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离散半导体产品（（26937）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 类型 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 ECCN htsus 标准包 配置 fet 获得 当前的 电压 电压 -隔离 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT）） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2） 噪声图（ db typ @ f）
FSB50250AB onsemi FSB50250AB -
RFQ
 ECAD 1286 0.00000000 Onmi SPM® 管子 积极的 通过洞 23-PowerDip 模块（0.644英寸，16.35毫米） MOSFET FSB50250 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 180 3期 1.2 a 500 v 1500vrms
DTC123EET1 onsemi DTC123EET1 -
RFQ
 ECAD 9927 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SC-75，SOT-416 DTC123 200兆 SC-75，SOT-416 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 250mv @ 5mA，10mA 8 @ 5mA，10v 2.2 kohms 2.2 kohms
1N5926BG onsemi 1N5926BG 2.6900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Onmi - 大部分 积极的 通过洞 do-204al，do-41，轴向 DO-204AL（DO-41） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.10.0050 112
SZMMSZ20T1G onsemi SZMMSZ20T1G 0.4500
RFQ
 ECAD 6796 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -55°C〜150°C 表面安装 SOD-123 SZMMSZ20 500兆 SOD-123 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 900 mv @ 10 ma 50 na @ 14 V 20 v 55欧姆
MPSA18G onsemi mpsa18g -
RFQ
 ECAD 9519 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 MPSA18 625兆 TO-92（to-226） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 5,000 45 v 200 ma 50NA（iCBO） NPN 300mv @ 5mA，50mA 500 @ 10mA，5v 160MHz
MPSH17_D26Z onsemi MPSH17_D26Z -
RFQ
 ECAD 4517 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 to-226AA） MPSH17 350MW TO-92-3 - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 24dB 15V - NPN 25 @ 5mA，10v 800MHz 6DB @ 200MHz
1N960B_T50R onsemi 1N960B_T50R -
RFQ
 ECAD 5008 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 ±5％ -65°C 〜200°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N960 500兆 do-35 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 25 µA @ 6.9 V 9.1 v 7.5欧姆
NVMFS5C420NLT1G onsemi NVMFS5C420NLT1G 3.3000
RFQ
 ECAD 6423 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powertdfn，5个线索 MOSFET （金属 o化物） 5-DFN （5x6）（8-SOFL） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 40 V 45A（TA），277A （TC） 4.5V，10V 1MOHM @ 50a，10v 2.2V @ 200µA 100 nc @ 10 V ±20V 7020 PF @ 20 V - 3.8W（TA），146W（tc）
BC237_J35Z onsemi BC237_J35Z -
RFQ
 ECAD 1307 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA） BC237 500兆 TO-92-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 45 v 100 ma 15NA NPN 600mv @ 5mA，100mA 120 @ 2mA，5V 250MHz
MMBZ5234ELT1G onsemi MMBZ5234ELT1G -
RFQ
 ECAD 1460 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 ±5％ -55°C〜150°C 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MMBZ52 225兆 SOT-23-3（TO-236） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 900 mv @ 10 ma 5 µA @ 4 V 6.2 v 7欧姆
2V7002WT1G onsemi 2v7002wt1g 0.3800
RFQ
 ECAD 1670年 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 2v7002 MOSFET （金属 o化物） SC-70-3（SOT323） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 60 V 310mA ta） 4.5V，10V 1.6ohm @ 500mA，10v 2.5V @ 250µA 0.7 NC @ 4.5 V ±20V 24.5 pf @ 20 V - 280MW（TJ）
ECH8651R-TL-HX onsemi ECH8651R-TL-HX -
RFQ
 ECAD 7858 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 ECH8651 MOSFET （金属 o化物） 1.5W 8-ech - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 24V 10a 14mohm @ 5A，4.5V - 24NC @ 10V - 逻辑级别门
DTC143TET1G onsemi DTC143TET1G 0.2100
RFQ
 ECAD 4080 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 DTC143 200兆 SC-75，SOT-416 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 250mv @ 1mA，10mA 160 @ 5mA，10v 4.7科姆斯
2SA1347-AC onsemi 2SA1347-AC 0.2800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 下载 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.21.0075 1
MMUN2141LT1G onsemi MMUN2141LT1G 0.0208
RFQ
 ECAD 5815 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MMUN2141 246兆 SOT-23-3（TO-236） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 250mv @ 300µA，10mA 160 @ 5mA，10v 100 kohms
BD136 onsemi BD136 -
RFQ
 ECAD 2158 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-225AA，TO-126-3 BD136 1.25 w TO-126 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 45 v 1.5 a 100NA（ICBO） PNP 500mv @ 50mA，500mA 40 @ 150mA，2V -
NVMFS5C426NLWFT1G onsemi NVMFS5C426NLWFT1G 3.0400
RFQ
 ECAD 430 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powertdfn，5个线索 NVMFS5 MOSFET （金属 o化物） 5-DFN （5x6）（8-SOFL） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 40 V 41A（TA），237A （TC） 4.5V，10V 1.2MOHM @ 50a，10v 2V @ 250µA 93 NC @ 10 V ±20V 5600 pf @ 25 V - 3.8W（TA），128W（tc）
SDTC114YET1G onsemi SDTC114YET1G 0.4100
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 SDTC114 200兆 SC-75，SOT-416 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 250mv @ 300µA，10mA 80 @ 5mA，10v 10 kohms 47科姆斯
BC548CTAR onsemi BC548CTAR -
RFQ
 ECAD 4660 0.00000000 Onmi - （TB） 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA） BC548 500兆 TO-92-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 30 V 100 ma 15NA（icbo） NPN 600mv @ 5mA，100mA 420 @ 2mA，5V 300MHz
MJE200G onsemi MJE200G 0.6500
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Onmi - 大部分 积极的 -65°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-225AA，TO-126-3 MJE200 15 W TO-126 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 500 40 V 5 a 100NA（ICBO） NPN 1.8V @ 1a，5a 45 @ 2a，1V 65MHz
BC32816TA onsemi BC32816TA -
RFQ
 ECAD 3419 0.00000000 Onmi - （TB） 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA） BC328 625兆 TO-92-3 - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 25 v 800 MA 100NA PNP 700mv @ 50mA，500mA 100 @ 100mA，1V 100MHz
EFC4611-TR onsemi EFC4611-Tr 0.3400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000
BC182BG onsemi BC182BG -
RFQ
 ECAD 4196 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 BC182 350兆 TO-92（to-226） - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 5,000 50 V 100 ma 15NA（icbo） NPN 600mv @ 5mA，100mA 180 @ 2mA，5v 200MHz
NTLGD3502NT2G onsemi NTLGD3502NT2G -
RFQ
 ECAD 3167 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 NTLGD3502 MOSFET （金属 o化物） 1.74W 6-DFN （3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 4.3a，3.6a 60mohm @ 4.3A，4.5V 2V @ 250µA 4NC @ 4.5V 480pf @ 10V 逻辑级别门
BC548BTFR onsemi BC548BTFR -
RFQ
 ECAD 7638 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA） BC548 500兆 TO-92-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 30 V 100 ma 15NA（icbo） NPN 600mv @ 5mA，100mA 200 @ 2mA，5V 300MHz
2N4402_D81Z onsemi 2N4402_D81Z -
RFQ
 ECAD 9406 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA） 2N4402 625兆 TO-92-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 40 V 600 MA - PNP 750mv @ 50mA，500mA 50 @ 150mA，2V -
SZ1SMA5942BT3G onsemi SZ1SMA5942BT3G 0.7000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -65°C〜150°C 表面安装 do-214ac，SMA SZ1SMA5942 1.5 w SMA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 200 ma 500 NA @ 38.8 V 51 v 70欧姆
NST3906DXV6T1 onsemi NST3906DXV6T1 -
RFQ
 ECAD 6737 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 NST3906 500MW SOT-563 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 4,000 40V 200mA - 2 PNP （双） 400mv @ 5mA，50mA 100 @ 10mA，1V 250MHz
NVLJD4007NZTAG onsemi NVLJD4007NZTAG -
RFQ
 ECAD 6549 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 NVLJD4007 MOSFET （金属 o化物） 755MW 6-WDFN（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 245mA 7ohm @ 125mA，4.5V 1.5V @ 100µA 0.75nc @ 4.5V 20pf @ 5V 逻辑级别门
BC559ABU onsemi BC559ABU -
RFQ
 ECAD 9503 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 to-226AA） BC559 500兆 TO-92-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1,000 30 V 100 ma 15NA（icbo） PNP 650mv @ 5mA，100mA 110 @ 2mA，5V 150MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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