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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（ih）（IH））	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	当前 -关闭状态（最大）	scr	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FQAF44N10	-	RFQ	8833	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	FQAF4	MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	360		n通道		100 v	33A（TC）	10V	39mohm @ 16.5a，10v	4V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±25V	1800 pf @ 25 V	-	85W（TC）
MJE800G	-	RFQ	5122	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	MJE800		40 W	TO-126	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500																															60 V	4 a	100µA			npn-达灵顿	2.5V @ 30mA，1.5a	750 @ 1.5A，3V	-
BUH50	-	RFQ	8734	Onmi	SwitchMode™	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BUH50		50 W	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																															500 v	4 a	100µA			NPN	1V @ 1a，3a	5 @ 2a，5v	4MHz
BD675	-	RFQ	2192	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD675		40 W	TO-126	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500																															45 v	4 a	500µA			npn-达灵顿	2.5V @ 30mA，1.5a	750 @ 1.5A，3V	-
NSS30201MR6T1G	0.6100	RFQ	5	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	NSS30201		535 MW	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																															30 V	2 a	100NA			NPN	75mv @ 1mA，100mA	300 @ 500mA，5V	300MHz
PN200_D27Z	-	RFQ	9203	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PN200		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																															45 v	500 MA	50NA			PNP	400mv @ 20mA，200mA	100 @ 150mA，1V	250MHz
BC559	-	RFQ	3230	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC559		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																															30 V	100 ma	15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	150MHz
TIP126TU	-	RFQ	8224	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TIP126		2 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																															80 V	5 a	2mA			pnp-达灵顿	4V @ 20mA，5a	1000 @ 3a，3v	-
FDS4780	-	RFQ	8218	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS47	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		40 V	10.8a（ta）	10V	10.5MOHM @ 10.8a，10V	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	1686 PF @ 20 V	-	2.5W（TA）
MMBD1504A_D87Z	-	RFQ	1189	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBD15	标准		SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度																					1对普通阴极	200 v	200mA	1.1 V @ 200 ma		10 na @ 180 V	150°C （最大）
MUR210	-	RFQ	4373	Onmi	SwitchMode™	大部分	过时的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	MUR21	标准		轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						100 v		940 mv @ 2 a	30 ns	2 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	2a	-
PZT2222AT3G	0.4500	RFQ	15	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	PZT2222		1.5 w	SOT-223（TO-261）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	4,000																															40 V	600 MA	10NA（ICBO）			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
50C02MH-TL-E	0.3700	RFQ	20	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，平坦的铅	50C02		600兆	3-MCPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																															50 V	500 MA	100NA（ICBO）			NPN	100mV @ 10mA，100mA	300 @ 10mA，2V	500MHz
BDX33BG	1.2100	RFQ	492	Onmi	-	管子	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BDX33		70 W	TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																															80 V	10 a	500µA			npn-达灵顿	2.5V @ 6mA，3a	750 @ 3a，3v	-
KSC2518R	-	RFQ	4658	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSC2518		40 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1200																															400 v	4 a	10µA（ICBO）			NPN	1V @ 300mA，1.5a	20 @ 300mA，5V	-
FJV4110RMTF	-	RFQ	4460	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FJV411		200兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																															40 V	100 ma	100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	200 MHz	10 kohms
SBT80-10Y-E	-	RFQ	9897	Onmi	-	大部分	过时的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SBT80	肖特基		SMP-FD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					1对普通阴极	100 v	8a	800 mv @ 3 a		100 µA @ 50 V	-55°C〜150°C
NTB18N06G	-	RFQ	5250	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB18	MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		60 V	15A（TC）	10V	90MOHM @ 7.5A，10V	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	450 pf @ 25 V	-	48.4W（TC）
NVD6495NLT4G-VF01	1.4000	RFQ	4	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NVD6495	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		100 v	25A（TC）	4.5V，10V	50mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	1024 PF @ 25 V	-	83W（TC）
NRVBD650CTG	-	RFQ	1522	Onmi	汽车，AEC-Q101，SwitchMode™	管子	过时的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NRVBD650	肖特基		DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NRVBD650CTG	Ear99	8541.10.0080	75	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					1对普通阴极	50 V	3a	700 mv @ 3 a		100 µA @ 50 V	-65°C〜175°C
SBAS16LT3G	0.3500	RFQ	20	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SBAS16	标准		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度																						100 v		1.25 V @ 150 mA	6 ns	1 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	200mA	2pf @ 0v，1MHz
MMBTA06_D87Z	-	RFQ	8937	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBTA06		350兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																															80 V	500 MA	100NA			NPN	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
MUN5212DW1T1	-	RFQ	5294	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	MUN52		250MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																															50V	100mA	500NA			2 NPN- 预偏（双重）	250mv @ 300µA，10mA	60 @ 5mA，10v	-	22KOHMS	22KOHMS
NTD40N03RT4G	-	RFQ	9108	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD40	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		25 v	7.8A（ta），32A（tc）	4.5V，10V	16.5MOHM @ 10A，10V	2V @ 250µA	5.78 NC @ 4.5 V	±20V	584 pf @ 20 V	-	1.5W（ta），50W（TC）
fep16jta	-	RFQ	3655	Onmi	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3	FEP16	标准		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					1对公共阳极	600 v	16a	1.5 V @ 8 A	50 ns	10 µA @ 600 V	-55°C〜150°C
1N5241B_S00Z	-	RFQ	3409	Onmi	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5241		500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000																									1.2 V @ 200 ma		2 µA @ 8.4 V							11 V	22欧姆
2SC536E-SPA	-	RFQ	6175	Onmi	*	大部分	积极的									下载					Ear99	8541.21.0075	1,000
MCR12N	-	RFQ	9976	Onmi	-	管子	过时的		-40°C〜125°C	通过洞	TO-220-3	MCR12			TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	50			40 MA											800 v	12 a	1 V	100A @ 60Hz	20 ma	2.2 v	10 µA	标准恢复
1N5360B	-	RFQ	2022	Onmi	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	T-18，轴向	1N5360		5 w	轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	1N5360BOS	Ear99	8541.10.0050	1,000																									1.2 V @ 1 A		500 na @ 19 V							25 v	4欧姆
NRVBA160T3G	-	RFQ	2294	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	do-214ac，SMA	NRVBA160	肖特基		SMA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						60 V		510 MV @ 1 A		200 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	1a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²