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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	功率 -输出	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
D44C8	-	RFQ	1341	Onmi	-	管子	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		D44C			60 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	400																														60 V	4 a	10µA			NPN	500mv @ 50mA，1a	20 @ 2a，1V	40MHz
KSD568RTU	-	RFQ	6318	Onmi	-	管子	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		KSD568			1.5 w	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000																														60 V	7 a	10µA（ICBO）			NPN	500mv @ 500mA，5a	40 @ 3a，1V	-
2N7002DW	0.4600	RFQ	81	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363		2N7002		MOSFET （金属 o化物）	200MW	SC-88 （SC-70-6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）									60V	115mA		7.5OHM @ 50mA，5V	2V @ 250µA	-		50pf @ 25V	逻辑级别门
KSA708CYBU	-	RFQ	2192	Onmi	-	大部分	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		KSA708			800兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000																														60 V	700 MA	100NA（ICBO）			PNP	700mv @ 50mA，500mA	120 @ 50mA，2V	50MHz
MMBFJ212	-	RFQ	2227	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		25 v		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMBFJ2	-	JFET		SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000	n通道			40mA	-	-														-
NSBA143EDXV6T1	-	RFQ	5752	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	SOT-563，SOT-666		NSBA143			500MW	SOT-563	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000																														50V	100mA	500NA			2 PNP-）	250mv @ 1mA，10mA	15 @ 5mA，10v	-	4.7kohms	4.7kohms
2N7002WST1G	-	RFQ	3690	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323		2N7002		-		SC-70-3（SOT323）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			-								310mA ta）	4.5V，10V	-	-		±20V		-	-
FDMS0308CS	-	RFQ	4710	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		FDMS03		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道							30 V	22a（22a）		3mohm @ 21a，10v	3V @ 1mA	66 NC @ 10 V		4225 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），65W（tc）
DTC124EET1G	0.2100	RFQ	32	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	SC-75，SOT-416		DTC124			200兆	SC-75，SOT-416	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																														50 V	100 ma	500NA			npn-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	60 @ 5mA，10v		22 KOHMS	22 KOHMS
SFT1440-TL-E	-	RFQ	2936	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		SFT144		MOSFET （金属 o化物）		TP-FA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	700			n通道							600 v	1.5A（TA）	10V	8.1OHM @ 800mA，10V	-	6.3 NC @ 10 V	±30V	130 pf @ 30 V	-	1W（ta），20W（20W）TC）
MMSZ4699ET1	-	RFQ	1398	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％		-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123		MMSZ46			500兆	SOD-123	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MMSZ469999ET1OS	Ear99	8541.10.0050	3,000																								900 mv @ 10 ma		50 NA @ 9.1 V							12 v
2N5308_D74Z	-	RFQ	4418	Onmi	-	（TB）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		2N5308			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																														40 V	1.2 a	100NA（ICBO）			npn-达灵顿	1.4V @ 200µA，200mA	7000 @ 2mA，5V	-
MJ11032G	14.0600	RFQ	465	Onmi	-	托盘	积极的			-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-204AE		MJ11032			300 w	TO-204（TO-3）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100																														120 v	50 a	2mA			npn-达灵顿	3.5V @ 500mA，50a	1000 @ 25a，5v	-
FDQ7698S	-	RFQ	2967	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	14-Soic （0.154“，3.90mm宽），11个铅，融合线		FDQ76		MOSFET （金属 o化物）	1.1W，1.3W	14件事	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）									30V	12a，15a		7.5MOHM @ 15A，10V	3V @ 250µA	17NC @ 5V		1324pf @ 15V	逻辑级别门
MM3Z3V3T1G	-	RFQ	7763	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±3％		-65°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323		MM3Z3			200兆	SOD-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																								900 mv @ 10 ma		5 µA @ 1 V							3.3 v	95欧姆
FQT7N10LTF	0.7500	RFQ	1720年	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		FQT7N10		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道							100 v	1.7A（TC）	5V，10V	350MOHM @ 850mA，10V	2V @ 250µA	6 NC @ 5 V	±20V	290 pf @ 25 V	-	2W（TC）
2SC5551AE-TD-E	-	RFQ	5509	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA		2SC5551			1.3W	pcp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000						-																								30V	300mA				NPN		90 @ 50mA，5V	3.5GHz			-
NSBC123TPDP6T5G	0.0672	RFQ	4044	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	SOT-963		NSBC123			339MW	SOT-963	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000																														50V	100mA	500NA			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	250mv @ 1mA，10mA	160 @ 5mA，10v	-	2.2kohms	-
FSAM20SH60A	-	RFQ	7329	Onmi	MOTIONSPM®2	管子	过时的				通过洞	32-PowerDip 模块（1.370英寸，34.80mm）	IGBT	FSAM20					下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	48	3期						20 a	600 v	2500vrms
NTLUS029N06T6TAG	0.6405	RFQ	3433	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-Powerufdfn		NTLUS029		MOSFET （金属 o化物）		6-udfn（1.6x1.6）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道							60 V	3.5A（ta）	4.5V，10V	29mohm @ 7a，10v	2V @ 15µA	7 NC @ 10 V	±20V	410 pf @ 30 V	-	600MW（TA）
NSR0240MXWT5G	0.4000	RFQ	5	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的							NSR0240					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	8,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																				40 V		600 mv @ 200 ma		5 µA @ 4 V	-55°C〜150°C	200mA	7pf @ 0v，1MHz
2SA2127-AE	-	RFQ	3268	Onmi	-	（CT）	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）		2SA2127			1 w	3-MP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																														50 V	2 a	1µA（ICBO）			PNP	400mv @ 50mA，1a	200 @ 100mA，2V	420MHz
FJN5471TA	-	RFQ	8919	Onmi	-	（TB）	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		FJN547			750兆w	TO-92-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																														20 v	5 a	100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 100mA，3a	700 @ 500mA，2V	150MHz
NRVUS220VT3G-GA01	-	RFQ	6768	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	DO-214AA，SMB				标准		SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NRVUS220VT3G-GA01TR	Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																				200 v		950 mv @ 2 a	35 ns	2 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	2a	-
FCD5N60TF	-	RFQ	3951	Onmi	SuperFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		FCD5		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道							600 v	4.6A（TC）	10V	950MOHM @ 2.3a，10V	5V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±30V	600 pf @ 25 V	-	54W（TC）
1N971B	-	RFQ	7729	Onmi	-	大部分	过时的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		1N971			500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000																										5 µA @ 20.6 V							27 V	41欧姆
fep16dta	-	RFQ	8572	Onmi	-	管子	过时的				通过洞	TO-220-3		FEP16		标准		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																			1对公共阳极	200 v	16a	950 MV @ 8 A	35 ns	10 µA @ 200 V	-55°C〜150°C
KSE45H11	-	RFQ	6326	Onmi	-	大部分	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		KSE45			1.67 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1200																														80 V	10 a	10µA			PNP	1V @ 400mA，8a	60 @ 2a，1V	40MHz
mpsa28rrpg	-	RFQ	2700	Onmi	-	（TB）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）		MPSA28			625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																														80 V	500 MA	500NA			npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	200MHz
KSC388CYTA	-	RFQ	8595	Onmi	-	（CT）	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		KSC388			300兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																														25 v	50 mA	100NA（ICBO）			NPN	200mv @ 1.5mA，15mA	20 @ 12.5mA，12.5V	300MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²