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离散半导体产品（（26937）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （amp） （ih）（IH）） 测试条件 功率 -输出 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （vtm）（VTM）（最大） 当前 -关闭状态（最大） scr 噪音图 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 电压 -测试 当前 -收集器截止（最大） 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT）） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2） 噪声图（ db typ @ f）
BD179 onsemi BD179 -
RFQ
 ECAD 6730 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -65°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-225AA，TO-126-3 BD179 30 W TO-126 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 80 V 3 a 100µA（ICBO） NPN 800mv @ 100mA，1a 63 @ 150mA，2V 3MHz
MJE181 onsemi MJE181 -
RFQ
 ECAD 1567年 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -65°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-225AA，TO-126-3 MJE181 12.5 w TO-126 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 MJE181OS Ear99 8541.29.0075 500 60 V 3 a 100NA（ICBO） NPN 1.7V @ 600mA，3a 50 @ 100mA，1V 50MHz
BD37716STU onsemi BD37716STU -
RFQ
 ECAD 1352 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-225AA，TO-126-3 BD377 25 w TO-126-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 60 60 V 2 a 2µA（ICBO） NPN 1V @ 100mA，1a 100 @ 150mA，2V -
CPH6223-TL-E onsemi CPH6223-TL-E 0.4700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-74，SOT-457 CPH6223 1.3 w 6-CPH 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 3,000 50 V 3 a 1µA（ICBO） NPN 240mv @ 100mA，2a 200 @ 100mA，2V 380MHz
MCR8SM onsemi MCR8SM -
RFQ
 ECAD 2558 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -40°C〜110°C 通过洞 TO-220-3 MCR8 TO-220 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 mcr8smos Ear99 8541.30.0080 50 6 ma 600 v 8 a 1 V 80a @ 60hz 200 µA 1.8 v 10 µA 敏感门
HUFA75307T3ST onsemi HUFA75307T3ST -
RFQ
 ECAD 1774年 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101，Ultrafet™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-261-4，TO-261AA HUFA75307 MOSFET （金属 o化物） SOT-223-4 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n通道 55 v 2.6a（ta） 10V 90MOHM @ 2.6a，10V 4V @ 250µA 17 NC @ 20 V ±20V 250 pf @ 25 V - 1.1W（TA）
KSA709CYTA onsemi KSA709CYTA -
RFQ
 ECAD 2767 0.00000000 Onmi - （TB） 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA） KSA709 800兆 TO-92-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 150 v 700 MA 100NA（ICBO） PNP 400mv @ 20mA，200mA 120 @ 50mA，2V 50MHz
2N5951_J35Z onsemi 2N5951_J35Z -
RFQ
 ECAD 9309 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 30 V 通过洞 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA） 2N5951 1khz JFET TO-92-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 n通道 13mA - - 2DB 15 v
2N6520BU onsemi 2N6520BU -
RFQ
 ECAD 6780 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 to-226AA） 2N6520 625兆 TO-92-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1,000 350 v 500 MA 50NA（iCBO） PNP 1V @ 5mA，50mA 20 @ 50mA，10v 200MHz
MMSZ5226BT3 onsemi MMSZ5226BT3 -
RFQ
 ECAD 9202 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 ±5％ -55°C〜150°C 表面安装 SOD-123 MMSZ522 500兆 SOD-123 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 900 mv @ 10 ma 25 µA @ 1 V 3.3 v 28欧姆
NSV60600MZ4T1G onsemi NSV60600MZ4T1G 0.7200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-261-4，TO-261AA NSV60600 800兆 SOT-223（TO-261） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1,000 60 V 6 a 100NA（ICBO） PNP 350mv @ 600mA，6a 120 @ 1A，2V 100MHz
FJAF6920ATU onsemi FJAF6920ATU -
RFQ
 ECAD 1441 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3 FJAF6920 60 W to-3pf 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 800 v 20 a 1ma NPN 3V @ 2.75a，11a 5.5 @ 11a，5v -
NDT455N onsemi NDT455N -
RFQ
 ECAD 6124 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -65°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-261-4，TO-261AA NDT455 MOSFET （金属 o化物） SOT-223-4 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 11.5A（TA） 4.5V，10V 15MOHM @ 11.5A，10V 3V @ 250µA 61 NC @ 10 V 20V 1220 pf @ 15 V - （3W）（TA）
FQB4P40TM onsemi FQB4P40TM -
RFQ
 ECAD 1344 0.00000000 Onmi QFET® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB FQB4 MOSFET （金属 o化物） d²pak（to-263） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 P通道 400 v 3.5A（TC） 10V 3.1OHM @ 1.75A，10V 5V @ 250µA 23 NC @ 10 V ±30V 680 pf @ 25 V - 3.13W（ta），85W（tc）
BC488BRL1G onsemi BC488BRL1G -
RFQ
 ECAD 7715 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3） BC488 625兆 TO-92（to-226） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 60 V 1 a 100NA（ICBO） PNP 500mv @ 100mA，1a 160 @ 100mA，2V 150MHz
MPSA28RLRPG onsemi mpsa28rrpg -
RFQ
 ECAD 2700 0.00000000 Onmi - （TB） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3） MPSA28 625兆 TO-92（to-226） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 80 V 500 MA 500NA npn-达灵顿 1.5V @ 100µA，100mA 10000 @ 100mA，5V 200MHz
2N5172_D27Z onsemi 2N5172_D27Z -
RFQ
 ECAD 6877 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA） 2N5172 625兆 TO-92-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 25 v 500 MA 100NA（ICBO） NPN 250mv @ 1mA，10mA 100 @ 10mA，10v -
BC308A onsemi BC308A -
RFQ
 ECAD 3680 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 to-226AA） BC308 500兆 TO-92-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 25 v 100 ma 15NA PNP 500mv @ 5mA，100mA 120 @ 2mA，5V 130MHz
NTB27N06LT4 onsemi NTB27N06LT4 -
RFQ
 ECAD 4734 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB NTB27 MOSFET （金属 o化物） D²Pak 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 60 V 27a（27A） 5V 48mohm @ 13.5a，5v 2V @ 250µA 32 NC @ 5 V ±15V 990 pf @ 25 V - 88.2W（TC）
NSVMMUN2114LT3G onsemi NSVMMUN2114LT3G 0.0429
RFQ
 ECAD 3937 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 NSVMMUN2114 246兆 SOT-23-3（TO-236） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 250mv @ 300µA，10mA 80 @ 5mA，10v 10 kohms 47科姆斯
NTD32N06-001 onsemi NTD32N06-001 -
RFQ
 ECAD 7013 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-251-3，IPAK，TO-251AA NTD32 MOSFET （金属 o化物） 我帕克 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 60 V 32a（ta） 10V 26mohm @ 16a，10v 4V @ 250µA 60 NC @ 10 V ±20V 1725 PF @ 25 V - 1.5W（TA），93.75W（tj）
MBRD660CTT4G onsemi MBRD660CTT4G 0.9600
RFQ
 ECAD 2087 0.00000000 Onmi SwitchMode™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MBRD660 肖特基 DPAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 60 V 3a 700 mv @ 3 a 100 µA @ 60 V -65°C〜175°C
BC327TAR onsemi BC327TAR -
RFQ
 ECAD 7604 0.00000000 Onmi - （TB） 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA） BC327 625兆 TO-92-3 - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 45 v 800 MA 100NA PNP 700mv @ 50mA，500mA 100 @ 100mA，1V 100MHz
2SK4089LS onsemi 2SK4089L -
RFQ
 ECAD 6247 0.00000000 Onmi - 包 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SK4089 MOSFET （金属 o化物） TO-220FI（LS） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 100 n通道 650 v 8.5A（TC） 10V 720MOHM @ 6A，10V - 45.4 NC @ 10 V ±30V 1200 pf @ 30 V - 2W（TA），40W（TC）
MPSH10RLRPG onsemi mpsh10rlrpg -
RFQ
 ECAD 9961 0.00000000 Onmi - （TB） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3） MPSH10 350MW TO-92（to-226） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 - 25V - NPN 60 @ 4mA，10v 650MHz -
BZX84C22LT1 onsemi BZX84C22LT1 -
RFQ
 ECAD 4723 0.00000000 Onmi BZX84CXXXLT1G 胶带和卷轴（（tr） 过时的 ±6％ -65°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BZX84C22 225兆 SOT-23-3（TO-236） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 900 mv @ 10 ma 50 NA @ 15.4 V 22 v 55欧姆
NRVTSA3100ET3G onsemi NRVTSA3100ET3G 0.4200
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 do-214ac，SMA NRVTSA3100 肖特基 SMA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 995 mv @ 3 a 5 µA @ 100 V -55°C 〜175°C 3a 14.3pf @ 100V，1MHz
SS8550CTA onsemi SS8550CTA 0.4600
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 Onmi - （CT） 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA） SS8550 1 w TO-92-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 2,000 25 v 1.5 a 100NA（ICBO） PNP 500mv @ 80mA，800mA 120 @ 100mA，1V 200MHz
NSVMUN2212T1G onsemi NSVMUN2212T1G 0.2400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 NSVMUN2212 230兆 SC-59 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 250mv @ 300µA，10mA 60 @ 5mA，10v 22 KOHMS 22 KOHMS
HGTP12N60A4 onsemi HGTP12N60A4 -
RFQ
 ECAD 8043 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 HGTP12N60 标准 167 w TO-220-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 400 390V，12a，10ohm，15V - 600 v 54 a 96 a 2.7V @ 15V，12A （55µJ）（在55µj），50µJ（50µJ） 78 NC 17NS/96NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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