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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	（（av）（av））	当前 -关闭状态（最大）	scr	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
2n5062g	-	RFQ	4276	Onmi	-	大部分	过时的		-40°C〜110°C	通过洞	TO-226-3，TO-92-3		2N5062			TO-92（to-226）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	5,000				5 ma														100 v	800 MA	800 mv	10a @ 60hz	200 µA	1.7 v	510 MA	10 µA	敏感门
mcr8n	-	RFQ	3997	Onmi	-	管子	过时的		-40°C〜125°C	通过洞	TO-220-3		MCR8			TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	mcr8nos	Ear99	8541.30.0080	50				30 ma														800 v	8 a	1 V	80a @ 60hz	15 ma	1.8 v		10 µA	标准恢复
NTMFD4952NFT1G	-	RFQ	4300	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	表面安装	8-POWERTDFN		NTMFD4952	-		8-dfn（5x6）（SO8FL二偶有型号）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			-						-		-	-				-	-
FQP12N60C	3.1900	RFQ	704	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		FQP12	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2832-FQP12N60C	Ear99	8541.29.0095	50			n通道					600 v	12A（TC）	10V	650MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±30V	2290 pf @ 25 V	-	225W（TC）
BD13716STU	0.8200	RFQ	112	Onmi	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3		BD137		1.25 w	TO-126-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2832-BD13716STU	Ear99	8541.29.0095	60																																		60 V	1.5 a	100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	-
2SJ633-TL-E	0.5200	RFQ	10	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	700
MMBZ5234ELT1	-	RFQ	6537	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMBZ52		225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																												900 mv @ 10 ma		5 µA @ 4 V							6.2 v	7欧姆
FQB7P06TM	-	RFQ	8858	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		FQB7	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			P通道					60 V	7A（TC）	10V	410MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±25V	295 pf @ 25 V	-	3.75W（ta），45W（tc）
TIP33CG	2.5500	RFQ	487	Onmi	-	管子	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		提示33		80 W	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30																																		100 v	10 a	700µA			NPN	4V @ 2.5a，10a	20 @ 3a，4v	3MHz
NDT455N	-	RFQ	6124	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		NDT455	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					30 V	11.5A（TA）	4.5V，10V	15MOHM @ 11.5A，10V	3V @ 250µA	61 NC @ 10 V	20V	1220 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
NVTFS4C08NWFTAG	0.7425	RFQ	4927	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		NVTFS4	MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道					30 V	17A（TA）	4.5V，10V	5.9MOHM @ 30a，10V	2.2V @ 250µA	18.2 NC @ 10 V	±20V	1113 PF @ 15 V	-	3.1W（TA），31W（（（（（（
2SA2127-AE	-	RFQ	3268	Onmi	-	（CT）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）		2SA2127		1 w	3-MP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																																		50 V	2 a	1µA（ICBO）			PNP	400mv @ 50mA，1a	200 @ 100mA，2V	420MHz
PZT3906T1	-	RFQ	2192	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		PZT390		1.5 w	SOT-223（TO-261）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	PZT3906T1OS	Ear99	8541.29.0075	1,000																																		40 V	200 ma	-			PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
FDD86367	2.2500	RFQ	44	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		FDD863	MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					80 V	100A（TC）	10V	4.2MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	88 NC @ 10 V	±20V	4840 pf @ 40 V	-	227W（TJ）
BC547BTA	0.3500	RFQ	46	Onmi	-	（CT）	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		BC547		500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																																		45 v	100 ma	15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	300MHz
MPS750G	-	RFQ	3522	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3		MPS750		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000																																		40 V	2 a	100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 200mA，2a	75 @ 1A，2V	75MHz
BF422G	-	RFQ	1319	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3		BF422		830兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000																																		250 v	50 mA	-			NPN	500mv @ 2mA，20mA	50 @ 25mA，20V	60MHz
1N914-T50A	0.1400	RFQ	190	Onmi	-	（CT）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		1N914	标准		do-35	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	5,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																									100 v	1 V @ 10 mA	4 ns	5 µA @ 75 V	-55°C 〜175°C	200mA	4pf @ 0v，1MHz
dta114yet1g	0.1700	RFQ	8	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-75，SOT-416		DTA114		200兆	SC-75，SOT-416	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																																		50 V	100 ma	500NA			pnp-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v		10 kohms	47科姆斯
MMBT4401LT1G	0.1500	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMBT4401		300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																		40 V	600 MA	-			NPN	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，1V	250MHz
SMMBT3904WT1G	0.4500	RFQ	7	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323		SMMBT3904		150兆	SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																		40 V	200 ma	-			NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
BD681STU	-	RFQ	4274	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3		BD681		40 W	TO-126-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2832-BD681STU	Ear99	8541.29.0095	1,920																																		100 v	4 a	500µA			npn-达灵顿	2.5V @ 30mA，1.5a	750 @ 1.5A，3V	-
FQPF6N50	-	RFQ	9066	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		FQPF6	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					500 v	3.6A（TC）	10V	1.3OHM @ 1.8A，10V	5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±30V	790 pf @ 25 V	-	42W（TC）
FDZ293P	-	RFQ	4050	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-vfbga		FDZ29	MOSFET （金属 o化物）		9-BGA（1.5x1.6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道					20 v	4.6a（ta）	2.5V，4.5V	46MOHM @ 4.6A，4.5V	1.5V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±12V	754 pf @ 10 V	-	1.7W（TA）
FVP12030IM3LEG1	-	RFQ	6581	Onmi	SPM®	托盘	过时的			通过洞	19-powerdip 模块（1.205英寸，30.60毫米）	IGBT	FVP120				下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40	半桥				120 a	300 v	1500vrms
MCR100-6ZL1G	-	RFQ	8174	Onmi	-	（CT）	过时的		-40°C〜110°C	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）		MCR10			TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2,000				5 ma														400 v	800 MA	800 mv	10a @ 60hz	200 µA	1.7 v		10 µA	敏感门
NSVMUN5237T1G	0.3400	RFQ	9	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323		NSVMUN5237		202兆	SC-70-3（SOT323）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000																																		50 V	100 ma	500NA			npn-预先偏见	250mv @ 5mA，10mA	80 @ 5mA，10v		47科姆斯	22 KOHMS
PZT2222AT1G	0.4100	RFQ	8	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		PZT2222		1.5 w	SOT-223（TO-261）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																																		40 V	600 MA	10NA（ICBO）			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
KSC2073H2TSTU	-	RFQ	2651	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3裁剪的铅		KSC2073		25 w	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																																		150 v	1.5 a	10µA（ICBO）			NPN	1V @ 50mA，500mA	40 @ 500mA，10V	4MHz
MUR140RLG	0.4400	RFQ	5199	Onmi	SwitchMode™	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		MUR140	标准		轴向	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																									400 v	1.25 V @ 1 A	75 ns	5 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²