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离散半导体产品（26937）

产品编号	定价（美元）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 - 最大	供应商设备包	数据表	ROHS状态	水分灵敏度水平（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	FET类型	电流 - 保持（ih）（最大）	排出源电压（VDSS）	电流 - 连续排水（ID） @ 25°C	驱动电压（最大RDS，最小RDS打开）	rds on（max） @ id，vgs	VGS（th）（Max） @ ID	门充电（QG）（Max） @ VGS	VGS（最大）	输入电容（CISS）（最大） @ vds	FET功能	功率耗散（最大）	电压 - 偏离状态	电流 - 在状态（IT（RMS））（最大）	电压 - 栅极触发（VGT）（最大）	当前-NonRep。Suger50，60Hz（ITSM）	电流 - 门触发器（IGT）（最大）	电压 - 状态（VTM）（最大）	当前 - 关闭状态（最大）	SCR类型	电压-DC反向（VR）（最大）	电压 - 向前（vf）（max） @如果	反向恢复T（TRR）	电流 - 反向泄漏 @ vr	工作温度 - 交界处	电流 - 平均纠正（IO）	电容 @ vr，f	电压 - 收集器发射器故障（最大）	电流 - 收集器（IC）（最大）	当前 - 收集器截止（最大）	电压-Zener（nom）（VZ）	阻抗（最大）（ZZT）	晶体管类型	VCE饱和度（Max） @ IB，IC	直流电流增益（HFE）（min） @ ic，vce	频率 - 过渡	电阻 - 底座（R1）	电阻 - 发射极底座（R2）
NVTFS4C13NWFTWG	0.5340	RFQ	6761	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（TR）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS4	MOSFET（金属O化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	ROHS3符合条件	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		N通道		30 V	14a（ta）	4.5V，10V	9.4mohm @ 30a，10v	2.1V @ 250µA	15.2 NC @ 10 V	±20V	770 pf @ 15 V	-	3W（TA），26W（TC）
MMSZ5248ET1	-	RFQ	3130	Onmi	-	胶带和卷轴（TR）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	MMSZ524		500兆W	SOD-123	下载	Rohs不合规	1（无限）	到达不受影响	MMSZ5248ET1OS	Ear99	8541.10.0050	3,000																							900 mv @ 10 ma		100 na @ 14 V							18 V	21欧姆
MJW21191	-	RFQ	7013	Onmi	-	管子	过时的		-65°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	MJW21		125 w	TO-247-3	下载	Rohs不合规	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30																													150 v	8 a	10µA			PNP	2V @ 1.6a，8a	15 @ 4A，2V	4MHz
HUF76429D3ST	-	RFQ	8190	Onmi	Ultrafet™	胶带和卷轴（TR）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 Leads + Tab），SC-63	HUF76	MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载		1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		N通道		60 V	20A（TC）	4.5V，10V	23mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±16V	1480 pf @ 25 V	-	110W（TC）
szmmsz5264bt1g	0.3100	RFQ	9	Onmi	Automotive，AEC-Q101，SZMMSZ52XXXT1G	胶带和卷轴（TR）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	SZMMSZ52		500兆W	SOD-123	下载	ROHS3符合条件	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																							900 mv @ 10 ma		100 NA @ 46 V							60 V	170欧姆
PN2222_J18Z	-	RFQ	4311	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PN2222		625兆W	TO-92-3	下载		1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																													30 V	600 MA	10NA（ICBO）			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10v	300MHz
BAS19-ON	0.0200	RFQ	57	Onmi	*	大部分	积极的									下载	ROHS3符合条件	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000
MPSA77_D74Z	-	RFQ	4637	Onmi	-	胶带和盒子（TB）	过时的		-55°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）形成铅	MPSA77		625兆W	TO-92-3	下载		1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																													60 V	1.2 a	100NA（ICBO）			PNP-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	100MHz
FJC2383OTF	-	RFQ	1324	Onmi	-	胶带和卷轴（TR）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	FJC23		500兆W	SOT-89-3	下载		1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	4,000																													160 v	1 a	1µA（ICBO）			NPN	1.5V @ 50mA，500mA	100 @ 200ma，5v	100MHz
1N4305_T50R	-	RFQ	7958	Onmi	-	胶带和卷轴（TR）	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4305	标准		do-35	-		1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	30,000	快速恢复=<500ns，>200mA（IO）																					75 v	850 mv @ 10 ma	4 ns	100 na @ 50 V	175°C（最大）	300mA	2pf @ 0v，1MHz
BC327TAR	-	RFQ	7604	Onmi	-	胶带和盒子（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）形成铅	BC327		625兆W	TO-92-3	-		1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																													45 v	800 MA	100NA			PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
NVB095N65S3F	6.8800	RFQ	7209	Onmi	SuperFet®III	胶带和卷轴（TR）	积极的		-55°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		D²Pak-3（TO-263-3）	下载	ROHS3符合条件	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		N通道		650 v	36a（TC）	10V	95MOHM @ 18A，10V	5V @ 860µA	66 NC @ 10 V	±30V	3020 PF @ 400 V	-	272W（TC）
MM3Z16VT1	-	RFQ	2498	Onmi	-	胶带和卷轴（TR）	过时的	±6％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323	MM3Z1		200兆W	SOD-323	下载	Rohs不合规	1（无限）	到达不受影响	MM3Z16VT1OS	Ear99	8541.10.0050	3,000																							900 mv @ 10 ma		50 NA @ 11.2 V							16 V	40欧姆
IRLR230ATF	-	RFQ	7940	Onmi	-	胶带和卷轴（TR）	过时的		-55°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 Leads + Tab），SC-63	IRLR23	MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载		1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		N通道		200 v	7.5A（TC）	5V	400mohm @ 3.75a，5V	2V @ 250µA	27 NC @ 5 V	±20V	755 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），48W（TC）
FDB8444	2.2100	RFQ	271	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（TR）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB844	MOSFET（金属O化物）		D²Pak（TO-263）	下载	ROHS3符合条件	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		N通道		40 V	70a（TC）	10V	5.5MOHM @ 70A，10V	4V @ 250µA	128 NC @ 10 V	±20V	8035 PF @ 25 V	-	167W（TC）
SZBZX84B9V1LT1G	0.2400	RFQ	6279	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（TR）	积极的	-	-65°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SZBZX84		225兆W	SOT-23-3（TO-236）	下载	ROHS3符合条件	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																							900 mv @ 10 ma		500 na @ 6 V							9.1 v	15欧姆
FDS6572A	-	RFQ	5330	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（TR）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-SOIC（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS65	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		N通道		20 v	16a（ta）	2.5V，4.5V	6mohm @ 16A，4.5V	1.5V @ 250µA	80 NC @ 4.5 V	±12V	5914 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
SJD127T4G	0.3469	RFQ	7393	Onmi	-	胶带和卷轴（TR）	积极的		-	-	-	SJD127			-	-	ROHS3符合条件	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500																															-			-	-	-	-
MUN2112T1	0.0600	RFQ	51	Onmi	-	大部分	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MUN2112		230兆W	SC-59	下载	Rohs不合规	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																													50 V	100 ma	500NA			PNP-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	60 @ 5mA，10V		22 KOHMS	22 KOHMS
ES3B	0.6300	RFQ	4080	Onmi	-	胶带和卷轴（TR）	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC	ES3	标准		SMC（DO-214AB）	下载	ROHS3符合条件	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200mA（IO）																					100 v	950 mv @ 3 a	20 ns	10 µA @ 100 V	-50°C〜150°C	3a	45pf @ 4V，1MHz
NJVMJK32CTWG	1.0500	RFQ	1547年	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（TR）	积极的		-65°C〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-1023，4-LFPAK	NJVMJK32		2.7W	LFPAK4（5x6）	下载	ROHS3符合条件	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000																													100V	3a	50µA				1.2V @ 375mA，3a	25 @ 1A，4V	3MHz
SZMMSZ4688T1G	0.3700	RFQ	32	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（TR）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	SZMMSZ4688		500兆W	SOD-123	下载	ROHS3符合条件	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																							900 mv @ 10 ma		10 µA @ 3 V							4.7 v
NTB35N15T4	-	RFQ	1215	Onmi	-	胶带和卷轴（TR）	过时的		-55°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB35	MOSFET（金属O化物）		D²Pak	下载	Rohs不合规	1（无限）	到达不受影响	NTB35N15T4OS	Ear99	8541.29.0095	800		N通道		150 v	37a（ta）	10V	50mohm @ 18.5a，10v	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	2W（TA），178W（TJ）
MCR100-6ZL1G	-	RFQ	8174	Onmi	-	切胶带（CT）	过时的		-40°C〜110°C	通过洞	TO-226-3，TO-92-3长体（形成的铅）	MCR10			TO-92（TO-226）	下载		1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2,000			5 ma											400 v	800 MA	800 mv	10a @ 60hz	200 µA	1.7 v	10 µA	敏感门
3LP01M-TL-E	-	RFQ	4507	Onmi	-	胶带和卷轴（TR）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	3LP01	MOSFET（金属O化物）		MCP	下载		1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		30 V	100mA（TA）	1.5V，4V	10.4ohm @ 50mA，4V	-	1.43 NC @ 10 V	±10V	7.5 pf @ 10 V	-	150MW（TA）
MMBZ5245BLT1	-	RFQ	9618	Onmi	-	胶带和卷轴（TR）	过时的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBZ52		225兆W	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																							900 mv @ 10 ma		100 na @ 11 V							15 v	16欧姆
MMUN2133LT1	0.0200	RFQ	36	Onmi	-	大部分	过时的					MMUN2133				下载	Rohs不合规	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
RGP10G	0.3900	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（TR）	积极的			通过洞	DO-204AL，DO-41，轴向	RGP10	标准		do-41	下载	ROHS3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000	快速恢复=<500ns，>200mA（IO）																					400 v	1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
NTD65N03R-035	-	RFQ	7135	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	NTD65	MOSFET（金属O化物）		我帕克	下载	Rohs不合规	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		N通道		25 v	9.5A（TA），32A（TC）	4.5V，10V	8.4mohm @ 30a，10v	2V @ 250µA	16 NC @ 5 V	±20V	1400 pf @ 20 V	-	1.3W（TA），50W（TC）
BC846AMTF-ON	0.0300	RFQ	27	Onmi	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			310 MW	SOT-23-3	下载	ROHS3符合条件	1（无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	8,876																													65 v	100 ma	15NA（ICBO）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5v	300MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²