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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
2SK4096LS-S-MG5	1.3600	RFQ	37	Onmi	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
MMBTA92HLT1G	-	RFQ	5180	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	-	-		MMBTA92			-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																												-			-	-	-	-
1N914A	-	RFQ	2063	Onmi	-	大部分	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		1N914A	标准		do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	2,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																100 v		1 V @ 20 ma	4 ns	5 µA @ 75 V	-55°C 〜175°C	200mA	4pf @ 0v，1MHz
BFL4036-S	0.5200	RFQ	13	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
MPSA27_D74Z	-	RFQ	1184	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		MPSA27		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																										60 V	800 MA	500NA			npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	125MHz
2SK3491-E	0.6400	RFQ	1	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
KSC2690YSTU	-	RFQ	6217	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3		KSC2690		1.2 w	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	60																										120 v	1.2 a	1µA（ICBO）			NPN	700mv @ 200mA，1a	160 @ 300mA，5V	155MHz
MMBZ5236B	-	RFQ	2028	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMBZ52		350兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																				900 mv @ 10 ma		3 µA @ 6 V							7.5 v	6欧姆
BZX84B18LT3G	-	RFQ	4716	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±6％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BZX84B18		225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000																				900 mv @ 10 ma		50 NA @ 12.6 V							18 V	45欧姆
FAM65CR51AXZ1	33.9200	RFQ	2905	Onmi	汽车，AEC-Q101	管子	积极的			通过洞	12 sip裸露的垫子，形成的导线	MOSFET	FAM65				下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-FAM65CR51AXZ1	Ear99	8542.39.0001	72	2独立			64 a	650 v	-
FCBS0550-ON	15.4000	RFQ	60	Onmi	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1
SBS822-S-TL-H	-	RFQ	1395年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	6-SMD（5条线），平坦的铅		SBS822	肖特基		5-MCPH	-		（1 （无限）	到达不受影响	2156-SBS822-S-TL-H	Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															2独立	20 v	1a	460 mv @ 1 a	10 ns	110 µA @ 10 V	-55°C〜125°C
SZ1SMB5935BT3G	0.8300	RFQ	62	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB		SZ1SMB5935		3 W	SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500																				1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 20.6 V							27 V	23欧姆
FDMF5175	3.0200	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	25-PowerWFQFN	MOSFET					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-FDMF5175TR	Ear99	8542.39.0001	3,000	3期			30 a	25 v	-
2SA1524-AC	0.3000	RFQ	2	Onmi	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1
Surhd8560T4G	-	RFQ	9037	Onmi	-	大部分	过时的						Surhd8560				下载				488-SURHD8560T4G	过时的		1
FSB50650BS	-	RFQ	6609	Onmi	MOTIONSPM®5	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	23-powersmd模块，鸥翼	MOSFET	FSB50650				下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	450	3相逆变器			4 a	500 v	1500vrms
NTK3134NT1G	0.5400	RFQ	93	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-723		NTK3134	MOSFET （金属 o化物）		SOT-723	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000			n通道				20 v	750mA（TA）	1.5V，4.5V	350MOHM @ 890mA，4.5V	1.2V @ 250µA		±6V	120 pf @ 16 V	-	310MW（TA）
FSB50550群	8.1500	RFQ	450	Onmi	MOTIONSPM®5	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			表面安装	23-powersmd模块，鸥翼	MOSFET	FSB50550				下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	450	3期			2 a	500 v	1500vrms
MCH6445-TL-E	-	RFQ	9071	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	6-SMD，平坦的铅		MCH64	MOSFET （金属 o化物）		6-MCPH	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道				60 V	4A（ta）		78MOHM @ 2A，10V	-	10 NC @ 10 V		505 pf @ 20 V	-
FSB32560	-	RFQ	4454	Onmi	motionspm®3	管子	过时的			通过洞	27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm）	IGBT	FSB325				下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	3期			25 a	600 v	2500vrms
FQPF5N50CT	-	RFQ	1095	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		FQPF5	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道				500 v	5A（TC）	10V	1.4OHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	625 pf @ 25 V	-	38W（TC）
FSAM50SM60A	-	RFQ	5208	Onmi	SPM®2	管子	过时的			通过洞	32-PowerDip 模块（1.370英寸，34.80mm）	IGBT	FSAM50				下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	48	3相逆变器			50 a	600 v	2500vrms
NFAM1012L5B	-	RFQ	3656	Onmi	-	管子	过时的			通过洞	39-PowerDip 模块（1.413英寸，35.90mm），29条线索	IGBT	NFAM1012				下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NFAM1012L5B	Ear99	8542.39.0001	90	3期			10 a	1.2 kV	2500vrms
SBC817-40LT1G	0.2800	RFQ	65	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		SBC817		300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																										45 v	500 MA	100NA（ICBO）			NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	100MHz
CPH5524-TL-E	0.7000	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-5薄，TSOT-23-5		CPH5524		1.2W	5-CPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000																										50V	3a	1µA（ICBO）			NPN，PNP （发射器耦合）	240mv @ 100mA，2a	200 @ 100mA，2V	380MHz
BZX79C3V9_T50R	-	RFQ	3045	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		BZX79C3		500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																				1.5 V @ 100 ma		10 µA @ 1 V							3.9 v	90欧姆
FDSS2407	-	RFQ	4462	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		FDSS24	MOSFET （金属 o化物）	2.27W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）						62V	3.3a		110MOHM @ 3.3a，10V	3V @ 250µA	4.3nc @ 5V		300pf @ 15V	逻辑级别门
1N4757A_T50A	-	RFQ	7559	Onmi	-	（TB）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向		1N4757		1 w	do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																						5 µA @ 38.8 V							51 v	95欧姆
NTTFS4985NFTAG	-	RFQ	1240	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		NTTFS4985	MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道				30 V	16.3a（TA），64A （TC）	4.5V，10V	3.5mohm @ 20a，10v	2.3V @ 250µA	29.4 NC @ 10 V	±20V	2075 PF @ 15 V	-	1.47W（TA），22.73W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²