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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
495220TU	-	RFQ	7996	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	49522		40 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																				325 v	4 a	5mA（iCBO）			npn-达灵顿	1.5V @ 5mA，2a	1000 @ 3A，5V	-
BC547BTF	0.4000	RFQ	16	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC547		500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																				45 v	100 ma	15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	300MHz
SURS8210T3G	-	RFQ	9409	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	DO-214AA，SMB	SURS8210	标准		SMB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												100 v	940 mv @ 2 a	30 ns	2 µA @ 50 V	-60°C〜175°C	2a	-
FDN371N	-	RFQ	2746	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FDN371	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	2.5a（ta）	2.5V，4.5V	50mohm @ 2.5a，4.5V	1.5V @ 250µA	10.7 NC @ 4.5 V	±12V	815 PF @ 10 V	-	500MW（TA）
BC847CLT1	-	RFQ	3377	Onmi	*	（CT）	过时的					BC847				下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000
BC557BTA	0.3500	RFQ	3	Onmi	-	（CT）	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC557		500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																				45 v	100 ma	15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	150MHz
2N2369	-	RFQ	7115	Onmi	-	大部分	过时的		-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N2369		360兆w	TO-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	500																				15 v	200 ma	-			NPN	250mv @ 1mA，10mA	40 @ 10mA，1V	-
MSC2712GT1G	0.2600	RFQ	6942	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MSC2712		200兆	SC-59	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																				50 V	100 ma	100NA			NPN	500mv @ 10mA，100mA	200 @ 2mA，6v	50MHz
MJE15032	-	RFQ	7136	Onmi	-	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	MJE15		50 W	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MJE15032OS	Ear99	8541.29.0075	50																				250 v	8 a	10µA（ICBO）			NPN	500mv @ 100mA，1a	10 @ 2a，5v	30MHz
2N4402BU	-	RFQ	2346	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N4402		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000																				40 V	600 MA	-			PNP	750mv @ 50mA，500mA	50 @ 150mA，2V	-
KSC2334OTU	-	RFQ	6152	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSC2334		1.5 w	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000																				100 v	7 a	10µA（ICBO）			NPN	600mv @ 500mA，5a	70 @ 3a，5v	-
MMBT22222LT3G	-	RFQ	8276	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT2222		300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																				30 V	600 MA	10NA（ICBO）			NPN	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	250MHz
FDN306P	0.4600	RFQ	4084	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FDN306	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	12 v	2.6a（ta）	1.8V，4.5V	40mohm @ 2.6a，4.5V	1.5V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±8V	1138 PF @ 6 V	-	500MW（TA）
FQA10N80C	-	RFQ	4672	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA1	MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	800 v	10A（TC）	10V	1.1OHM @ 5A，10V	5V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±30V	2800 PF @ 25 V	-	240W（TC）
FDP090N10	3.6400	RFQ	12	Onmi	PowerTrench®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP090	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	75A（TC）	10V	9mohm @ 75a，10v	4.5V @ 250µA	116 NC @ 10 V	±20V	8225 PF @ 25 V	-	208W（TC）
KSC2500CBU	-	RFQ	7890	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	KSC2500		900兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	6,000																				10 v	2 a	100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，2a	300 @ 500mA，1V	150MHz
NTMFS4935NBT3G	-	RFQ	8114	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4935	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	30 V	13a（13A），93A （TC）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 30a，10V	2V @ 250µA	49.4 NC @ 10 V	±20V	4850 pf @ 15 V	-	930MW（TA），48W （TC）
MM3Z3V9ST1	-	RFQ	3404	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±3％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323	MM3Z3		200兆	SOD-323	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MM3Z3V9ST1OS	Ear99	8541.10.0050	3,000														900 mv @ 10 ma		3 µA @ 1 V							4.03 v	90欧姆
SBRS8190T3G-IR02	-	RFQ	2014	Onmi	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	488-SBRS8190T3G-IR02TR	Ear99	8541.10.0080	3,000
MM3Z2V7T1G	0.1500	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±7％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323	MM3Z2		300兆	SOD-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000														900 mv @ 10 ma		20 µA @ 1 V							2.7 v	100欧姆
BZX55C6V8_T50A	-	RFQ	8923	Onmi	-	（TB）	过时的	±6％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	BZX55C6		500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000														1.3 V @ 100 mA		100 na @ 3 V							6.8 v	8欧姆
5885-2N5434	-	RFQ	7029	Onmi	-	托盘	过时的		-	-	-	2N5434			-	-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	100																						-			-	-	-	-
ntlus4c16ntag	-	RFQ	5847	Onmi	µ -Cool™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-Powerufdfn	ntlus4	MOSFET （金属 o化物）		6-udfn（1.6x1.6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	9.4A（TA）	1.8V，10V	11.4mohm @ 8a，10v	1.1V @ 250µA	7.5 NC @ 4.5 V	±12V	690 pf @ 15 V	-	2.37W（TA）
BD13716STU	0.8200	RFQ	112	Onmi	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD137		1.25 w	TO-126-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2832-BD13716STU	Ear99	8541.29.0095	60																				60 V	1.5 a	100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	-
BD1396STU	-	RFQ	7061	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD139		1.25 w	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,920																				80 V	1.5 a	100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	-
BZX84C7V5_D87Z	-	RFQ	4287	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±6％	-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84C7		350兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000														900 mv @ 10 ma		1 µA @ 5 V							7.5 v	15欧姆
BC807-40LT1G	0.2000	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC807		300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																				45 v	500 MA	100NA（ICBO）			PNP	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	100MHz
TIP3055G	2.5800	RFQ	313	Onmi	-	管子	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	提示3055		90 W	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	TIP3055GOS	Ear99	8541.29.0095	30																				60 V	15 a	700µA			NPN	3V @ 3.3a，10a	20 @ 4A，4V	2.5MHz
FQP7N80	-	RFQ	3821	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP7	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	800 v	6.6A（TC）	10V	1.5OHM @ 3.3a，10V	5V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±30V	1850 pf @ 25 V	-	167W（TC）
PN2907A_J05Z	-	RFQ	3467	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	PN290		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,500																				60 V	800 MA	20NA（ICBO）			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²