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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
2N7051_D10Z	-	RFQ	2144	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N7051			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	2,000																																100 v	1.5 a					200NA			npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	1000 @ 1A，5V	200MHz
FJP13009H2	-	RFQ	5787	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FJP13009			100 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	200																																400 v	12 a					-			NPN	3V @ 3a，12a	15 @ 5A，5V	4MHz
MMBT6429LT1G	0.1900	RFQ	45	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT6429			225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000																																45 v	200 ma					100NA			NPN	600mv @ 5mA，100mA	500 @ 100µA，5V	700MHz
1N4933RL	-	RFQ	1078	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4933		标准		轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					50 V		1.2 V @ 1 A	300 ns	5 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	1a	-
PN2907ATAR	0.4000	RFQ	31	Onmi	-	（CT）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PN2907			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	2,000																																60 V	800 MA					20NA（ICBO）			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
SMMBT5401LT1G	0.4200	RFQ	53	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SMMBT5401			300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000																																150 v	500 MA					50NA（iCBO）			PNP	500mv @ 5mA，50mA	60 @ 10mA，5V	300MHz
NVMFS6B03NT3G	-	RFQ	4918	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS6		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道			100 v	145a（TC）	10V	4.8mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±16V	4200 PF @ 50 V	-	3.9W（TA），198W（TC）
SBAV99WT1G	0.3400	RFQ	52	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	SBAV99		标准		SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																				1对系列连接	100 v	215ma	1.25 V @ 150 mA	6 ns	1 µA @ 100 V	-65°C〜150°C
BC549TAR	-	RFQ	4750	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC549			500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	2,000																																30 V	100 ma					15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	300MHz
NSVBC850CLT1G	0.0541	RFQ	6546	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NSVBC850			225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000																																45 v	100 ma					15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
FKPF12N80YDTU	-	RFQ	7593	Onmi	-	管子	过时的		-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FKPF1				TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.30.0080	800	单身的			50 mA												标准	800 v	12 a	1.5 v	120a，132a	30 ma
flz39vb	-	RFQ	2883	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80	FLZ39			500兆	SOD-80	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	2,500																									1.2 V @ 200 ma		133 na @ 30 V												36.3 v	72欧姆
FDB86563-F085	3.8700	RFQ	4845	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB86563		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800			n通道			60 V	110A（TC）	10V	1.8mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	163 NC @ 10 V	±20V	10100 PF @ 30 V	-	333W（TC）
IRFU220_R4941	-	RFQ	9888	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	irfu2		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	75			n通道			200 v	4.6A（TC）	10V	800MOHM @ 2.4a，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	330 pf @ 25 V	-	50W（TC）
2SC5569-TD-E	0.9500	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SC5569			1.3 w	SOT-89/PCP-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1,000																																50 V	7 a					100NA（ICBO）			NPN	240mv @ 175mA，3.5a	200 @ 500mA，2V	330MHz
BC559CBU	-	RFQ	6135	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC559			500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	1,000																																30 V	100 ma					15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	150MHz
MRS1504T3G	0.4100	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB	MRS1504		标准		SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	2,500		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																					400 v		1.04 V @ 1.5 A		1 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	1.5a	-
SBAV70LT1G	0.3500	RFQ	16	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SBAV70		标准		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																				1对普通阴极	100 v	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	6 ns	100 µA @ 70 V	-55°C〜150°C
MMSZ5221ET1	-	RFQ	9353	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	MMSZ522			500兆	SOD-123	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																									900 mv @ 10 ma		100 µA @ 1 V												2.4 v	30欧姆
NGD8201NT4G	-	RFQ	6620	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NGD8201	逻辑		125 w	DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500					300V，9A，1KOHM，5V																										-	440 v	20 a	50 a	1.9V @ 4.5V，20A	-	- /5µs
MUN5335DW1T2G	0.2500	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	MUN5335			250MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000																																50V	100mA					500NA			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v	-	2.2kohms	47kohms
1N5240B_S00Z	-	RFQ	7174	Onmi	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5240			500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1,000																									1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 8 V												10 v	17欧姆
2N3773G	7.4800	RFQ	59	Onmi	-	托盘	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N3773			150 w	TO-204（TO-3）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	100																																140 v	16 a					10mA			NPN	1.4V @ 800mA，8a	15 @ 8a，4v	-
2N5320	-	RFQ	6597	Onmi	-	大部分	过时的		-	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N532			10 W	到39	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	200																																75 v	2 a					-			NPN	500mv @ 50mA，500mA	30 @ 500mA，4V	-
fypf1545dntu	1.4000	RFQ	4	Onmi	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3完整包	FYPF1545		肖特基		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																				1对普通阴极	45 v	15a	700 MV @ 15 A		1 mA @ 45 V	-65°C〜150°C
SZBZX84B24LT1G	0.0384	RFQ	3120	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SZBZX84			225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																									900 mv @ 10 ma		50 NA @ 16.8 V												24 V	70欧姆
MMBT6428LT1	-	RFQ	6238	Onmi	*	（CT）	过时的					MMBT6428					下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000
SS8550DBU	0.4500	RFQ	16	Onmi	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	SS8550			1 w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	10,000																																25 v	1.5 a					100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 80mA，800mA	160 @ 100mA，1V	200MHz
MBRA340T3	-	RFQ	6199	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	do-214ac，SMA	MBRA340		肖特基		SMA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					40 V		450 mv @ 3 a		300 µA @ 40 V	-55°C〜150°C	3a	-
NVMFS5C410NLWFT1G	-	RFQ	3607	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道			40 V	48A（TA），315a （TC）	4.5V，10V	0.9MOHM @ 50a，10v	2V @ 250µA	143 NC @ 10 V	±20V	8862 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），167W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²