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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
NSVT30010MXV6T1G	0.5100	RFQ	7	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666		NSVT30010			500MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	4,000																												30V	100mA						15NA（icbo）			2 PNP （双）	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
FJP13009H2	-	RFQ	5787	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		FJP13009			100 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200																												400 v	12 a						-			NPN	3V @ 3a，12a	15 @ 5A，5V	4MHz
MMBT6429LT1G	0.1900	RFQ	45	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMBT6429			225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																												45 v	200 ma						100NA			NPN	600mv @ 5mA，100mA	500 @ 100µA，5V	700MHz
1N4933RL	-	RFQ	1078	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		1N4933		标准		轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	50 V		1.2 V @ 1 A	300 ns	5 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	1a	-
PN2907ATAR	0.4000	RFQ	31	Onmi	-	（CT）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		PN2907			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																												60 V	800 MA						20NA（ICBO）			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
SMMBT5401LT1G	0.4200	RFQ	53	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		SMMBT5401			300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																												150 v	500 MA						50NA（iCBO）			PNP	500mv @ 5mA，50mA	60 @ 10mA，5V	300MHz
NVMFS6B03NT3G	-	RFQ	4918	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		NVMFS6		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道					100 v	145a（TC）	10V	4.8mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±16V	4200 PF @ 50 V	-	3.9W（TA），198W（TC）
NSVBC850CLT1G	0.0541	RFQ	6546	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		NSVBC850			225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																												45 v	100 ma						15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
flz39vb	-	RFQ	2883	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80		FLZ39			500兆	SOD-80	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500																					1.2 V @ 200 ma		133 na @ 30 V													36.3 v	72欧姆
FDB86563-F085	3.8700	RFQ	4845	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		FDB86563		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道					60 V	110A（TC）	10V	1.8mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	163 NC @ 10 V	±20V	10100 PF @ 30 V	-	333W（TC）
IRFU220_R4941	-	RFQ	9888	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		irfu2		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道					200 v	4.6A（TC）	10V	800MOHM @ 2.4a，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	330 pf @ 25 V	-	50W（TC）
2SC5569-TD-E	0.9500	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA		2SC5569			1.3 w	SOT-89/PCP-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																												50 V	7 a						100NA（ICBO）			NPN	240mv @ 175mA，3.5a	200 @ 500mA，2V	330MHz
BC559CBU	-	RFQ	6135	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		BC559			500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																												30 V	100 ma						15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	150MHz
MRS1504T3G	0.4100	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB		MRS1504		标准		SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																	400 v		1.04 V @ 1.5 A		1 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	1.5a	-
SBAV70LT1G	0.3500	RFQ	16	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		SBAV70		标准		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																1对普通阴极	100 v	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	6 ns	100 µA @ 70 V	-55°C〜150°C
MMSZ5221ET1	-	RFQ	9353	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123		MMSZ522			500兆	SOD-123	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																					900 mv @ 10 ma		100 µA @ 1 V													2.4 v	30欧姆
NGD8201NT4G	-	RFQ	6620	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		NGD8201	逻辑		125 w	DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500				300V，9A，1KOHM，5V																							-	440 v	20 a	50 a	1.9V @ 4.5V，20A	-		- /5µs
MUN5335DW1T2G	0.2500	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363		MUN5335			250MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																												50V	100mA						500NA			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v	-	2.2kohms	47kohms
1N5240B_S00Z	-	RFQ	7174	Onmi	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		1N5240			500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000																					1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 8 V													10 v	17欧姆
2N3773G	7.4800	RFQ	59	Onmi	-	托盘	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3		2N3773			150 w	TO-204（TO-3）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100																												140 v	16 a						10mA			NPN	1.4V @ 800mA，8a	15 @ 8a，4v	-
PN200	-	RFQ	3352	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		PN200			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																												45 v	500 MA						50NA			PNP	400mv @ 20mA，200mA	100 @ 150mA，1V	250MHz
FSB6714	-	RFQ	5183	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		FSB671				SOT-23-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000																												30 V							-			NPN	-	-	-
FDS6673Bz	1.3400	RFQ	5970	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		FDS6673		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道					30 V	14.5A（TA）	4.5V，10V	7.8mohm @ 14.5A，10V	3V @ 250µA	124 NC @ 10 V	±25V	4700 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
5x49_bg7002b	-	RFQ	1143	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		5x49		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道					100 v	170mA（TJ）		-	-				-	-
FGY60T120平方米	11.3100	RFQ	2639	Onmi	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体		FGY60	标准		517 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				600V，60a，10ohm，15V																							-	1200 v	120 a	240 a	1.95V @ 15V，60a	-	311 NC	52NS/296NS
MMBZ5257BLT1G	0.1400	RFQ	19	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMBZ5257			225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																					900 mv @ 10 ma		100 na @ 25 V													33 V	58欧姆
NST847BPDP6T5G	0.3900	RFQ	8	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-963		NST847			350MW	SOT-963	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000																												45V	100mA						15NA（icbo）			NPN，PNP	600mv @ 5mA，100mA / 700mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v / 220 @ 2mA，5V	100MHz
CPH6341-M-TL-EX	-	RFQ	3948	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的						CPH634					-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	3,000									-
FSB50550BSE	-	RFQ	6277	Onmi	MOTIONSPM®5	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	23-smd模块，鸥翼	MOSFET	FSB50550					-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	488-FSB50550BSETR	Ear99	8542.39.0001	450	3相逆变器				3 a	500 v	1500vrms
FW342-TL-E	0.2500	RFQ	2	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）		FW342		MOSFET （金属 o化物）	1.8W	8-sop	-	不适用				Ear99	0000.00.0000	1,000	n和p通道							30V	6a，5a		33mohm @ 6a，10v	-	16NC @ 10V		850pf @ 10V	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²