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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	（（av）（av））	当前 -关闭状态（最大）	scr	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
KSC2334YTU	1.1600	RFQ	5714	Onmi	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		KSC2334		1.5 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																																			100 v	7 a	10µA（ICBO）			NPN	600mv @ 500mA，5a	120 @ 3a，5v	-
BD434S	0.7600	RFQ	1	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3		BD434		36 W	TO-126-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2832-BD434S	Ear99	8541.29.0095	2,000																																			22 v	4 a	100µA			PNP	500mv @ 200mA，2a	40 @ 10mA，5v	3MHz
NTHL040N65S3HF	17.5100	RFQ	2103	Onmi	FRFET®，SuperFet®III	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		NTHL040	MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450			n通道						650 v	65A（TC）	10V	40mohm @ 32.5a，10v	5V @ 2.1mA	159 NC @ 10 V	±30V	5945 PF @ 400 V	-	446W（TC）
SNSR20F30WCNXT5G	0.1400	RFQ	939	Onmi	-	大部分	过时的										-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1
FQS4901TF	-	RFQ	7692	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		FQS4901	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）								400V	450mA		4.2OHM @ 225mA，10V	4V @ 250µA	7.5NC @ 10V		210pf @ 25V	-
SBRS8140T3	-	RFQ	2002	Onmi	*	大部分	积极的						SBRS8140				-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	2,500
FDT86256	1.4200	RFQ	1	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		FDT86	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道						150 v	1.2A（TA），3a （TC）	6V，10V	845MOHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	2 NC @ 10 V	±20V	73 pf @ 75 V	-	2.3W（TA），10W（10W）TC）
KSE45H8	-	RFQ	8912	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		KSE45		1.67 w	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1200																																			60 V	10 a	10µA			PNP	1V @ 400mA，8a	60 @ 2a，1V	40MHz
BC548TAR	-	RFQ	9663	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		BC548		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																																			30 V	100 ma	15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	300MHz
CPH6020-TL-E	-	RFQ	7777	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		CPH6020		700MW	6-CPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2832-CPH6020-TL-etr	Ear99	8541.29.0095	3,000					13.5dB																														8V	150mA				NPN		60 @ 50mA，5V	16GHz			1.2db @ 1GHz
NVTFWS027N10MCLTAG	1.0000	RFQ	7572	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道						100 v	7.4A（TA），28a （TC）	4.5V，10V	26mohm @ 7a，10v	3V @ 38µA	11.5 NC @ 10 V	±20V	800 pf @ 50 V	-	3.1W（ta），46W（tc）
PN100	-	RFQ	3925	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		PN100		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																																			45 v	500 MA	50NA			NPN	400mv @ 20mA，200mA	100 @ 150mA，5V	250MHz
SCH1439-TL-W	-	RFQ	3342	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666		Sch143	MOSFET （金属 o化物）		SOT-563/SCH6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道						30 V	3.5A（ta）	4V，10V	72MOHM @ 1.5A，10V	2.6V @ 1mA	5.6 NC @ 10 V	±20V	280 pf @ 10 V	-	1W（ta）
FNA40860B2	-	RFQ	8516	Onmi	MOTIONSPM®45	管子	过时的			通过洞	26-PowerDip 模块（1.024英寸，26.00mm）	IGBT	FNA40860				下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	72	3期					8 a	600 v	2000vrms
2n5064g	-	RFQ	9367	Onmi	-	大部分	过时的		-40°C〜110°C	通过洞	TO-226-3，TO-92-3		2N5064			TO-92（to-226）	-		（1 （无限）	到达不受影响	2n5064gos	Ear99	8541.30.0080	5,000				5 ma																200 v	800 MA	800 mv	10a @ 60hz	200 µA	1.7 v	510 MA	10 µA	敏感门
MBR16100CTG	1.9400	RFQ	468	Onmi	SwitchMode™	管子	过时的			通过洞	TO-220-3		MBR16100	肖特基		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	mbr16100ctgos	Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																											1对普通阴极	100 v	8a	740 mv @ 8 a	100 µA @ 100 V	-65°C〜175°C
PN3565_D75Z	-	RFQ	2610	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		PN356		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																																			25 v	500 MA	50NA（iCBO）			NPN	350mv @ 100µA，1mA	150 @ 1mA，10v	-
MM5Z4V3T1	-	RFQ	9842	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±7％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523		MM5Z4		200兆	SOD-523	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																																900 mv @ 10 ma	3 µA @ 1 V					4.3 v	90欧姆
Mac15sdg	-	RFQ	5879	Onmi	-	管子	过时的		-40°C〜110°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		Mac15			TO-220	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	50	单身的			10 MA															逻辑 -敏感门	400 v	15 a	1.5 v	120a @ 60Hz	5 ma
FMB555551	0.5100	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		FMB55		700MW	SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																			160V	600mA	50NA（iCBO）			2 NPN （双）	200mv @ 5mA，50mA	80 @ 10mA，5V	300MHz
NSBC114YDXV6T1G	0.4700	RFQ	7	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-563，SOT-666		NSBC114		500MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000																																			50V	100mA	500NA			2 NPN- 预偏（双重）	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v	-	10KOHMS	47kohms
BC212_D74Z	-	RFQ	6401	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		BC212		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																																			50 V	300 MA	15NA（icbo）			PNP	600mv @ 5mA，100mA	60 @ 2mA，5V	-
fyp2006dntu	-	RFQ	8820	Onmi	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3		FYP2006	肖特基		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																											1对普通阴极	60 V	20a	710 MV @ 20 A	1 mA @ 60 V	-65°C〜150°C
FQI5N20TU	-	RFQ	2197	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		FQI5	MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						200 v	4.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.25a，10V	5V @ 250µA	7.5 NC @ 10 V	±30V	270 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），52W（（ta）
BC237B	0.0400	RFQ	16	Onmi	-	大部分	过时的						BC237				下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000
KSB1366G	-	RFQ	3740	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		KSB13		2 w	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200																																			60 V	3 a	100µA（ICBO）			PNP	1V @ 200mA，2a	150 @ 500mA，5V	9MHz
FDMS8674	-	RFQ	2185	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		FDMS86	MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道						30 V	17a（17a），21a （TC）	4.5V，10V	5mohm @ 17a，10v	3V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	2320 PF @ 15 V	-	2.5W（ta），78W（tc）
mmun2235lt1g	0.1300	RFQ	105	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMUN2235		246兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																																			50 V	100 ma	500NA			npn-预先偏见	250mv @ 1mA，10mA	80 @ 5mA，10v		2.2 kohms	47科姆斯
mps4126rlra	-	RFQ	4257	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）		MPS412		625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																																			25 v	200 ma	50NA（iCBO）			PNP	400mv @ 5mA，50mA	120 @ 2mA，1V	170MHz
KSH3055TM	-	RFQ	8052	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		KSH30		1.75 w	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500																																			60 V	10 a	50µA			NPN	8V @ 3.3a，10a	20 @ 4A，4V	2MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²