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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FFSH15120A	11.2500	RFQ	418	Onmi	-	管子	积极的			通过洞	TO-247-2	FFSH15120	SIC （碳化硅）		TO-247-2	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30	没有恢复t> 500mA（IO）													1200 v		1.75 V @ 15 A	0 ns	200 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C	26a	936pf @ 1V，100kHz
FDB1D7N10CL7	7.5500	RFQ	4818	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	FDB1D7	MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	268a（TC）	6V，15V	1.65MOHM @ 100A，15V	4V @ 700µA	163 NC @ 10 V	±20V	11600 PF @ 50 V	-	250W（TC）
SZBZX84C36LT1G	0.1900	RFQ	10	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SZBZX84		250兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																900 mv @ 10 ma		50 NA @ 25.2 V							36 V	90欧姆
MBRS140LT3G	-	RFQ	3815	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	DO-214AA，SMB	MBRS140	肖特基		SMB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													40 V		500 mv @ 1 A		400 µA @ 40 V	-55°C〜125°C	1a	-
NTA4153NT3G	-	RFQ	9139	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	NTA4153	MOSFET （金属 o化物）		SC-75，SOT-416	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道	20 v	915ma（ta）	1.5V，4.5V	230MOHM @ 600mA，4.5V	1.1V @ 250µA	1.82 NC @ 4.5 V	±6V	110 pf @ 16 V	-	300MW（TJ）
MBT3904DW1T1H	0.4900	RFQ	5	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的					MBT3904				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000
FQP9P25	1.0019	RFQ	4643	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道	250 v	9.4A（TC）	10V	620MOHM @ 4.7A，10V	5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	1180 pf @ 25 V	-	120W（TC）
MBRD660CT	-	RFQ	3351	Onmi	SwitchMode™	管子	过时的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MBRD660	肖特基		DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	mbrd660ctos	Ear99	8541.10.0080	75	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	60 V	3a	700 mv @ 3 a		100 µA @ 60 V	-65°C〜175°C
2N4410_D75Z	-	RFQ	9773	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N4410		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																						80 V	200 ma	10NA（ICBO）			NPN	200mv @ 100µA，1mA	60 @ 10mA，1V	-
FQPF27P06	2.1300	RFQ	2125	Onmi	QFET®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF27	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道	60 V	17a（TC）	10V	70MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±25V	1400 pf @ 25 V	-	47W（TC）
FJNS3210RTA	-	RFQ	6934	Onmi	-	（TB）	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3	FJNS32		300兆	TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																						40 V	100 ma	100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	10 kohms
FJN3308RBU	-	RFQ	1893年	Onmi	-	大部分	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	FJN330		300兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																						50 V	100 ma	100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	250 MHz	47科姆斯	22 KOHMS
2N3904_J61Z	-	RFQ	2866	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N3904		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,500																						40 V	200 ma	-			NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
BC856BLT1G	0.1500	RFQ	50	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC856		300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																						65 v	100 ma	15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
MSC2712GT1G	0.2600	RFQ	6942	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MSC2712		200兆	SC-59	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																						50 V	100 ma	100NA			NPN	500mv @ 10mA，100mA	200 @ 2mA，6v	50MHz
2SC4027T-H	-	RFQ	7333	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	2SC4027		1 w	TP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500																						160 v	1.5 a	1µA（ICBO）			NPN	450mv @ 50mA，500mA	200 @ 100mA，5V	120MHz
FJPF13007H1TU	-	RFQ	3812	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FJPF13007		40 W	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000																						400 v	8 a	-			NPN	3V @ 2a，8a	15 @ 2a，5v	4MHz
1N5346BG	0.4900	RFQ	7418	Onmi	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	T-18，轴向	1N5346		5 w	轴向	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000																1.2 V @ 1 A		7.5 µA @ 6.9 V							9.1 v	2欧姆
1SMA5924BT3G	0.4700	RFQ	9454	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	1SMA5924		1.5 w	SMA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																1.5 V @ 200 ma		2.5 µA @ 7 V							9.1 v	4欧姆
FQA140N10	7.1100	RFQ	8	Onmi	QFET®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA140	MOSFET （金属 o化物）		to-3pn	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	100 v	140a（TC）	10V	10mohm @ 70a，10v	4V @ 250µA	285 NC @ 10 V	±25V	7900 PF @ 25 V	-	375W（TC）
MBR16100CTG	1.9400	RFQ	468	Onmi	SwitchMode™	管子	过时的			通过洞	TO-220-3	MBR16100	肖特基		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	mbr16100ctgos	Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	100 v	8a	740 mv @ 8 a		100 µA @ 100 V	-65°C〜175°C
MBR20L80CTG	-	RFQ	6191	Onmi	SwitchMode™	管子	过时的			通过洞	TO-220-3	MBR20L80	肖特基		TO-220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	80 V	10a	670 mv @ 10 a		500 µA @ 80 V	-20°C〜150°C
NGTD9R120F2SWK	-	RFQ	9683	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	死	NGTD9	标准		死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	-													1200 v		2.6 V @ 15 A		1 µA @ 1200 V	175°c （最大）	-	-
KSA1175RTA	-	RFQ	1521年	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	KSA1175		250兆	TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																						50 V	150 ma	100NA（ICBO）			PNP	300mv @ 10mA，100mA	40 @ 1mA，6v	180MHz
SMSD1819A-RT1G	-	RFQ	6999	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SMSD1819		150兆	SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																						50 V	100 ma	100NA			NPN	500mv @ 10mA，100mA	210 @ 2mA，10v	-
FDP027N08B-F102	3.2900	RFQ	9820	Onmi	PowerTrench®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP027	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	80 V	120A（TC）	10V	2.7MOHM @ 100A，10V	4.5V @ 250µA	178 NC @ 10 V	±20V	13530 PF @ 40 V	-	246W（TC）
MTB30P06VT4G	-	RFQ	1453	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	MTB30	MOSFET （金属 o化物）		D²Pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道	60 V	30A（TC）	10V	80Mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±15V	2190 pf @ 25 V	-	（3W）（125W（ta）（TC）
1N5225B	0.1600	RFQ	22	Onmi	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5225		500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																1.2 V @ 200 ma		50 µA @ 1 V							3 V	29欧姆
FSV8100V	0.7600	RFQ	30	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			表面安装	TO-277，3-PowerDfn	FSV8100	肖特基		TO-277-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													100 v		670 mv @ 8 a	19.64 ns	50 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	8a	672pf @ 4V，1MHz
FDP10AN06A0	-	RFQ	4009	Onmi	PowerTrench®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP10	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		n通道	60 V	（12a）（ta），75a tc（TC）	6V，10V	10.5MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	1840 pf @ 25 V	-	135W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²