TO-126	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MJE210OS	Ear99	8541.29.0075	500																										40 V	5 a						100NA（ICBO）			PNP	1.8V @ 1a，5a	45 @ 2a，1V	65MHz
TIP147G	2.8400	RFQ	3170	Onmi	-	管子	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		TIP147			125 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30																										100 v	10 a						2mA			pnp-达灵顿	3V @ 40mA，10a	1000 @ 5A，4V	-
NTMFS4C910NBT3G	0.2862	RFQ	1232	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的						NTMFS4					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NTMFS4C910NBT3GTR	Ear99	8541.29.0095	5,000
FDMS8820	1.3100	RFQ	4727	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		FDMS88		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道					30 V	28a（28a），116a （TC）	4.5V，10V	2mohm @ 28a，10v	2.5V @ 250µA	88 NC @ 10 V	±20V	5315 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），78W（tc）
FFSP2065A	7.1100	RFQ	9957	Onmi	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-2		FFSP2065		SIC （碳化硅）		TO-220-2	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		没有恢复t> 500mA（IO）																650 v	1.75 V @ 20 A	0 ns	200 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	25a	1085pf @ 1V，100kHz
FJN3301RTA	-	RFQ	6120	Onmi	-	（CT）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		FJN330			300兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																										50 V	100 ma						100NA（ICBO）			NPN	300mv @ 500µA，10mA	20 @ 10mA，5v	250MHz
BC559CBU	-	RFQ	6135	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		BC559			500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																										30 V	100 ma						15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	150MHz
2n6517rlrag	-	RFQ	3904	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）		2N6517			625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																										350 v	500 MA						50NA（iCBO）			NPN	1V @ 5mA，50mA	20 @ 50mA，10v	200MHz
NSBA123TDP6T5G	0.0672	RFQ	6014	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-963		NSBA123			408MW	SOT-963	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000																										50V	100mA						500NA			2 PNP-）	250mv @ 300µA，10mA	160 @ 5mA，10v	-	2.2kohms	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²