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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（ih）（IH））	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	当前 -关闭状态（最大）	scr	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
NTHS5443T1	-	RFQ	8785	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅		NTHS54	MOSFET （金属 o化物）		chipfet™	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					20 v	3.6a（ta）	2.5V，4.5V	65mohm @ 3.6a，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	12 nc @ 4.5 V	±12V		-	1.3W（TA）
DWA010-TE-E	0.0600	RFQ	252	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0070	3,000
MCR100-8RLG	-	RFQ	7996	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜110°C	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）		MCR10			TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2,000			5 ma														600 v	800 MA	800 mv	10a @ 60hz	200 µA	1.7 v	10 µA	敏感门
NSVMMUN2236LT1G	0.3300	RFQ	9	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		NSVMMUN2236		246兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																										50 V	100 ma	500NA			npn-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v		100 kohms	100 kohms
NTEFS2MS31NTDG	0.0900	RFQ	487	Onmi	*	大部分	过时的										-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-NTEFS2MS31NTDG	Ear99	8541.29.0095	1
FAM65CR51AXZ1	33.9200	RFQ	2905	Onmi	汽车，AEC-Q101	管子	积极的			通过洞	12 sip裸露的垫子，形成的导线	MOSFET	FAM65				下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-FAM65CR51AXZ1	Ear99	8542.39.0001	72	2独立			64 a	650 v	-
NTMFS6H800NLT1G	3.5100	RFQ	1986	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		NTMFS6	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					80 V	（30a）（224a ta）（TC）	4.5V，10V	1.9mohm @ 50a，10v	2V @ 330µA	112 NC @ 10 V	±20V	6900 PF @ 40 V	-	3.9W（TA），214W（TC）
P2N2222AG	-	RFQ	5709	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3		P2N222		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	P2N222222AGOS	Ear99	8541.21.0075	5,000																										40 V	600 MA	10NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
VN2222LL	-	RFQ	5436	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）		VN2222	MOSFET （金属 o化物）		TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000		n通道					60 V	150mA（ta）	10V	7.5OHM @ 500mA，10v	2.5V @ 1mA		±20V	60 pf @ 25 V	-	400MW（TA）
5885-2N5434	-	RFQ	7029	Onmi	-	托盘	过时的		-	-	-		2N5434			-	-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	100																												-			-	-	-	-
BC558CTA	-	RFQ	2903	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		BC558		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																										30 V	100 ma	15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	150MHz
2N6714	-	RFQ	9729	Onmi	-	大部分	过时的		-	通过洞	TO-237AA		2N6714			TO-237	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000																										30 V	2 a	-			NPN	-	-	-
BC846B	-	RFQ	5707	Onmi	SOT-23	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BC846		200兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																										65 v	100 ma	100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	100MHz
NJVMJD44H11G	0.9800	RFQ	6792	Onmi	汽车，AEC-Q101	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		NJVMJD44		1.75 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	75																										80 V	8 a	1µA			NPN	1V @ 400mA，8a	40 @ 4A，1V	85MHz
BF423ZL1	-	RFQ	9211	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）		BF423		830兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																										250 v	500 MA	10NA（ICBO）			PNP	500mv @ 2mA，20mA	50 @ 25mA，20V	60MHz
NTQS6463R2	-	RFQ	9472	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）		NTQS64	MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000		P通道					20 v	6.8a（ta）	2.5V，4.5V	20mohm @ 6.8a，4.5V	900mv @ 250µA	50 NC @ 5 V	±12V		-	930MW（TA）
NDB7050L	-	RFQ	2815	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		NDB705	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					50 V	75A（TC）		15mohm @ 37.5a，5v	2V @ 250µA	115 NC @ 5 V		4000 pf @ 25 V	-
MC1413BD	-	RFQ	1496年	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）		MC1413B		-	16-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MC1413BDOS	Ear99	8541.29.0095	48																										50V	500mA	-			7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	1000 @ 350mA，2V	-
BC548A	-	RFQ	6153	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		BC548		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																										30 V	100 ma	15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	300MHz
1N970B_T50R	-	RFQ	9784	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		1N970		500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																									5 µA @ 18.2 V				24 V	33欧姆
MUN5112T1G	0.1800	RFQ	2328	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323		MUN5112		202兆	SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																										50 V	100 ma	500NA			pnp-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	60 @ 5mA，10v		22 KOHMS	22 KOHMS
CPH6001-TL-E	-	RFQ	1933年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的						CPH6001				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-CPH6001-TL-ETR			1
2SB1201T-E	-	RFQ	4748	Onmi	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		2SB1201		800兆	TP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500																										50 V	2 a	100NA（ICBO）			PNP	700mv @ 50mA，1a	200 @ 100mA，2V	150MHz
ATP107-TL-H	-	RFQ	6672	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	atpak （2+选项卡）		ATP107	MOSFET （金属 o化物）		Atpak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					40 V	50a（ta）	4.5V，10V	17mohm @ 25a，10v	-	47 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 20 V	-	50W（TC）
BCX799_D26Z	-	RFQ	2531	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		BCX799		625兆	TO-92-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																										45 v	500 MA	10NA			PNP	600mv @ 2.5mA，100mA	80 @ 10mA，1V	-
FDC658P	0.6700	RFQ	1	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		FDC658	MOSFET （金属 o化物）		SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					30 V	4A（ta）	10V	50MOHM @ 4A，10V	3V @ 250µA	12 nc @ 5 V	±20V	750 pf @ 15 V	-	1.6W（TA）
NVMFS4C302NT1G	2.7300	RFQ	5031	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		NVMFS4	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					30 V	43a（ta），241a（tc）	4.5V，10V	1.15MOHM @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	82 NC @ 10 V	±20V	5780 pf @ 15 V	-	3.75W（ta），115W（tc）
2SK3072-TB-E	0.2400	RFQ	2	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
NSVMMUN22330LT1G	0.3300	RFQ	9	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		NSVMMUN2230		246兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																										50 V	100 ma	500NA			npn-预先偏见	250mv @ 5mA，10mA	3 @ 5mA，10v		1 kohms	1 kohms
FCA47N60F_SN00171	-	RFQ	2517	Onmi	SuperFet™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		FCA47	MOSFET （金属 o化物）		to-3pn	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					600 v	47A（TC）	10V	73mohm @ 23.5a，10v	5V @ 250µA	270 NC @ 10 V	±30V	8000 PF @ 25 V	-	417W

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²