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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	当前 -关闭状态（最大）	scr	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
flz3v9b	-	RFQ	2357	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80	FLZ3		500兆	SOD-80	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500																								1.2 V @ 200 ma		1.4 µA @ 1 V							4 V	40欧姆
FDD18N20LZ	1.8800	RFQ	4986	Onmi	Unifet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD18N20	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		200 v	16A（TC）	5V，10V	125mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	1575 PF @ 25 V	-	89W（TC）
2N3906G	-	RFQ	9129	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2N3906		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000																														40 V	200 ma	-			PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
FQPF15P12	-	RFQ	1687年	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF15	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			P通道		120 v	15A（TC）	10V	200mohm @ 7.5A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	41W（TC）
1N4750A-T50A	0.4000	RFQ	13	Onmi	-	（CT）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4750		1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																										5 µA @ 20.6 V							27 V	35欧姆
FJPF5021RTSTU	-	RFQ	9869	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FJPF5021		40 W	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																														500 v	5 a	10µA（ICBO）			NPN	1V @ 600mA，3a	15 @ 600mA，5V	15MHz
MM5Z4699T5G	0.0583	RFQ	9261	Onmi	MM5Z4XXXTXG	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523			500兆	SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-MM5Z4699T5GTR	Ear99	8541.10.0050	8,000																								900 mv @ 10 ma		50 NA @ 9.1 V							12 v
BC238ABU	-	RFQ	3358	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC238		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																														25 v	100 ma	15NA			NPN	600mv @ 5mA，100mA	120 @ 2mA，5V	250MHz
CPH6414-TL-E	0.1700	RFQ	444	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3,000
2N6490	-	RFQ	8124	Onmi	-	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	2N6490		1.8 w	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																														60 V	15 a	1ma			PNP	3.5V @ 5a，15a	20 @ 5A，4V	5MHz
KSD227GTA	-	RFQ	9529	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSD227		400兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																														25 v	300 MA	100NA（ICBO）			NPN	400mv @ 30mA，300mA	200 @ 50mA，1V	-
KSC945GTA	-	RFQ	1337	Onmi	-	（CT）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSC945		250兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																														50 V	150 ma	100NA（ICBO）			NPN	300mv @ 10mA，100mA	200 @ 1mA，6v	300MHz
NZT902	0.8200	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	NZT902		1 w	SOT-223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	4,000																														90 v	3 a	100NA（ICBO）			NPN	600mv @ 300mA，3a	80 @ 1A，2V	75MHz
MRA4004T3G	0.3700	RFQ	5812	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-214ac，SMA	MRA4004	标准		SMA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																					400 v	1.1 V @ 1 A		10 µA @ 400 V	-55°C 〜175°C	1a	-
BC516_D75Z	-	RFQ	8689	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC516		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																														30 V	1 a	100NA（ICBO）			pnp-达灵顿	1V @ 100µA，100mA	30000 @ 20mA，2V	200MHz
BC558B	-	RFQ	3913	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC558		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																														30 V	100 ma	15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	150MHz
ECH8651R-R-TL-HX	-	RFQ	2931	Onmi	-	大部分	过时的		-	-	-	ECH8651	-	-	-	-		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	-				-	-		-	-	-		-	-
FDD8453LZ	1.7300	RFQ	64	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD8453	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		40 V	16.4a（TA），50a （TC）	4.5V，10V	6.7MOHM @ 15A，10V	3V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	3515 PF @ 20 V	-	3.1W（TA），65W（tc）
NHP120SFT3G	0.5000	RFQ	8218	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-123F	NHP120	标准		SOD-123FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	10,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					200 v	1 V @ 1 A	25 ns	500 na @ 200 V	-65°C〜175°C	1a	-
MM5Z56V	-	RFQ	7590	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±7％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523F	MM5Z5		200兆	SOD-523F	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000																										50 NA @ 39.2 V							56 v	200欧姆
MUN5211T1G	0.1800	RFQ	8162	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	MUN5211		202兆	SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																														50 V	100 ma	500NA			npn-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	35 @ 5mA，10v		10 kohms	10 kohms
FJAF4310RTU	-	RFQ	3738	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	FJAF4310		80 W	to-3pf	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	30																														140 v	10 a	10µA（ICBO）			NPN	500mv @ 500mA，5a	50 @ 3a，4v	30MHz
NSBA143TDXV6T5G	-	RFQ	2493	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOT-563，SOT-666	NSBA143		500MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000																														50V	100mA	500NA			2 PNP-）	250mv @ 1mA，10mA	160 @ 5mA，10v	-	4.7kohms	-
BC546ATA	-	RFQ	4322	Onmi	-	（CT）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC546		500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																														65 v	100 ma	15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	300MHz
MM5Z8V2ST1	-	RFQ	5442	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523	MM5Z8		200兆	SOD-523	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																								900 mv @ 10 ma		700 na @ 5 V							8.2 v	15欧姆
2n6111g	-	RFQ	4174	Onmi	-	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	2N6111		40 W	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																														30 V	7 a	1ma			PNP	3.5V @ 3a，7a	30 @ 3a，4v	10MHz
FFSP1665A	6.0600	RFQ	800	Onmi	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-2	FFSP1665	SIC （碳化硅）		TO-220-2	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	800		没有恢复t> 500mA（IO）																					650 v	1.75 V @ 16 A	0 ns	200 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	16a	887pf @ 1V，100kHz
FQD6N25TF	-	RFQ	5372	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD6	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道		250 v	4.4A（TC）	10V	1欧姆 @ 2.2A，10V	5V @ 250µA	8.5 NC @ 10 V	±30V	300 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），45W（（（（（（（（（（
NTMFS5C442NLT3G	0.9784	RFQ	9940	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道		40 V	27A（27A），130A （TC）	4.5V，10V	2.8mohm @ 50a，10v	2V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	3100 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），69w（tc）
mcr22-6rlrag	-	RFQ	6505	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜110°C	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MCR22			TO-92（to-226）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2,000				5 ma											400 v	1.5 a	800 mv	15a @ 60hz	200 µA	1.7 v	10 µA	敏感门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²