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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
KSC2982ATF	-	RFQ	7659	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA		KSC2982		500兆	SOT-89-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	4,000																															10 v	2 a	100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，2a	140 @ 500mA，1V	150MHz
FSB50760SFS	11.8300	RFQ	23	Onmi	motionspm®5Superfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	23-powersmd模块，鸥翼	MOSFET	FSB50760				下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	450	3期				3.6 a	600 v	1500vrms
FJY3007R	-	RFQ	9964	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-89，SOT-490		FJY300		200兆	SC-89-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																															50 V	100 ma	100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	22 KOHMS	47科姆斯
NRVUHS160VT3G	0.5200	RFQ	6126	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB		NRVUHS160	标准		SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						600 v	2.4 V @ 1 A	35 ns	20 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	1a	-
2SK4089L	-	RFQ	6247	Onmi	-	包	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		2SK4089	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FI（LS）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100			n通道					650 v	8.5A（TC）	10V	720MOHM @ 6A，10V	-	45.4 NC @ 10 V	±30V	1200 pf @ 30 V	-	2W（TA），40W（TC）
2N6517BU	0.4900	RFQ	53	Onmi	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		2N6517		625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2832-2N6517BU	Ear99	8541.21.0075	10,000																															350 v	500 MA	50NA（iCBO）			NPN	1V @ 5mA，50mA	20 @ 50mA，10v	200MHz
KSC1507R	-	RFQ	3299	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		KSC1507		15 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	200																															300 v	200 µA	100µA（ICBO）			NPN	2V @ 5mA，50mA	40 @ 10mA，10v	80MHz
TIP41B	-	RFQ	7224	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		提示41		2 w	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200																															80 V	6 a	700µA			NPN	1.5V @ 600mA，6a	15 @ 3a，4V	3MHz
J111rlra	0.1200	RFQ	64	Onmi	*	大部分	积极的										下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000
FQB5N80TM	-	RFQ	1166	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		FQB5	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道					800 v	4.8A（TC）	10V	2.6ohm @ 2.4a，10v	5V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±30V	1250 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），140W（tc）
umz1nt1g	0.2600	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363		UMZ1		250MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																															50V	200mA	2µA			NPN，PNP	250mv @ 10mA，100mA / 300mv @ 10mA，100mA	200 @ 2mA，6v	114MHz，142MHz
2SD896D	1.1300	RFQ	7	Onmi	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
2SA1708S-AN	-	RFQ	9833	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	SC-71		2SA1708		1 w	3-nmp	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																															100 v	1 a	100NA（ICBO）			PNP	600mv @ 40mA，400mA	100 @ 100mA，5V	120MHz
FDLL3595	0.3000	RFQ	72	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80		FDLL3595	标准		SOD-80	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	2,500		小信号= <200ma（io（io），任何速度																						125 v	1 V @ 200 MA	3 µs	1 NA @ 125 V	-65°C 〜200°C	200mA	8pf @ 0v，1MHz
MPSA65_D26Z	-	RFQ	4516	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		MPSA65		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																															30 V	1.2 a	100NA（ICBO）			pnp-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	100MHz
MJH11017	-	RFQ	9220	Onmi	-	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-218-3		MJH11		150 w	SOT-93	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MJH11017OS	Ear99	8541.29.0095	30																															150 v	15 a	1ma			pnp-达灵顿	4V @ 150mA，15a	400 @ 10a，5v	3MHz
BZX79C5V1	0.2400	RFQ	8	Onmi	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		BZX79C5		500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																									1.5 V @ 100 ma		2 µA @ 2 V							5.1 v	60欧姆
NVTFS024N06CTAG	1.1300	RFQ	4527	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		NVTFS024	MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道					60 V	（7A）（24A）（24A）TC）	10V	22.6mohm @ 3a，10v	4V @ 20µA	5.7 NC @ 10 V	±20V	333 pf @ 30 V	-	2.5W（TA），28W（tc）
FDH600_T50R	-	RFQ	6030	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		FDH600	标准		do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	30,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																						50 V	1 V @ 200 MA	6 ns	100 na @ 50 V	175°c （最大）	200mA	2.5pf @ 0v，1MHz
SURS8340T3G	0.9100	RFQ	71	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC		SURS8340	标准		SMC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						400 v	1.25 V @ 3 A	75 ns	10 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	3a	-
FDZ1323NZ	1.5000	RFQ	60	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-XFBGA，WLCSP		FDZ1323	MOSFET （金属 o化物）	500MW	6-WLCSP（1.3x2.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000	2 n 通道（双）公共排水							20V	10a		13mohm @ 1A，4.5V	1.2V @ 250µA	24NC @ 10V		2055pf @ 10V	逻辑级别门
MBR1100	-	RFQ	7812	Onmi	-	大部分	过时的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		MBR1100	肖特基		轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MBR1100OS	Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						100 v	790 mv @ 1 a		500 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	1a	-
FJN5471TA	-	RFQ	8919	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		FJN547		750兆w	TO-92-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																															20 v	5 a	100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 100mA，3a	700 @ 500mA，2V	150MHz
NSBC114EDXV6T1	-	RFQ	9873	Onmi	*	（CT）	过时的						NSBC114				下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000
NTMD5838NLR2G	-	RFQ	5381	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		NTMD5838	MOSFET （金属 o化物）	2.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）							40V	7.4a		25mohm @ 7a，10v	3V @ 250µA	17NC @ 10V		785pf @ 20V	逻辑级别门
BTB08-600CW3G	0.4800	RFQ	3	Onmi	-	大部分	积极的		-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					TO-220AB	下载					Ear99	8541.30.0080	1	单身的			45 MA														标准	600 v	8 a	1.1 v	90a @ 60Hz	35 MA
BD37610STU	-	RFQ	4038	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3		BD376		25 w	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	60																															45 v	2 a	2µA（ICBO）			PNP	1V @ 100mA，1a	63 @ 150mA，2V	-
1N916A_T50R	-	RFQ	2025	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		1N916	标准		do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	30,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																						100 v	1 V @ 20 ma	4 ns	5 µA @ 75 V	-55°C 〜175°C	200mA	2pf @ 0v，1MHz
MBRM110ET1	-	RFQ	4646	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	do-216aa		MBRM110	肖特基		Powermite	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						10 v	530 MV @ 1 A		1 µA @ 10 V	-55°C〜150°C	1a	-
FDG328P	-	RFQ	6976	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363		FDG328	MOSFET （金属 o化物）		SC-88 （SC-70-6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道					20 v	1.5A（TA）	2.5V，4.5V	145MOHM @ 1.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±12V	337 PF @ 10 V	-	750MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²