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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
umz1nt1g	0.2600	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	UMZ1		250MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																				50V	200mA	2µA			NPN，PNP	250mv @ 10mA，100mA / 300mv @ 10mA，100mA	200 @ 2mA，6v	114MHz，142MHz
FSV530AF	-	RFQ	6016	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	do-214ad，Smaf	FSV530	肖特基		DO-214AD（SMAF）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	10,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												30 V	540 mv @ 5 a	15.72 ns	100 µA @ 30 V	-55°C〜150°C	5a	159pf @ 10V，1MHz
SCH1333-TL-H	-	RFQ	8425	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SCH133	MOSFET （金属 o化物）		6-SCH	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000		P通道	20 v	2A（TA）	1.8V，4.5V	130MOHM @ 1A，4.5V	-	3.3 NC @ 4.5 V	±10V	250 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
NSS40301MZ4T1G	0.6400	RFQ	814	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	NSS40301		2 w	SOT-223（TO-261）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																				40 V	3 a	100NA（ICBO）			NPN	200mv @ 300mA，3a	200 @ 1A，1V	215MHz
2SC5242RTU	-	RFQ	6832	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	2SC5242		130 w	to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2166-2SC5242RTU-488	Ear99	8541.29.0075	30																				250 v	17 a	5µA（ICBO）			NPN	3V @ 800mA，8a	55 @ 1A，5V	30MHz
SSVBC846BPDW1T1G	0.4600	RFQ	8	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SSVBC846		-	SC-88/SC70-6/SOT-363	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000																				-	-	-			-	-	-	-
2N5210_D81Z	-	RFQ	5885	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N5210		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																				50 V	100 ma	50NA（iCBO）			NPN	700mv @ 1mA，10mA	200 @ 100µA，5V	30MHz
KSD363RTU	0.9600	RFQ	1	Onmi	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSD363		40 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																				120 v	6 a	1ma（iCBO）			NPN	1V @ 100mA，1a	40 @ 1A，5V	10MHz
MUN5211DW1T1	-	RFQ	2310	Onmi	-	（CT）	过时的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	MUN52		250MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																				50V	100mA	500NA			2 NPN- 预偏（双重）	250mv @ 300µA，10mA	35 @ 5mA，10v	-	10KOHMS	10KOHMS
2SA2112-AN	-	RFQ	4369	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	SC-71	2SA2112		1 w	3-nmp	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																				50 V	3 a	1µA（ICBO）			PNP	700mv @ 100mA，2a	200 @ 100mA，10v	390MHz
PZT2222AT1	-	RFQ	8365	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	PZT2222		1.5 w	SOT-223（TO-261）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																				40 V	600 MA	10NA（ICBO）			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
2N3773G	7.4800	RFQ	59	Onmi	-	托盘	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N3773		150 w	TO-204（TO-3）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100																				140 v	16 a	10mA			NPN	1.4V @ 800mA，8a	15 @ 8a，4v	-
PN3645_D27Z	-	RFQ	8389	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PN364		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																				60 V	800 MA	35na			PNP	400mv @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	-
BU406G	1.6200	RFQ	2339	Onmi	-	管子	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BU406		60 W	TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																				200 v	7 a	5mA			NPN	1V @ 500mA，5a	-	10MHz
mpsw42g	-	RFQ	5773	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	MPSW42		1 w	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	5,000																				300 v	500 MA	100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 30mA，10V	50MHz
2n6111g	-	RFQ	4174	Onmi	-	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	2N6111		40 W	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																				30 V	7 a	1ma			PNP	3.5V @ 3a，7a	30 @ 3a，4v	10MHz
NSVMMUN2113LT3G	-	RFQ	7572	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NSVMMUN2113		246兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000																				50 V	100 ma	500NA			pnp-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v		47科姆斯	47科姆斯
2N6520BU	-	RFQ	6780	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N6520		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																				350 v	500 MA	50NA（iCBO）			PNP	1V @ 5mA，50mA	20 @ 50mA，10v	200MHz
FDMC8878_F126	-	RFQ	4509	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMC88	MOSFET （金属 o化物）		8-mlp（3.3x3.3）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	（9.6a）（16.5a ta）TC）	4.5V，10V	14mohm @ 9.6a，10V	3V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	1230 pf @ 15 V	-	2.1W（TA），31W（（（（（
1N746A_T50R	-	RFQ	1944年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N746		500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000														1.5 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V							3.3 v	28欧姆
KSC900CYTA	-	RFQ	7952	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSC900		250兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																				25 v	50 mA	50NA（iCBO）			NPN	200mv @ 2mA，20mA	120 @ 500µA，3V	100MHz
MURS160T3	-	RFQ	8499	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	DO-214AA，SMB	Murs16	标准		SMB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												600 v	1.25 V @ 1 A	75 ns	5 µA @ 600 V		2a	-
2SC4134T-E	-	RFQ	4593	Onmi	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	2SC4134		800兆	TP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500																				100 v	1 a	100NA（ICBO）			NPN	400mv @ 40mA，400mA	200 @ 100mA，5V	120MHz
BC807-25LT1G	0.1500	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC807		300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																				45 v	500 MA	100NA（ICBO）			PNP	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	100MHz
NTR4171PT1G	0.4500	RFQ	5464	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NTR4171	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	30 V	2.2A（ta）	2.5V，10V	75mohm @ 2.2a，10v	1.4V @ 250µA	15.6 NC @ 10 V	±12V	720 PF @ 15 V	-	480MW（TA）
FDMS8888	-	RFQ	5621	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS88	MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	13.5A（TA），21a （TC）	4.5V，10V	9.5MOHM @ 13.5A，10V	2.5V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V	1585 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
MMBTA06	-	RFQ	7739	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBTA06		350兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																				80 V	500 MA	100NA			NPN	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
MPSA29_D75Z	-	RFQ	6469	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	MPSA29		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																				100 v	800 MA	500NA			npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	125MHz
BC308BBU	-	RFQ	4418	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC308		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																				25 v	100 ma	15NA			PNP	500mv @ 5mA，100mA	180 @ 2mA，5v	130MHz
PN2907TF	-	RFQ	4392	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	PN290		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																				40 V	800 MA	20NA（ICBO）			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²