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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
BXL4004-1E	-	RFQ	1028	Onmi	-	管子	过时的		150°C	通过洞	TO-220-3	BXL40	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	40 V	100A（TA）	4.5V，10V	3.9mohm @ 50a，10v	-	140 NC @ 10 V	±20V	8200 PF @ 20 V	-	75W（TC）
BD37610STU	-	RFQ	4038	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD376		25 w	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	60																						45 v	2 a	2µA（ICBO）			PNP	1V @ 100mA，1a	63 @ 150mA，2V	-
1N916A_T50R	-	RFQ	2025	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N916	标准		do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	30,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度													100 v		1 V @ 20 ma	4 ns	5 µA @ 75 V	-55°C 〜175°C	200mA	2pf @ 0v，1MHz
BCW33LT1G	0.2200	RFQ	22	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCW33		300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																						32 v	100 ma	100NA（ICBO）			NPN	250mv @ 500µA，10mA	420 @ 2mA，5V	-
FDG328P	-	RFQ	6976	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	FDG328	MOSFET （金属 o化物）		SC-88 （SC-70-6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	1.5A（TA）	2.5V，4.5V	145MOHM @ 1.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±12V	337 PF @ 10 V	-	750MW（TA）
tip31atu	-	RFQ	1218	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	提示31		2 w	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000																						60 V	3 a	300µA			NPN	1.2V @ 375mA，3a	10 @ 3A，4V	3MHz
1SMB5923BT3	-	RFQ	1796年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	1SMB5923		3 W	SMB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500																1.5 V @ 200 ma		5 µA @ 6.5 V							8.2 v	3.5欧姆
FFSPF1065A	4.8600	RFQ	950	Onmi	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-2完整包	FFSPF1065	SIC （碳化硅）		TO-220F-2FS	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	没有恢复t> 500mA（IO）													650 v			0 ns	200 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	10a	575pf @ 1V，100kHz
mps650rlrag	-	RFQ	6049	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPS650		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																						40 V	2 a	100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 200mA，2a	75 @ 1A，2V	75MHz
2N4401_D81Z	-	RFQ	9122	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N4401		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																						40 V	600 MA	-			NPN	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，1V	250MHz
BBL4001-1E	-	RFQ	2107	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	BBL4001	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3 FULLPACK/TO-220F-3SG	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	74a（ta）	4V，10V	6.1MOHM @ 37A，10V	2.6V @ 1mA	135 NC @ 10 V	±20V	6900 PF @ 20 V	-	2W（TA），35W（tc）（TC）
NVMFS5C645NT1G	-	RFQ	5656	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	60 V	20A（20A），92A（tc）	10V	4.6mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	20.4 NC @ 10 V	±20V	1500 pf @ 25 V	-	3.7W（ta），79w（tc）
NSBC114EDXV6T1	-	RFQ	9873	Onmi	*	（CT）	过时的					NSBC114				下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000
MURS140T3G	0.5100	RFQ	2596	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB	Murs140	标准		SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													400 v		1.25 V @ 1 A	75 ns	5 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	-
MUR8100EG	1.8300	RFQ	6922	Onmi	SwitchMode™	管子	积极的			通过洞	TO-220-2	MUR8100	标准		TO-220-2	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1000 v		1.8 V @ 8 A	100 ns	25 µA @ 1000 V	-65°C〜175°C	8a	-
MMBT2131T1G	0.1809	RFQ	9790	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	MMBT2131		342 MW	SC-74	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																						30 V	700 MA	1µA（ICBO）			PNP	400mv @ 70mA，700mA	150 @ 100mA，3v	-
1N4738A-T50A	0.0670	RFQ	2152	Onmi	-	（CT）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4738		1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		10 µA @ 6 V							8.2 v	4.5欧姆
FDC640P_F095	-	RFQ	3678	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FDC640	MOSFET （金属 o化物）		SuperSot™-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	4.5A（ta）	2.5V，4.5V	53MOHM @ 4.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	13 NC @ 4.5 V	±12V	890 pf @ 10 V	-	1.6W（TA）
SZT1004T1G	0.1000	RFQ	27	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
MPF4391RLRA	0.0600	RFQ	17	Onmi	*	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	2,000
PN200_D74Z	-	RFQ	7989	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PN200		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																						45 v	500 MA	50NA			PNP	400mv @ 20mA，200mA	100 @ 150mA，1V	250MHz
FCP21N60N	-	RFQ	9054	Onmi	-	管子	过时的		-	通过洞	TO-220-3	FCP21	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	-		-	-				-	-
SB20-03E	0.2700	RFQ	22	Onmi	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1
UMC2NT1	-	RFQ	6419	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353	MC2		150MW	SC-88A（SC-70-5/SOT-353）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	UMC2NT1OS	Ear99	8541.21.0095	3,000																						50V	100mA	500NA			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	250mv @ 300µA，10mA	60 @ 5mA，10v	-	22KOHMS	22KOHMS
SBAV70LT1G	0.3500	RFQ	16	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SBAV70	标准		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度												1对普通阴极	100 v	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	6 ns	100 µA @ 70 V	-55°C〜150°C
Mura240T3G	0.4400	RFQ	7773	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-214ac，SMA	Mura240	标准		SMA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													400 v		1.3 V @ 2 A	65 ns	5 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	2a	-
BD241ATU	-	RFQ	1309	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BD241		40 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																						60 V	3 a	300µA			NPN	1.2V @ 600mA，3a	25 @ 1A，4V	-
NTMFD4951NFT1G	-	RFQ	5620	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	-	-	NTMFD4	-		-	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		-		-		-	-				-	-
MBR30H150CTG	-	RFQ	7867	Onmi	SwitchMode™	管子	过时的			通过洞	TO-220-3	MBR30H150	肖特基		TO-220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	150 v	15a	1.11 V @ 15 A		60 µA @ 150 V	-20°C〜150°C
KSC1009GTA	-	RFQ	3606	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSC1009		800兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																						140 v	700 MA	100NA（ICBO）			NPN	700mv @ 20mA，200mA	200 @ 50mA，2V	50MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²