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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	（CIES） @ vce	电阻-RDS（（在）
FDPF7N50U	-	RFQ	6885	Onmi	Unifet™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FDPF7		MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		500 v	5A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.5A，10V	5V @ 250µA	16.6 NC @ 10 V	±30V	940 pf @ 25 V	-	39W（TC）
FGD5T120SH	1.7400	RFQ	1717年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FGD5T120	标准		69 W		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500				600V，5A，30OHM，15V																				沟渠场停止	1200 v	10 a	12.5 a	3.6V @ 15V，5A	（247µJ）（在），94µJ（94µJ）中	6.7 NC	4.8NS/24.8NS
NTLTS3107PR2G	0.7200	RFQ	3	Onmi	-	大部分	过时的					NTLTS31						下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000
TE02555T	0.3300	RFQ	2	Onmi	*	大部分	积极的											-	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1
NRVUD620CTG-VF01	0.2373	RFQ	4109	Onmi	SwitchMode™	管子	过时的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NRVUD620		标准			DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	75		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	200 v	3a	1 V @ 3 A	35 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C
2SA984KE-AA	0.0600	RFQ	10	Onmi	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
NVMFD030N06CT1G	0.9440	RFQ	7892	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NVMFD030		MOSFET （金属 o化物）	3.2W（TA），23W（tc）		8-dfn（5x6）（SO8FL偶）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVMFD030N06CT1GTR	Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）				60V	7a（7A）（19a tc）（TC）		29.7MOHM @ 3A，10V	4V @ 13µA	4.7NC @ 10V		255pf @ 30V	-
FDMC7672	1.1000	RFQ	5	Onmi	PoterTrench®，SyncFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMC76		MOSFET （金属 o化物）			8-mlp（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		30 V	16.9a（ta），20a （TC）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 16.9A，10V	3V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±20V	3890 pf @ 15 V	-	2.3W（TA），33w（tc）
EC3H02B-TL	0.0700	RFQ	160	Onmi	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	10,000
FQPF33N10	1.5600	RFQ	324	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF3		MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		100 v	18A（TC）	10V	52MOHM @ 9A，10V	4V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±25V	1500 pf @ 25 V	-	41W（TC）
NGTB75N60SWG	-	RFQ	4324	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NGTB75	标准		595 w		TO-247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，75A，10欧姆，15V															80 ns					-	600 v	100 a	200 a	2V @ 15V，75a	1.5mj（在）上，1MJ（1MJ）	310 NC	110NS/270NS
NVMFD024N06CT1G	2.2600	RFQ	2639	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NVMFD024		MOSFET （金属 o化物）	3.1W（TA），28W（tc）		8-dfn（5x6）（SO8FL偶）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）				60V	8a（8a ta），24a （TC）		22.6mohm @ 3a，10v	4V @ 20µA	5.7nc @ 10V		333pf @ 30V	-
SZNZ9F4V7ST5G	0.5000	RFQ	15	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOD-923	sznz9			250兆		SOD-923	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000																		900 mv @ 10 ma		2 µA @ 1 V																4.7 v	100欧姆
MMBFJ176	0.4700	RFQ	60	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBFJ1			225兆		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道									-																				30 V	2 ma @ 15 V	1 V @ 10 na					250欧姆
NRVTS560ETFSTAG	-	RFQ	2324	Onmi	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	8-Powerwdfn	NRVTS560		肖特基			8-WDFN（3.3x3.3）	下载				488-NRVTS560ETFSTAG			1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														60 V		680 mv @ 5 a		50 µA @ 60 V	-55°C 〜175°C	5a	-
NVMFS4C308NT1G	0.6678	RFQ	7161	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索			MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVMFS4C308NT1GTR	Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道		30 V	17.2a（ta），55a tc）	4.5V，10V	4.8mohm @ 30a，10v	2.1V @ 250µA	18.2 NC @ 10 V	±20V	1670 pf @ 15 V	-	3W（3），30.6W（TC）
HGTP12N60C3	-	RFQ	7226	Onmi	-	管子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	HGTP12N60	标准		104 w		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400				-																				-	600 v	24 a	96 a	2V @ 15V，12A	（380µJ）（在900µJ上）	48 NC	-
FGAF20S65AQ	-	RFQ	7277	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	FGAF20	标准		75 w		TO-3PF-3	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，10a，23ohm，15V															235 ns					沟渠场停止	650 v	40 a	60 a	2.1V @ 15V，20A	345µJ（在）上，95µj（（）	38 NC	18NS/102NS
afghl40t120rh	-	RFQ	4139	Onmi	汽车，AEC-Q101	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	afghl40	标准		400 w		TO-247-3	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-AFGHL40T120RH	Ear99	8541.29.0095	450				600V，40a，5ohm，15V															195 ns					沟渠场停止	1250 v	48 a	160 a	2.4V @ 15V，40a	3.7mj（在）上，1.2MJ off）	277 NC	37NS/150NS
FDS86106	1.2800	RFQ	15	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS86		MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		100 v	3.4a（ta）	6V，10V	105MOHM @ 3.4A，10V	4V @ 250µA	4 NC @ 10 V	±20V	208 PF @ 50 V	-	5W（ta）
NXH160T120L2Q2F2SG	-	RFQ	1000	Onmi	*	托盘	过时的					NXH160						下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	12
NVTYS007N04CLTWG	0.6142	RFQ	6586	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56			MOSFET （金属 o化物）			8-lfpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVTYS007N04CLTWGTR	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		40 V	（16a）（ta），54A（tc）	4.5V，10V	7.3mohm @ 10a，10v	2.2V @ 30µA	16 NC @ 10 V	±20V	900 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），38W（tc）
NXH40B120MNQ1SNG	172.4100	RFQ	21	Onmi	-	托盘	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块				156 w	标准	32-PIM（71x37.4）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NXH40B120MNQ1SNG	Ear99	8541.29.0095	21	三重，双重来源																							-				-							是的			3.227 NF @ 800 V
SZMM5Z6V2T5G	0.1061	RFQ	4596	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6.45％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	SZMM5			500兆		SOD-523	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-SZMM5Z6V2T5GTR	Ear99	8541.10.0050	8,000																		900 mv @ 10 ma		3 µA @ 4 V																6.2 v	10欧姆
2SB1395T-AA	0.1000	RFQ	54	Onmi	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
SZ1SMB5926BT3G-VF01	-	RFQ	7338	Onmi	汽车，AEC-Q101	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	DO-214AA，SMB				550兆		SMB	-			到达不受影响	488-SZ1SMB5926BT3G-VF01	Ear99	8541.10.0050	1																		1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 8.4 V																11 V	5.5欧姆
SMSZ1600-32T1	0.0200	RFQ	96	Onmi	*	大部分	积极的											-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000
MCH6661-TL-W	-	RFQ	5037	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	MCH6661		MOSFET （金属 o化物）	800MW		SC-88FL/MCPH6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）				30V	1.8a		188mohm @ 900mA，10v	2.6V @ 1mA	2NC @ 10V		88pf @ 10V	逻辑水平门，4V驱动器
FGB3040CS-SB82142	-	RFQ	5334	Onmi	-	大部分	过时的					FGB3040						-				488-FGB3040CS-SB82142	过时的		1
FDMC8296	-	RFQ	8341	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMC82		MOSFET （金属 o化物）			8-mlp（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		30 V	12a（12A），18A （TC）	4.5V，10V	8mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	1385 pf @ 15 V	-	2.3W（27W），27W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²