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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
KSE5741TU	-	RFQ	6609	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSE57		80 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000																						350 v	8 a	-			npn-达灵顿	3V @ 400mA，8a	200 @ 4A，5V	-
NTB13N10G	-	RFQ	3669	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB13	MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	13A（TA）	10V	165mohm @ 6.5a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	550 pf @ 25 V	-	64.7W（TA）
MBRS140LT3G	-	RFQ	3815	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	DO-214AA，SMB	MBRS140	肖特基		SMB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													40 V		500 mv @ 1 A		400 µA @ 40 V	-55°C〜125°C	1a	-
SZMMSZ5248BT1G	0.3700	RFQ	5647	Onmi	汽车，AEC-Q101，SZMMSZ52XXXT1G	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	SZMMSZ52		500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																900 mv @ 10 ma		100 na @ 14 V							18 V	21欧姆
FJA4310OTU	3.3600	RFQ	1881年	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FJA4310		100 W	to-3p	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2832-fja4310otu	Ear99	8541.29.0075	30																						140 v	10 a	10µA（ICBO）			NPN	500mv @ 500mA，5a	70 @ 3A，4V	30MHz
1N748A_T50A	-	RFQ	7766	Onmi	-	（TB）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N748		500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																1.5 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V							3.9 v	23欧姆
FDFC3N108	-	RFQ	7402	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FDFC3	MOSFET （金属 o化物）		SuperSot™-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	3A（3A）	2.5V，4.5V	70MOHM @ 3A，4.5V	1.5V @ 250µA	4.9 NC @ 4.5 V	±12V	355 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	-
mmun2235lt1g	0.1300	RFQ	105	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMUN2235		246兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																						50 V	100 ma	500NA			npn-预先偏见	250mv @ 1mA，10mA	80 @ 5mA，10v		2.2 kohms	47科姆斯
MJE5851	-	RFQ	2100	Onmi	SwitchMode™	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	MJE58		80 W	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																						350 v	8 a	-			PNP	5V @ 3a，8a	5 @ 5A，5V	-
2SA1774T1G	0.2000	RFQ	573	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	2SA1774		150兆	SC-75，SOT-416	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																						50 V	100 ma	500NA（ICBO）			PNP	500mv @ 5mA，50mA	120 @ 1mA，6v	140MHz
NTS10120EMFST3G	-	RFQ	1310	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTS10120	肖特基		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													120 v		820 mv @ 10 a		30 µA @ 120 V	-55°C 〜175°C	10a	-
FQPF5N30	-	RFQ	9822	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF5	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	300 v	3.9a（TC）	10V	900MOHM @ 1.95a，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	430 pf @ 25 V	-	35W（TC）
M1MA151WAT1G	0.0362	RFQ	15	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	M1MA151	标准		SC-59	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度												1对公共阳极	40 V	100mA（dc）	1.2 V @ 100 ma	10 ns	100 na @ 35 V	150°C （最大）
FDU3N50NZTU	-	RFQ	4202	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FDU3N50	MOSFET （金属 o化物）		DPAK3（IPAK）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2156-FDU3N50NZTU-488	Ear99	8541.29.0095	5,040		n通道	500 v	2.5A（TC）	10V	2.5OHM @ 1.25A，10V	5V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±25V	280 pf @ 25 V	-	40W（TC）
MBR0530T1G	0.3900	RFQ	3460	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-123	MBR0530	肖特基		SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													30 V		430 MV @ 500 mA		130 µA @ 30 V	-65°C〜125°C	500mA	-
BZX84C12ET1	-	RFQ	3686	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84C12		225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	BZX84C12ET1OS	Ear99	8541.10.0050	3,000																900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V							12 v	25欧姆
FQB17P10TM	-	RFQ	3680	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB1	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道	100 v	16.5A（TC）	10V	190MOHM @ 8.25a，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	3.75W（TA），100W（TC）
KSD471ACGBU	-	RFQ	8329	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	KSD471		800兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																						30 V	1 a	100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 100mA，1a	200 @ 100mA，1V	130MHz
1N4005	-	RFQ	6723	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4005	标准		do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													600 v		1.1 V @ 1 A		10 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
FJP5021Y	-	RFQ	9772	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FJP5021		50 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200																						500 v	5 a	10µA（ICBO）			NPN	1V @ 600mA，3a	30 @ 600mA，5V	18MHz
FJV4108RMTF	-	RFQ	4417	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FJV410		200兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																						50 V	100 ma	100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	200 MHz	47科姆斯	22 KOHMS
BZX84C20	-	RFQ	9388	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±6％	-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84C20		350兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																900 mv @ 10 ma		50 na @ 14 V							20 v	55欧姆
DTA143EET1G	0.2100	RFQ	8	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-75，SOT-416	DTA143		200兆	SC-75，SOT-416	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																						50 V	100 ma	500NA			pnp-预先偏见	250mv @ 1mA，10mA	15 @ 5mA，10v		4.7科姆斯	4.7科姆斯
FJAF4310YTU	-	RFQ	2571	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	FJAF4310		80 W	to-3pf	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	360																						140 v	10 a	10µA（ICBO）			NPN	500mv @ 500mA，5a	90 @ 3a，4v	30MHz
NTGS3446T1G	0.6900	RFQ	7	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	NTGS3446	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	2.5a（ta）	2.5V，4.5V	45MOHM @ 5.1A，4.5V	1.2V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±12V	750 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
BC817-16LT1	-	RFQ	7268	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC817		300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																						45 v	500 MA	100NA（ICBO）			NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
KSP75TA	-	RFQ	7716	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSP75		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																						40 V	500 MA	500NA			pnp-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	-
MJW21192G	-	RFQ	5316	Onmi	-	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	MJW21		125 w	TO-247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30																						150 v	8 a	10µA			NPN	2V @ 1.6a，8a	15 @ 4A，2V	4MHz
BAT54CLT1G	0.1600	RFQ	2093	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAT54	肖特基		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度												1对普通阴极	30 V	200ma（dc）	800 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 25 V	-55°C〜125°C
KSP63TF	-	RFQ	7007	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSP63		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																						30 V	500 MA	100NA（ICBO）			pnp-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	125MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²