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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	功率 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
2N6490	-	RFQ	8124	Onmi	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		2N6490		1.8 w	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																											60 V	15 a	1ma	PNP	3.5V @ 5a，15a	20 @ 5A，4V	5MHz
MCH5541-TL-E	-	RFQ	8493	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD（5条线），平坦的铅		MCH5541		500MW	5-MCPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																											30V	700mA	100NA（ICBO）	NPN，PNP （发射器耦合）	190mv @ 10mA，200ma / 220mv @ 10mA，200mA	300 @ 50mA，2V	540MHz，520MHz
murb1660ctt4	-	RFQ	7353	Onmi	SwitchMode™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		Murb16	标准		D²Pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	800		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																1对普通阴极	600 v	8a	1.5 V @ 8 A	60 ns	10 µA @ 600 V	-65°C〜175°C
SS15FA	0.5100	RFQ	2	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOD-123W		SS15	肖特基		SOD-123FA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	50 V		700 mv @ 1 A		400 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	1a	55pf @ 4V，1MHz
MURS360T3G	0.6200	RFQ	8852	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	DO-214AB，SMC		MURS360	标准		SMC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	600 v		1.25 V @ 3 A	75 ns	10 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	3a	-
uma4nt1g	-	RFQ	1722年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353		MA4		150MW	SC-88A（SC-70-5/SOT-353）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	uma4nt1gos	Ear99	8541.21.0095	3,000																											50V	100mA	500NA	2 PNP-）	250mv @ 300µA，10mA	160 @ 5mA，10v	-	10KOHMS	-
FDD18N20LZ	1.8800	RFQ	4986	Onmi	Unifet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		FDD18N20	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					200 v	16A（TC）	5V，10V	125mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	1575 PF @ 25 V	-	89W（TC）
BD440S	0.9100	RFQ	1	Onmi	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3		BD440		36 W	TO-126-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000																											60 V	4 a	100µA	PNP	800mv @ 200mA，2a	40 @ 500mA，1V	3MHz
KSE13003H2AS	-	RFQ	8830	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3		KSE13003		20 w	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000																											400 v	1.5 a	-	NPN	3V @ 500mA，1.5a	14 @ 500mA，2V	4MHz
MJE13005G	-	RFQ	6070	Onmi	SwitchMode™	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MJE13		2 w	TO-220	下载		（1 （无限）	到达不受影响	MJE13005GOS	Ear99	8541.29.0095	50																											400 v	4 a	-	NPN	1V @ 1A，4A	8 @ 2a，5v	4MHz
MJW0302A	-	RFQ	1817年	Onmi	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MJW03		150 w	TO-247-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000																											260 v	15 a	10µA（ICBO）	PNP	1V @ 500mA，5a	75 @ 3a，5v	30MHz
KSD227GTA	-	RFQ	9529	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		KSD227		400兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																											25 v	300 MA	100NA（ICBO）	NPN	400mv @ 30mA，300mA	200 @ 50mA，1V	-
FQP2P40	-	RFQ	3292	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		FQP2	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道					400 v	2A（TC）	10V	6.5OHM @ 1A，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	350 pf @ 25 V	-	63W（TC）
2n6107g	-	RFQ	3357	Onmi	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		2N6107		40 W	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2n6107gos	Ear99	8541.29.0095	50																											70 v	7 a	1ma	PNP	3.5V @ 3a，7a	30 @ 2a，4v	10MHz
Bay72_T50R	-	RFQ	2516	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		Bay72	标准		do-35	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	30,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																	125 v		1 V @ 100 ma	50 ns	100 na @ 100 V	175°c （最大）	200mA	5pf @ 0v，1MHz
NTMJS2D5N06CLTWG	3.5263	RFQ	9282	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56		NTMJS2	MOSFET （金属 o化物）		8-lfpak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道					60 V	3.9a（ta），113a（tc）	4.5V，10V	2.4mohm @ 50a，10v	2V @ 135µA	52 NC @ 10 V	±20V	3600 PF @ 25 V	-	3.9W（TA），113A （TC）
NTLJS4114NTAG	0.6900	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫		NTLJS4114	MOSFET （金属 o化物）		6-WDFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道					30 V	3.6a（ta）	1.8V，4.5V	35MOHM @ 2A，4.5V	1V @ 250µA	13 NC @ 4.5 V	±12V	650 pf @ 15 V	-	700MW（TA）
2SC6017-TL-EX	-	RFQ	2167	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		2SC6017		950兆	TP-FA	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	700																											50 V	10 a	10µA（ICBO）	NPN	360mv @ 250mA，5a	200 @ 1A，2V	200MHz
FDC655BN_NBNN007	-	RFQ	8529	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		FDC655	MOSFET （金属 o化物）		SuperSot™-6	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道					30 V	6.3a（ta）	4.5V，10V	25mohm @ 6.3a，10v	3V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	620 pf @ 15 V	-	800MW
FSBF10CH60BT	-	RFQ	1964年	Onmi	motionspm®3	管子	过时的		通过洞	27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm）	IGBT	FSBF1				下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	60	3期				10 a	600 v	2500vrms
MUR140RL	-	RFQ	7818	Onmi	SwitchMode™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		通过洞	do-204al，do-41，轴向		MUR14	标准		轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	400 v		1.25 V @ 1 A	75 ns	5 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	-
SB360	-	RFQ	7591	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		通过洞	DO-201 AD，轴向		SB36	肖特基		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,250		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	60 V		740 mv @ 3 a		500 µA @ 60 V	-65°C〜125°C	3a	180pf @ 4V，1MHz
BC847CMTF	-	RFQ	7969	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BC847		310 MW	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																											45 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	300MHz
NSV1C300ET4G	0.8200	RFQ	2776	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		NSV1C300		2.1 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																											100 v	3 a	100NA（ICBO）	PNP	400mv @ 300mA，3a	120 @ 1A，2V	100MHz
RFD3055SM	-	RFQ	2138	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		RFD30	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,800			n通道					60 V	12A（TC）	10V	150MOHM @ 12A，10V	4V @ 250µA	23 NC @ 20 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	53W（TC）
BC847CDXV6T5G	-	RFQ	5481	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666		BC847		500MW	SOT-563	下载		（1 （无限）	到达不受影响	BC847CDXV6T5GOS	Ear99	8541.21.0075	8,000																											45V	100mA	15NA（icbo）	2 NPN （双）	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
FES16AT	-	RFQ	6286	Onmi	-	管子	过时的		通过洞	TO-220-2		FES16	标准		TO-220-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	50 V		950 MV @ 8 A	35 ns	10 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	16a	170pf @ 4V，1MHz
NRVUD620CTT4G	-	RFQ	9918	Onmi	SwitchMode™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		NRVUD620	标准		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																1对普通阴极	200 v	3a	1 V @ 3 A	35 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C
mpsh10_d75z	-	RFQ	4399	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		MPSH10		350MW	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000				-																							25V	50mA		NPN		60 @ 4mA，10v	650MHz			-
NTMFS4834NT1G	-	RFQ	7786	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		NTMFS4834	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道					30 V	13A（13A），130A （TC）	4.5V，11.5V	3mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	48 NC @ 4.5 V	±20V	4500 pf @ 12 V	-	900MW（TA），86.2W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²