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离散半导体产品（（26937）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 fet 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） （（dc）（vr）（vr）（最大） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT）） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2） 噪声图（ db typ @ f）
TIP31ATU onsemi tip31atu -
RFQ
 ECAD 1218 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 提示31 2 w TO-220-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 60 V 3 a 300µA NPN 1.2V @ 375mA，3a 10 @ 3A，4V 3MHz
MPS650RLRAG onsemi mps650rlrag -
RFQ
 ECAD 6049 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3） MPS650 625兆 TO-92（to-226） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 40 V 2 a 100NA（ICBO） NPN 500mv @ 200mA，2a 75 @ 1A，2V 75MHz
SB20-03E onsemi SB20-03E 0.2700
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1
NVTJD4401NT1G onsemi NVTJD4401NT1G -
RFQ
 ECAD 7724 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - - - NVTJD44 - - - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 - 630ma（ta） - - - -
SBC846BWT1G onsemi SBC846BWT1G 0.1800
RFQ
 ECAD 5125 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 SBC846 150兆 SC-70-3（SOT323） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 ma 15NA（icbo） NPN 600mv @ 5mA，100mA 200 @ 2mA，5V 100MHz
SMUN5215T1G onsemi Smun5215T1G 0.3400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 Smun5215 202兆 SC-70-3（SOT323） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 250mv @ 1mA，10mA 160 @ 5mA，10v 10 kohms
BF199_J35Z onsemi BF199_J35Z -
RFQ
 ECAD 6928 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA） BF199 350MW TO-92-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 - 25V 50mA NPN 38 @ 7mA，10v 1.1GHz -
FDPF14N30 onsemi FDPF14N30 -
RFQ
 ECAD 1516年 0.00000000 Onmi Unifet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 FDPF14 MOSFET （金属 o化物） TO-220F-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 300 v 14A（TC） 10V 290MOHM @ 7A，10V 5V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±30V 1060 pf @ 25 V - 35W（TC）
MMSZ5226CT1G onsemi MMSZ5226CT1G 0.2600
RFQ
 ECAD 7097 0.00000000 Onmi mmsz52xxxt1g 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±2％ -55°C〜150°C 表面安装 SOD-123 MMSZ522 500兆 SOD-123 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 900 mv @ 10 ma 25 µA @ 1 V 3.3 v 28欧姆
NJVMJD47T4G onsemi NJVMJD47T4G 0.6900
RFQ
 ECAD 4624 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -65°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 NJVMJD47 1.56 w DPAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 250 v 1 a 200µA NPN 1V @ 200mA，1a 30 @ 300mA，10v 10MHz
FDMC8026S onsemi FDMC8026 -
RFQ
 ECAD 8597 0.00000000 Onmi PoterTrench®，SyncFet™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn FDMC8026 MOSFET （金属 o化物） 8-mlp（3.3x3.3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V （19a）（21a （TC）（TC） 4.5V，10V 4.4mohm @ 19a，10v 3V @ 1mA 52 NC @ 10 V ±20V 3165 PF @ 15 V - 2.4W（TA），36W（tc）
ULN2804A onsemi ULN2804A 0.2200
RFQ
 ECAD 9829 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -20°C〜150°C（TJ） 通过洞 18 浸（0.300英寸，7.62mm） ULN2804 2.25W 18浸 - Rohs不合规 2156-ULN2804A-ON Ear99 8541.29.0095 20 50V 500mA - 8 npn达灵顿 1.6V @ 500µA，350mA 1000 @ 350mA，2V -
KSH210TF onsemi KSH210TF -
RFQ
 ECAD 7822 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 KSH21 1.4 w D-pak 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 2,000 25 v 5 a 100NA（ICBO） PNP 1.8V @ 1a，5a 45 @ 2a，1V 65MHz
MMBTA43LT1 onsemi MMBTA43LT1 -
RFQ
 ECAD 5879 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MMBTA43 225兆 SOT-23-3（TO-236） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 200 v 50 mA 100NA（ICBO） NPN 500mv @ 2mA，20mA 40 @ 30mA，10V 50MHz
MPS3563 onsemi MPS3563 -
RFQ
 ECAD 2547 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 MPS356 350兆 TO-92（to-226） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 5,000 12 v 50 mA 10NA（ICBO） NPN 20 @ 8mA，10v 600MHz
PN3638A_D75Z onsemi PN3638A_D75Z -
RFQ
 ECAD 5041 0.00000000 Onmi - （TB） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA） PN363 625兆 TO-92-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 25 v 800 MA 35na PNP 1V @ 30mA，300mA 20 @ 300mA，2V -
BC639RL1 onsemi BC639RL1 -
RFQ
 ECAD 6494 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3） BC639 625兆 TO-92（to-226） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 80 V 1 a 100NA（ICBO） NPN 500mv @ 50mA，500mA 40 @ 150mA，2V 200MHz
BMS3004-1E onsemi BMS3004-1E -
RFQ
 ECAD 4975 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 BMS30 MOSFET （金属 o化物） TO-220F-3SG 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 P通道 75 v 68a（ta） 4V，10V 8.5MOHM @ 34A，10V - 300 NC @ 10 V ±20V 13400 PF @ 20 V - 2W（TA），40W（TC）
BC32816TA onsemi BC32816TA -
RFQ
 ECAD 3419 0.00000000 Onmi - （TB） 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA） BC328 625兆 TO-92-3 - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 25 v 800 MA 100NA PNP 700mv @ 50mA，500mA 100 @ 100mA，1V 100MHz
NJL3281D onsemi NJL3281D -
RFQ
 ECAD 7988 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -65°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-5 NJL3281 200 w TO-264 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 NJL3281DOS Ear99 8541.29.0075 2,500 260 v 15 a 50µA（ICBO） NPN 3V @ 1a，10a 75 @ 5A，5V 30MHz
FFSPF1065A onsemi FFSPF1065A 4.8600
RFQ
 ECAD 950 0.00000000 Onmi - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 FFSPF1065 SIC （碳化硅） TO-220F-2FS 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 0 ns 200 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 10a 575pf @ 1V，100kHz
BD678AG onsemi BD678AG -
RFQ
 ECAD 4998 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-225AA，TO-126-3 BD678 40 W TO-126 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 60 V 4 a 500µA pnp-达灵顿 2.8V @ 40mA，2a 750 @ 2a，3v -
NTD5N50-001 onsemi NTD5N50-001 0.7200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 - 不适用 3（168）） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1
SS33 onsemi SS33 0.6700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 DO-214AB，SMC SS33 肖特基 SMC（do-214ab） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 30 V 500 mv @ 3 a 500 µA @ 30 V -55°C〜150°C 3a -
6785_2N4033 onsemi 6785_2N4033 -
RFQ
 ECAD 1171 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 200°C（TJ） 表面安装 死 2N4033 800兆 死 - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 80 V 1 a 50NA（iCBO） PNP 1V @ 100mA，1a 75 @ 100µA，5V -
NTD4809NH-35G onsemi NTD4809NH-35G -
RFQ
 ECAD 6864 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-251-3存根线，IPAK NTD48 MOSFET （金属 o化物） 我帕克 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 30 V 9.6a（ta），58a tc） 4.5V，11.5V 9mohm @ 30a，10v 2.5V @ 250µA 15 NC @ 4.5 V ±20V 2155 pf @ 12 V - 1.3W（ta），52W（（ta）
1N4002 onsemi 1N4002 -
RFQ
 ECAD 6752 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1N4002 标准 do-41 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 100 v 1.1 V @ 1 A 10 µA @ 100 V -55°C 〜175°C 1a 15pf @ 4V，1MHz
NSBA114EDXV6T5G onsemi NSBA114EDXV6T5G -
RFQ
 ECAD 2333 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SOT-563，SOT-666 NSBA114 500MW SOT-563 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500NA 2 PNP-） 250mv @ 300µA，10mA 35 @ 5mA，10v - 10KOHMS 10KOHMS
PN3646_D75Z onsemi PN3646_D75Z -
RFQ
 ECAD 6141 0.00000000 Onmi - （TB） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA） PN364 350兆 TO-92-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 15 v 300 MA 500NA NPN 500mv @ 3mA，300mA 30 @ 30mA，400mv -
WY85_BZX84C15 onsemi WY85_BZX84C15 -
RFQ
 ECAD 8661 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 ±5％ -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BZX84 550兆 SOT-23 - （1 （无限） 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 3,000 900 mv @ 10 ma 50 NA @ 10.5 V 14.8 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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