RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	功率 -输出	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
TIP29CG	1.1700	RFQ	1471	Onmi	-	管子	积极的			-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		TIP29			2 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																						100 v	1 a		300µA			NPN	700mv @ 125mA，1a	15 @ 1A，4V	3MHz
NSVBC114EDXV6T1G	0.4100	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	SOT-563，SOT-666		NSVBC114			500MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000																						50V	100mA		500NA			2 NPN- 预偏（双重）	250mv @ 300µA，10mA	35 @ 5mA，10v	-	10KOHMS	10KOHMS
KSA709OBU	-	RFQ	2620	Onmi	-	大部分	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		KSA709			800兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000																						150 v	700 MA		100NA（ICBO）			PNP	400mv @ 20mA，200mA	70 @ 50mA，2V	50MHz
MMSZ5221ET1	-	RFQ	9353	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％		-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123		MMSZ522			500兆	SOD-123	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																				900 mv @ 10 ma	100 µA @ 1 V					2.4 v	30欧姆
1SMB5938BT3	-	RFQ	8078	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB		1SMB5938			3 W	SMB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500																				1.5 V @ 200 ma	1 µA @ 27.4 V					36 V	38欧姆
MMSZ5252BT1	-	RFQ	7507	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％		-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123		MMSZ525			500兆	SOD-123	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																				900 mv @ 10 ma	100 na @ 18 V					24 V	33欧姆
MTB10N40ET4	0.8700	RFQ	69	Onmi	*	大部分	积极的												下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1
BZX55C5V1_T50A	-	RFQ	7331	Onmi	-	（TB）	过时的	±6％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		BZX55C5			500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																				1.3 V @ 100 mA	100 na @ 1 V					5.1 v	35欧姆
EMX1DXV6T5	0.0500	RFQ	419	Onmi	-	大部分	过时的							EMX1					下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000
FDMF5071	4.0700	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	39-PowerVFQFN	MOSFET	FDMF5071					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	1期					90 a		-
SBC857BLT1G	0.3500	RFQ	59	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		SBC857			300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																						45 v	100 ma		15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
2N5952_D75Z	-	RFQ	9003	Onmi	-	（TB）	过时的		30 V		通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		2N5952	1khz	JFET		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000	n通道		8mA	-	-														2DB					15 v
KSA1182YMTF	-	RFQ	8211	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		KSA1182			150兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																						30 V	500 MA		100NA（ICBO）			PNP	250mv @ 10mA，100mA	120 @ 100mA，1V	200MHz
MJE200G	0.6500	RFQ	13	Onmi	-	大部分	积极的			-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3		MJE200			15 W	TO-126	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500																						40 V	5 a		100NA（ICBO）			NPN	1.8V @ 1a，5a	45 @ 2a，1V	65MHz
NXV65HR82DZ1	32.4111	RFQ	5081	Onmi	汽车，AEC-Q101	管子	积极的				通过洞	16-SSIP裸露的垫，形成铅	MOSFET						下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NXV65HR82DZ1	Ear99	8542.39.0001	72	H桥					26 a	650 v	5000vrm
NSVT45010MW6T3G	0.0920	RFQ	3105	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363		NSVT45010			380MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																						45V	100mA		15NA（icbo）			2 PNP （双）	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
BD14016STU	0.7500	RFQ	1	Onmi	-	管子	积极的			150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3		BD140			1.25 w	TO-126-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2832-BD14016STU	Ear99	8541.29.0095	60																						80 V	1.5 a		100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	-
NTMD6N02R2	-	RFQ	8118	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		NTMD6		MOSFET （金属 o化物）	730MW	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	NTMD6N02R2OS	Ear99	8541.21.0095	2,500	2 n 通道（双）								20V	3.92a		35mohm @ 6a，4.5V	1.2V @ 250µA	20NC @ 4.5V		1100pf @ 16V	逻辑级别门
KSP13BU	0.4100	RFQ	6	Onmi	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		KSP13			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2156-KSP13BU-488	Ear99	8541.21.0075	10,000																						30 V	500 MA		100NA（ICBO）			npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	125MHz
SZMMBZ5264BLT1G	0.1900	RFQ	8851	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		SZMMBZ5264			225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																				900 mv @ 10 ma	100 NA @ 46 V					60 V	170欧姆
MJD122T4	-	RFQ	9605	Onmi	-	（CT）	过时的			-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MJD12			20 w	DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500																						100 v	8 a		10µA			npn-达灵顿	2V @ 15mA，4a	1000 @ 4A，4V	4MHz
2SA1380E	0.2500	RFQ	6	Onmi	*	大部分	积极的												下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1
bud42dt4g	-	RFQ	4620	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		芽42			25 w	DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500																						350 v	4 a		100µA			NPN	1V @ 500mA，2a	10 @ 2a，5v	-
MUN5236T1G	-	RFQ	1549年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	SC-70，SOT-323		MUN5236			202兆	SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																						50 V	100 ma		500NA			npn-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v		100 kohms	100 kohms
2N4410_D75Z	-	RFQ	9773	Onmi	-	（TB）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		2N4410			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																						80 V	200 ma		10NA（ICBO）			NPN	200mv @ 100µA，1mA	60 @ 10mA，1V	-
NVMJS1D0N04CTWG	3.8400	RFQ	4158	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56		NVMJS1		MOSFET （金属 o化物）		8-lfpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道							40 V	46A（TA），300A （TC）	10V	0.92MOHM @ 50a，10V	3.5V @ 190µA	86 NC @ 10 V	±20V	6100 PF @ 25 V	-	3.9W（TA），166w（tc）
FDN5630	0.4800	RFQ	6660	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		FDN563		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道							60 V	1.7A（TA）	6V，10V	100mohm @ 1.7a，10v	3V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	400 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
uma4nt1g	-	RFQ	1722年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353		MA4			150MW	SC-88A（SC-70-5/SOT-353）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	uma4nt1gos	Ear99	8541.21.0095	3,000																						50V	100mA		500NA			2 PNP-）	250mv @ 300µA，10mA	160 @ 5mA，10v	-	10KOHMS	-
BZG03C150	-	RFQ	5033	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±6％		-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA		BZG03C15			1.5 w	SMA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																				1.2 V @ 500 mA	1 µA @ 110 V					150 v	300欧姆
RFP15P05	-	RFQ	1429	Onmi	-	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		RFP15		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道							50 V	15A（TC）	10V	150mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	150 NC @ 20 V	±20V	1150 pf @ 25 V	-	80W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²