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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
TIP122	-	RFQ	3323	Onmi	-	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		TIP122			2 w	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																										100 v	5 a					500µA			npn-达灵顿	4V @ 20mA，5a	1000 @ 3a，3v	-
NSV1C201MZ4T1G	0.6000	RFQ	142	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		NSV1C201			800兆	SOT-223（TO-261）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																										100 v	2 a					100NA（ICBO）			NPN	180mv @ 200ma，2a	120 @ 500mA，2V	100MHz
2SA2210-EPN-1E	1.6700	RFQ	350	Onmi	*	管子	积极的			-	-		2SA2210				-	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50
2N6497	-	RFQ	2062	Onmi	-	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		2N6497			80 W	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	2N6497OS	Ear99	8541.29.0095	50																										250 v	5 a					-			NPN	5V @ 2a，5a	10 @ 2.5A，10V	5MHz
SVC251SPA	0.1000	RFQ	27	Onmi	*	大部分	积极的											下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1
FJX3003RTF	-	RFQ	6724	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-70，SOT-323		FJX300			200兆	SOT-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																										50 V	100 ma					100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	250 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
MBRS240LT3G	0.4600	RFQ	9361	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB		MBRS240		肖特基		SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MBRS240LT3GOSTR	Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																40 V	430 mv @ 2 a		2 ma @ 40 V	-55°C〜150°C	2a	-
NTD20N06-001	-	RFQ	2031	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		NTD20		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道					60 V	20A（TA）	10V	46mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1015 PF @ 25 V	-	1.88W（TA），60W（TJ）
BC212_D27Z	-	RFQ	9031	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		BC212			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																										50 V	300 MA					15NA（icbo）			PNP	600mv @ 5mA，100mA	60 @ 2mA，5V	-
NTP082N65S3F	7.8300	RFQ	4070	Onmi	FRFET®，SuperFet®II	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		NTP082		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道					650 v	40a（TC）	10V	82MOHM @ 20A，10V	5V @ 4mA	81 NC @ 10 V	±30V	3410 PF @ 400 V	-	313W（TC）
1N4003GP	-	RFQ	4799	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		1N4003		标准		do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	25,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																200 v	1.1 V @ 1 A		10 µA @ 200 V	-55°C 〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
FSB50550BS	9.6000	RFQ	449	Onmi	MOTIONSPM®5	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	23-powersmd模块，鸥翼	MOSFET	FSB50550					下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	450	3相逆变器				3 a	500 v	1500vrms
mmsz15et1g	-	RFQ	9778	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123		MMSZ15			500兆	SOD-123	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																			900 mv @ 10 ma		50 NA @ 10.5 V												15 v	30欧姆
NSBA114TDXV6T5G	-	RFQ	2922	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOT-563，SOT-666		NSBA114			500MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000																										50V	100mA					500NA			2 PNP-）	250mv @ 1mA，10mA	160 @ 5mA，10v	-	10KOHMS	-
DTC124XET1G	0.1700	RFQ	12	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-75，SOT-416		DTC124			200兆	SC-75，SOT-416	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																										50 V	100 ma					500NA			npn-预先偏见	250mv @ 1mA，10mA	80 @ 5mA，10v		22 KOHMS	47科姆斯
MBR460MFST3G	-	RFQ	5757	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	8-Powertdfn，5个线索		MBR460		肖特基		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																60 V	740 mv @ 4 a		200 µA @ 60 V	-55°C 〜175°C	4a	-
MM5Z10V	-	RFQ	3772	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±6％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523F		MM5Z1			200兆	SOD-523F	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000																					100 na @ 8 V												10 v	20欧姆
NGP15N41CLG	-	RFQ	1171	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		NGP15	逻辑		107 w	TO-220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				300V，6.5a，1KOHM																					-	440 v	15 a	50 a	2.2V @ 4V，10a	-	- /4µs
MJD243T4G	0.7600	RFQ	5	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MJD243			1.4 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																										100 v	4 a					100NA（ICBO）			NPN	600mv @ 100mA，1a	40 @ 200ma，1V	40MHz
mpsa44rl1g	-	RFQ	1347	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）		MPSA44			625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																										400 v	300 MA					500NA			NPN	750mv @ 5mA，50mA	50 @ 10mA，10v	-
2SK4066-DL-1EX	-	RFQ	4924	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		2SK4066		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道					60 V	100A（TA）		4.7MOHM @ 50a，10v	-	220 NC @ 10 V		12500 PF @ 20 V	-	1.65W（ta），90W（tc）
BC548BTA	0.3500	RFQ	3	Onmi	-	（CT）	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		BC548			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																										30 V	100 ma					15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	300MHz
BC182L_D74Z	-	RFQ	1858年	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		BC182			350兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																										50 V	100 ma					15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	120 @ 2mA，5V	150MHz
BC516-D27Z	0.4700	RFQ	5	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		BC516			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																										30 V	1 a					100NA（ICBO）			pnp-达灵顿	1V @ 100µA，100mA	30000 @ 20mA，2V	200MHz
FQP7N65C	-	RFQ	4546	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		FQP7		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					650 v	7A（TC）	10V	1.4OHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	1245 PF @ 25 V	-	160W（TC）
MURA160T3G	0.5200	RFQ	4774	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		Mura160		标准		SMA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																600 v	1.25 V @ 1 A	75 ns	5 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	1a	-
BC850BMTF	-	RFQ	7971	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BC850			310 MW	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																										45 v	100 ma					15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	300MHz
NSVBC114EDXV6T1G	0.4100	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-563，SOT-666		NSVBC114			500MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000																										50V	100mA					500NA			2 NPN- 预偏（双重）	250mv @ 300µA，10mA	35 @ 5mA，10v	-	10KOHMS	10KOHMS
KSC2784FTA	-	RFQ	6407	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3		KSC2784			300兆	TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																										120 v	50 mA					50NA（iCBO）			NPN	300mv @ 1mA，10mA	300 @ 1mA，6v	110MHz
but11ftu	-	RFQ	4311	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		But11			100 W	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000																										400 v	5 a					1ma			NPN	1.5V @ 600mA，3a	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²