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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
RHRG1560CC	-	RFQ	7102	Onmi	-	管子	过时的			通过洞	TO-247-3	RHRG1560	标准		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	600 v	15a	2.1 V @ 15 A	40 ns	100 µA @ 600 V	-65°C〜175°C
nsvumz1nt1g	0.0585	RFQ	9	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	NSVUMZ1		250MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NSVUMZ1NT1GTR	Ear99	8541.21.0095	3,000																						50V	200mA	2µA			NPN，PNP互补	250mv @ 10mA，100mA / 300mv @ 10mA，100mA	200 @ 2mA，6v	114MHz，142MHz
BC307BG	-	RFQ	7933	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	BC307		350兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000																						45 v	100 ma	15NA			PNP	250mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	280MHz
BD135	-	RFQ	9349	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD135		1.25 w	TO-126	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500																						45 v	1.5 a	100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	-
CPH3223-TL-E	0.4800	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-96	CPH3223		900兆	3-CPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																						50 V	3 a	1µA（ICBO）			NPN	240mv @ 100mA，2a	200 @ 100mA，2V	380MHz
FDS6690A	0.8300	RFQ	131	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS6690	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	11a（11a）	4.5V，10V	12.5MOHM @ 11A，10V	3V @ 250µA	16 NC @ 5 V	±20V	1205 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
BD1756STU	-	RFQ	2174	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD175		30 W	TO-126-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	60																						45 v	3 a	100µA（ICBO）			NPN	800mv @ 100mA，1a	40 @ 150mA，2V	3MHz
SZMMSZ5227BT1G	0.3700	RFQ	31	Onmi	汽车，AEC-Q101，SZMMSZ52XXXT1G	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	SZMMSZ52		500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																900 mv @ 10 ma		15 µA @ 1 V							3.6 v	24欧姆
MMBT3904LT3	-	RFQ	5584	Onmi	*	（CT）	过时的					MMBT3904				下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000
SZMM5Z4715T1G	0.0574	RFQ	7058	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	SZMM5		500兆	SOD-523	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-SZMM5Z4715T1GTR	Ear99	8541.10.0050	3,000																900 mv @ 10 ma		10 na @ 27.3 V							36 V
FDS4072N7	-	RFQ	9567	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS40	MOSFET （金属 o化物）		8-so flmp	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	12.4A（TA）	4.5V，10V	9MOHM @ 13.7a，10V	3V @ 250µA	46 NC @ 4.5 V	±12V	4299 PF @ 20 V	-	（3W）（TA）
FDN359AN	0.5400	RFQ	3078	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FDN359	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	2.7a（ta）	4.5V，10V	46mohm @ 2.7a，10v	3V @ 250µA	7 NC @ 5 V	±20V	480 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
MMBD1701A	-	RFQ	8623	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBD17	标准		SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度													30 V		1.1 V @ 50 mA	1 ns	50 na @ 20 V	150°C （最大）	50mA	1pf @ 0v，1MHz
NSBC143ZDXV6T5G	-	RFQ	3878	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOT-563，SOT-666	NSBC143		500MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000																						50V	100mA	500NA			2 NPN- 预偏（双重）	250mv @ 1mA，10mA	80 @ 5mA，10v	-	4.7kohms	47kohms
2N3704_D27Z	-	RFQ	4153	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N3704		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																						30 V	500 MA	100NA（ICBO）			NPN	1V @ 5mA，100mA	100 @ 50mA，5V	100MHz
FDS4435BZ	0.7200	RFQ	46	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS4435	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	8.8a（ta）	4.5V，10V	20mohm @ 8.8a，10v	3V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±25V	1845 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
NTMFS5C604NLT3G	7.2500	RFQ	4789	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	60 V	40a（TA），287A （TC）	4.5V，10V	1.2MOHM @ 50a，10v	2V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	8900 PF @ 25 V	-	3.9W（TA），200W（200W）TC）
BUB323ZT4	-	RFQ	8218	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	BUB323		150 w	D²Pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	BUB323ZT4OS	Ear99	8541.29.0095	800																						350 v	10 a	100µA			npn-达灵顿	1.7V @ 250mA，10a	500 @ 5A，4.6V	2MHz
MMSZ5221BT1G	0.2300	RFQ	9	Onmi	mmsz52xxxt1g	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	MMSZ522		500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																900 mv @ 10 ma		100 µA @ 1 V							2.4 v	30欧姆
FFPF04U40DPTU	-	RFQ	6464	Onmi	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3完整包	FFPF04	标准		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对公共阳极	400 v	4a	1.4 V @ 4 A	45 ns	10 µA @ 400 V	-65°C〜150°C
FFSH15120A	11.2500	RFQ	418	Onmi	-	管子	积极的			通过洞	TO-247-2	FFSH15120	SIC （碳化硅）		TO-247-2	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30	没有恢复t> 500mA（IO）													1200 v		1.75 V @ 15 A	0 ns	200 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C	26a	936pf @ 1V，100kHz
FDB1D7N10CL7	7.5500	RFQ	4818	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	FDB1D7	MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	268a（TC）	6V，15V	1.65MOHM @ 100A，15V	4V @ 700µA	163 NC @ 10 V	±20V	11600 PF @ 50 V	-	250W（TC）
SZBZX84C36LT1G	0.1900	RFQ	10	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SZBZX84		250兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																900 mv @ 10 ma		50 NA @ 25.2 V							36 V	90欧姆
MBRS140LT3G	-	RFQ	3815	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	DO-214AA，SMB	MBRS140	肖特基		SMB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													40 V		500 mv @ 1 A		400 µA @ 40 V	-55°C〜125°C	1a	-
NTA4153NT3G	-	RFQ	9139	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	NTA4153	MOSFET （金属 o化物）		SC-75，SOT-416	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道	20 v	915ma（ta）	1.5V，4.5V	230MOHM @ 600mA，4.5V	1.1V @ 250µA	1.82 NC @ 4.5 V	±6V	110 pf @ 16 V	-	300MW（TJ）
MBT3904DW1T1H	0.4900	RFQ	5	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的					MBT3904				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000
FQP9P25	1.0019	RFQ	4643	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道	250 v	9.4A（TC）	10V	620MOHM @ 4.7A，10V	5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	1180 pf @ 25 V	-	120W（TC）
MBRD660CT	-	RFQ	3351	Onmi	SwitchMode™	管子	过时的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MBRD660	肖特基		DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	mbrd660ctos	Ear99	8541.10.0080	75	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	60 V	3a	700 mv @ 3 a		100 µA @ 60 V	-65°C〜175°C
2N4410_D75Z	-	RFQ	9773	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N4410		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																						80 V	200 ma	10NA（ICBO）			NPN	200mv @ 100µA，1mA	60 @ 10mA，1V	-
FQPF27P06	2.1300	RFQ	2125	Onmi	QFET®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF27	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道	60 V	17a（TC）	10V	70MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±25V	1400 pf @ 25 V	-	47W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²