RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
BCX799_D27Z	-	RFQ	9399	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BCX799			625兆	TO-92-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																					45 v	500 MA					10NA	PNP	600mv @ 2.5mA，100mA	80 @ 10mA，1V	-
PN3566	-	RFQ	5653	Onmi	-	大部分	过时的	-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	PN356			625兆	TO-92-3	-		（1 （无限）	到达不受影响	PN3566-NDR	Ear99	8541.21.0095	2,000																					30 V	600 MA					50NA（iCBO）	NPN	1V @ 10mA，100mA	150 @ 10mA，10v	-
FQD5N20LTM	-	RFQ	2013	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD5N20		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		200 v	3.8A（TC）	5V，10V	1.2OHM @ 1.9a，10V	2V @ 250µA	6.2 NC @ 5 V	±20V	325 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），37W（TC）
BC558	-	RFQ	6824	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC558			500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																					30 V	100 ma					15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	150MHz
MTW32N20EG	-	RFQ	2488	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	MTW32		MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载		（1 （无限）	到达不受影响	MTW32N20EGOS	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	32A（TC）	10V	75mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	5000 pf @ 25 V	-	180W（TC）
NTP5860NLG	-	RFQ	7200	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	NTP586		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-NTP5860NLG-ON	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		60 V	220A（TC）	10V	3mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	10760 pf @ 25 V	-	283W（TC）
mpsa18rlrmg	-	RFQ	2861	Onmi	-	（CT）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPSA18			625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																					45 v	200 ma					50NA（iCBO）	NPN	300mv @ 5mA，50mA	500 @ 10mA，5v	160MHz
ISL9V3040P3	2.9800	RFQ	3021	Onmi	Ecospark®	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ISL9V3040	逻辑		150 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			300V，1KOHM，5V																	-	430 v	21 a	1.6V @ 4V，6A	-	17 NC	- /4.8µs
HUFA75329D3ST	-	RFQ	1967年	Onmi	Ultrafet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	HUFA75		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		55 v	20A（TC）	10V	26mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 20 V	±20V	1060 pf @ 25 V	-	128W（TC）
BC337BU	-	RFQ	6665	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC337			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																					45 v	800 MA					100NA	NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
KSC3503DSTSSTU	-	RFQ	4484	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	KSC3503			7 W	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,880																					300 v	100 ma					100NA（ICBO）	NPN	600mv @ 2mA，20mA	60 @ 10mA，10v	150MHz
NSBC143ZPDXV6T5G	-	RFQ	4122	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SOT-563，SOT-666	NSBC143			500MW	SOT-563	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000																					50V	100mA					500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	250mv @ 1mA，10mA	80 @ 5mA，10v	-	4.7kohms	47kohms
NST65010MW6T1G	0.5000	RFQ	7	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	NST65010			380MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																					65V	100mA					15NA（icbo）	2 PNP （双）	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
BC558TF	-	RFQ	8733	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC558			500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																					30 V	100 ma					15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	150MHz
SBRD8350T4G	-	RFQ	5300	Onmi	SwitchMode™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SBRD8350		肖特基		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													50 V	600 mv @ 3 a	200 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	3a	-
BD241ATU	-	RFQ	1309	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BD241			40 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																					60 V	3 a					300µA	NPN	1.2V @ 600mA，3a	25 @ 1A，4V	-
NSBC114EDXV6T1	-	RFQ	9873	Onmi	*	（CT）	过时的				NSBC114					下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000
MMUN2234LT1G	0.1300	RFQ	12	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMUN2234			246兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																					50 V	100 ma					500NA	npn-预先偏见	250mv @ 1mA，10mA	80 @ 5mA，10v		22 KOHMS	47科姆斯
NTMFS5C604NLT1G	6.7100	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS5		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		60 V	38a（ta）	4.5V，10V	1.2MOHM @ 50a，10v	2V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	8900 PF @ 25 V	-	3.9W（TA），200W（200W）TC）
DTA113EET1G	0.0229	RFQ	6915	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	DTA113			200兆	SC-75，SOT-416	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																					50 V	100 ma					500NA	pnp-预先偏见	250mv @ 5mA，10mA	3 @ 5mA，10v		1 kohms	1 kohms
3LN01M-TL-E	-	RFQ	3623	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	3LN01		MOSFET （金属 o化物）		SC-70 / MCP3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		30 V	150mA（ta）	1.5V，4V	3.7OHM @ 80mA，4V	1.3V @ 100µA	1.58 NC @ 10 V	±10V	7 pf @ 10 V	-	150MW（TA）
MJE3439G	-	RFQ	8823	Onmi	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	MJE3439			15 W	TO-126	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500																					350 v	300 MA					20µA	NPN	500mv @ 4mA，50mA	15 @ 20mA，10v	15MHz
NTD4863N-1G	-	RFQ	3446	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTD48		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		25 v	9.2A（ta），49a （TC）	4.5V，10V	9.3mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	13.5 NC @ 4.5 V	±20V	990 pf @ 12 V	-	1.27W（ta），36.6w（tc）
2N3904_D27ZS00Z	-	RFQ	6026	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N3904			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																					40 V	200 ma					-	NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
2SA2039-E	0.9300	RFQ	468	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	2SA2039			800兆	TP	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500																					50 V	5 a					1µA（ICBO）	PNP	430mv @ 100mA，2a	200 @ 500mA，2V	360MHz
MPS3638AG	-	RFQ	7916	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	MPS363			625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	MPS3638AGOS	Ear99	8541.21.0075	5,000																					25 v	500 MA					35na	PNP	1V @ 30mA，300mA	20 @ 300mA，2V	150MHz
BC238CTA	-	RFQ	5130	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC238			500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																					25 v	100 ma					15NA	NPN	600mv @ 5mA，100mA	380 @ 2mA，5V	250MHz
FQU9N25TU	-	RFQ	9077	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FQU9N25		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70		n通道		250 v	7.4A（TC）	10V	420MOHM @ 3.7A，10V	5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	700 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），55W（tc）
KSA733YBU	-	RFQ	2468	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	KSA733			250兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																					50 V	150 ma					100NA（ICBO）	PNP	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 1mA，6v	180MHz
MPSA05	-	RFQ	6990	Onmi	-	大部分	过时的				MPSA05					下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²