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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
TIP32AG	0.9600	RFQ	3	Onmi	-	管子	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		提示32			2 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																													60 V	3 a						300µA	PNP	1.2V @ 375mA，3a	10 @ 3A，4V	3MHz
NSVBC143ZPDXV6T1G	0.4100	RFQ	1162	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666		NSVBC143			500MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000																													50V	100mA						500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	250mv @ 1mA，10mA	80 @ 5mA，10v	-	4.7kohms	47kohms
SS9014BTA	-	RFQ	1103	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		SS9014			450兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																													45 v	100 ma						50NA（iCBO）	NPN	300mv @ 5mA，100mA	100 @ 1mA，5V	270MHz
FDMC86240	2.5500	RFQ	1	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		FDMC86		MOSFET （金属 o化物）		8-mlp（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道						150 v	4.6A（TA），16a （TC）	6V，10V	51MOHM @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	905 PF @ 75 V	-	2.3W（ta），40W（TC）
KST222222AMTF	-	RFQ	6083	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		KST22			350兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																													40 V	600 MA						10NA（ICBO）	NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
MTD4N20E1	0.1200	RFQ	7675	Onmi	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,435
mps6521rlrag	-	RFQ	3547	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）		MPS652			625兆	TO-92（to-226）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																													25 v	100 ma						50NA（iCBO）	NPN	500mv @ 5mA，50mA	300 @ 2mA，10v	-
FPN560	-	RFQ	4484	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3		FPN5			1 w	TO-226	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,500																													60 V	3 a						100NA（ICBO）	NPN	350mv @ 200mA，2a	100 @ 500mA，2V	75MHz
KSA709CGBU	-	RFQ	1894年	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		KSA709			800兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000																													150 v	700 MA						100NA（ICBO）	PNP	400mv @ 20mA，200mA	200 @ 50mA，2V	50MHz
RURD620CCS9A-SB82215P	-	RFQ	3962	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				雪崩		TO-252AA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	488-RURD620CCS9A-SB82215PTR	Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	1对普通阴极	200 v	6a	1 V @ 6 A	30 ns	100 µA @ 200 V	-65°C〜175°C
KSD363R	-	RFQ	6340	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		KSD363			40 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1200																													120 v	6 a						1ma（iCBO）	NPN	1V @ 100mA，1a	40 @ 1A，5V	10MHz
HGTP12N60A4	-	RFQ	8043	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		HGTP12N60	标准		167 w	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400				390V，12a，10ohm，15V																								-	600 v	54 a	96 a	2.7V @ 15V，12A	（55µJ）（在55µj），50µJ（50µJ）	78 NC	17NS/96NS
NSBA114TDXV6T1	-	RFQ	4034	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SOT-563，SOT-666		NSBA114			500MW	SOT-563	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000																													50V	100mA						500NA	2 PNP-）	250mv @ 1mA，10mA	160 @ 5mA，10v	-	10KOHMS	-
FQB2N60TM	-	RFQ	7003	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		FQB2		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道						600 v	2.4A（TC）	10V	4.7ohm @ 1.2A，10V	5V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±30V	350 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），64W（tc）
PZT2222AT3G	0.4500	RFQ	15	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		PZT2222			1.5 w	SOT-223（TO-261）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	4,000																													40 V	600 MA						10NA（ICBO）	NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
EMD5DXV6T5G	-	RFQ	4819	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SOT-563，SOT-666		EMD5DXV6			500MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000																													50V	100mA						500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v / 20 @ 5mA，10V	-	4.7KOHM，47KOHM	10KOHMS，47KOHMS
MSR1560G	1.7900	RFQ	9	Onmi	SwitchMode™	管子	积极的		通过洞	TO-220-2		MSR1560		标准		TO-220-2	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																		600 v		1.8 V @ 15 A	45 ns	15 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	15a	-
2N5089	-	RFQ	4720	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3		2N5089			625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	2N5089OS	Ear99	8541.21.0095	5,000																													25 v	50 mA						50NA（iCBO）	NPN	500mv @ 1mA，10mA	400 @ 100µA，5V	50MHz
mpsh17g	-	RFQ	3321	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3		MPSH17			350MW	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	mpsh17gos	Ear99	8541.21.0075	5,000					24dB																								15V	-							NPN		25 @ 5mA，10v	800MHz			6DB @ 200MHz
FSAM15SH60	-	RFQ	7263	Onmi	SPM®	管子	过时的		通过洞	32-PowerDip 模块（1.370英寸，34.80mm）	IGBT	FSAM15					下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	48	3期					15 a	600 v	2500vrms
NJVMJD253T4G-VF01	-	RFQ	8170	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		NJVMJD253			12.5 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																													100 v	4 a						100NA（ICBO）	PNP	600mv @ 100mA，1a	40 @ 200ma，1V	40MHz
FDN302P	0.5300	RFQ	3470	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		FDN302		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道						20 v	2.4A（TA）	2.5V，4.5V	55mohm @ 2.4a，4.5V	1.5V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±12V	882 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
MJD45H11TF	-	RFQ	8038	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MJD45			1.75 w	D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000																													80 V	8 a						10µA	PNP	1V @ 400mA，8a	40 @ 4A，1V	40MHz
NTLJD3183CZTAG	-	RFQ	2746	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫		NTLJD31		MOSFET （金属 o化物）	710MW	6-WDFN（2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道								20V	2.6a，2.2a		68mohm @ 2A，4.5V	1V @ 250µA	7NC @ 4.5V		355pf @ 10V	逻辑级别门
KSC1675YBU	-	RFQ	4311	Onmi	-	大部分	过时的	-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		KSC1675			250兆	TO-92-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																													30 V	50 mA						100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 1mA，10mA	120 @ 1mA，6v	300MHz
BD37925STU	-	RFQ	3283	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3		BD379			25 w	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	60																													80 V	2 a						2µA（ICBO）	NPN	1V @ 100mA，1a	150 @ 150mA，2V	-
BC548TAR	-	RFQ	9663	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		BC548			500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																													30 V	100 ma						15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	300MHz
MMBT3904TT1G	0.1800	RFQ	23	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416		MMBT3904			300兆	SC-75，SOT-416	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																													40 V	200 ma						-	NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
NTD4815NHT4G	-	RFQ	6019	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		NTD48		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						30 V	6.9a（ta），35a（tc）	4.5V，11.5V	15mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	6.8 NC @ 4.5 V	±20V	845 pf @ 12 V	-	1.26W（TA），32.6W（tc）
2SC4487T-AN	-	RFQ	9295	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	SC-71		2SC4487			1 w	3-nmp	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																													50 V	300 MA						1µA（ICBO）	NPN	500mv @ 100mA，2a	200 @ 100mA，2V	150MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²