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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（ih）（IH））	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	（（av）（av））	当前 -关闭状态（最大）	scr	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FQA140N10	7.1100	RFQ	8	Onmi	QFET®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA140	MOSFET （金属 o化物）		to-3pn	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		100 v	140a（TC）	10V	10mohm @ 70a，10v	4V @ 250µA	285 NC @ 10 V	±25V	7900 PF @ 25 V	-	375W（TC）
MBR16100CTG	1.9400	RFQ	468	Onmi	SwitchMode™	管子	过时的			通过洞	TO-220-3	MBR16100	肖特基		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	mbr16100ctgos	Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						1对普通阴极	100 v	8a	740 mv @ 8 a		100 µA @ 100 V	-65°C〜175°C
MBR20L80CTG	-	RFQ	6191	Onmi	SwitchMode™	管子	过时的			通过洞	TO-220-3	MBR20L80	肖特基		TO-220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						1对普通阴极	80 V	10a	670 mv @ 10 a		500 µA @ 80 V	-20°C〜150°C
NGTD9R120F2SWK	-	RFQ	9683	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	死	NGTD9	标准		死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	-																							1200 v		2.6 V @ 15 A		1 µA @ 1200 V	175°c （最大）	-	-
KSA1175RTA	-	RFQ	1521年	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	KSA1175		250兆	TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																50 V	150 ma	100NA（ICBO）			PNP	300mv @ 10mA，100mA	40 @ 1mA，6v	180MHz
SMSD1819A-RT1G	-	RFQ	6999	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SMSD1819		150兆	SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																																50 V	100 ma	100NA			NPN	500mv @ 10mA，100mA	210 @ 2mA，10v	-
FDP027N08B-F102	3.2900	RFQ	9820	Onmi	PowerTrench®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP027	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		80 V	120A（TC）	10V	2.7MOHM @ 100A，10V	4.5V @ 250µA	178 NC @ 10 V	±20V	13530 PF @ 40 V	-	246W（TC）
MTB30P06VT4G	-	RFQ	1453	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	MTB30	MOSFET （金属 o化物）		D²Pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道		60 V	30A（TC）	10V	80Mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±15V	2190 pf @ 25 V	-	（3W）（125W（ta）（TC）
1N5225B	0.1600	RFQ	22	Onmi	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5225		500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																										1.2 V @ 200 ma		50 µA @ 1 V							3 V	29欧姆
FSV8100V	0.7600	RFQ	30	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			表面安装	TO-277，3-PowerDfn	FSV8100	肖特基		TO-277-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							100 v		670 mv @ 8 a	19.64 ns	50 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	8a	672pf @ 4V，1MHz
FDP10AN06A0	-	RFQ	4009	Onmi	PowerTrench®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP10	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		n通道		60 V	（12a）（ta），75a tc（TC）	6V，10V	10.5MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	1840 pf @ 25 V	-	135W（TC）
FMB555551	0.5100	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FMB55		700MW	SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																160V	600mA	50NA（iCBO）			2 NPN （双）	200mv @ 5mA，50mA	80 @ 10mA，5V	300MHz
BC337-040G	-	RFQ	9355	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	BC337		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000																																45 v	800 MA	100NA			NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	210MHz
2N4401_D81Z	-	RFQ	9122	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N4401		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																																40 V	600 MA	-			NPN	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，1V	250MHz
2n5064g	-	RFQ	9367	Onmi	-	大部分	过时的		-40°C〜110°C	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2N5064			TO-92（to-226）	-		（1 （无限）	到达不受影响	2n5064gos	Ear99	8541.30.0080	5,000			5 ma											200 v	800 MA	800 mv	10a @ 60hz	200 µA	1.7 v	510 MA	10 µA	敏感门
FJN13003BU	-	RFQ	3869	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	FJN130		1.1 w	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000																																400 v	1.5 a	-			NPN	3V @ 500mA，1.5a	9 @ 500mA，2V	4MHz
ATP405-TL-HX	-	RFQ	4829	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的					ATP405				-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	3,000					40a（TJ）	10V				±20V
NSVBAS21TMR6T1G	0.4000	RFQ	8	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-74，SOT-457	NSVBAS21	标准		SC-74	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度																						3独立	250 v	200ma（dc）	1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 200 V	-55°C〜150°C
KSC2310YNBU	-	RFQ	3524	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	KSC2310		800兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	6,000																																150 v	50 mA	100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 1mA，10mA	120 @ 10mA，5V	100MHz
NSVMUN5213DW1T3G	0.4100	RFQ	17	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	NSVMUN5213		250MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000																																50V	100mA	500NA			2 NPN- 预偏（双重）	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v	-	47kohms	47kohms
FFSH20120ADN-F155	12.9000	RFQ	433	Onmi	-	管子	积极的			通过洞	TO-247-3	FFSH20120	SIC （碳化硅）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						1对普通阴极	1200 v	10A（DC）	1.75 V @ 10 A		200 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C
SURS8140T3G	-	RFQ	8056	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	DO-214AA，SMB	SURS8140	标准		SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							400 v		1.25 V @ 1 A	75 ns	5 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	-
MJE5742G	1.8100	RFQ	4520	Onmi	-	管子	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	MJE5742		2 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																																400 v	8 a	-			npn-达灵顿	3V @ 400mA，8a	200 @ 2a，5v	-
MMBZ5239ELT1G	-	RFQ	6402	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的					MMBZ52				下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000
BC847CMTF	-	RFQ	7969	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC847		310 MW	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																45 v	100 ma	15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	300MHz
NSVBASH19LT1G	0.0572	RFQ	8971	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NSVBASH19	标准		SOT-23-3（TO-236）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NSVBASH19LT1GTR	Ear99	8541.10.0070	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							120 v		1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 100 V	-55°C 〜175°C	200mA	5pf @ 0v，1MHz
2SC5414AE	-	RFQ	8997	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2SC5414			3-np	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	500																																		-			-	-	-	-
KSA733Yta	-	RFQ	7889	Onmi	-	（CT）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSA733		250兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																																50 V	150 ma	100NA（ICBO）			PNP	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 1mA，6v	180MHz
MPSA27	-	RFQ	7425	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	MPSA27		625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000																																60 V	500 MA	500NA			npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	-
SZMMSZ16T1G	0.5000	RFQ	7297	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	SZMMSZ16		500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																										900 mv @ 10 ma		50 NA @ 11.2 V							16 V	40欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²