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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）
SZBZX84C27LT1G	0.1900	RFQ	12	Onmi	汽车，AEC-Q101，SZBZX84CXXXLT1G	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±7％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SZBZX84			225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000															900 mv @ 10 ma		50 na @ 18.9 V												27 V	80欧姆
FDB3672-F085	2.6500	RFQ	763	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB3672		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		100 v	7.2A（ta），44A（tc）	6V，10V	28mohm @ 44a，10v	4V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	1710 PF @ 25 V	-	120W（TC）
FQP32N20C	2.8400	RFQ	3	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP32		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		200 v	28a（TC）	10V	82MOHM @ 14A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	2200 PF @ 25 V	-	156W（TC）
1N5231B_T50A	-	RFQ	3277	Onmi	-	（TB）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5231			500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000															1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 2 V												5.1 v	17欧姆
2N5962_D74Z	-	RFQ	6807	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N5962			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																						45 v	100 ma					2NA（ICBO）			NPN	200mv @ 500µA，10mA	600 @ 10mA，5V	-
MPSA14_D74Z	-	RFQ	1343	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	MPSA14			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																						30 V	1.2 a					100NA（ICBO）			npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	125MHz
BC549BBU	-	RFQ	6865	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC549			500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																						30 V	100 ma					15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	300MHz
DTC114TE	-	RFQ	3666	Onmi	*	大部分	积极的					DTC114					下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
FQD1N80TF	-	RFQ	6103	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD1		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		800 v	1A（TC）	10V	20ohm @ 500mA，10v	5V @ 250µA	7.2 NC @ 10 V	±30V	195 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），45W（（（（（（（（（（
FJV3111RMTF	-	RFQ	8685	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FJV311			200兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																						40 V	100 ma					100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	22 KOHMS
nrvbb3030ctlt4g	-	RFQ	8218	Onmi	-	大部分	过时的					NRVBB3030					下载				488-NRVB3030CTLT4G	过时的		1
BZX85C20	-	RFQ	8148	Onmi	-	大部分	过时的	±6％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	BZX85C20			1 w	do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000															1.2 V @ 200 ma		500 na @ 14 V												20 v	24欧姆
1N914-T50A	0.1400	RFQ	190	Onmi	-	（CT）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N914		标准		do-35	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	5,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度													100 v	1 V @ 10 mA	4 ns	5 µA @ 75 V	-55°C 〜175°C	200mA	4pf @ 0v，1MHz
1N5338BRL	-	RFQ	7192	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	T-18，轴向	1N5338			5 w	轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000															1.2 V @ 1 A		1 µA @ 1 V												5.1 v	1.5欧姆
MJE3439G	-	RFQ	8823	Onmi	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	MJE3439			15 W	TO-126	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500																						350 v	300 MA					20µA			NPN	500mv @ 4mA，50mA	15 @ 20mA，10v	15MHz
NTMFS4946NT3G	-	RFQ	4894	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		30 V	12.7A（TA），100A（tc）	4.5V，11.5V	3.4mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	53 NC @ 11.5 V	±20V	3250 pf @ 12 V	-	890MW（TA），55.5W（tc）
BZX55C4V7_T50A	-	RFQ	1753年	Onmi	-	（TB）	过时的	±6％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	BZX55C4			500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000															1.3 V @ 100 mA		500 na @ 1 V												4.7 v	60欧姆
NTD14N03R-1G	-	RFQ	5202	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTD14		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响	NTD14N03R-1GOS	Ear99	8541.29.0095	75		n通道		25 v	2.5a（ta）	4.5V，10V	95MOHM @ 5A，10V	2V @ 250µA	1.8 NC @ 5 V	±20V	115 pf @ 20 V	-	1.04W（ta），20.8W（tc）
BC308CBU	-	RFQ	6398	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC308			500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																						25 v	100 ma					15NA			PNP	500mv @ 5mA，100mA	380 @ 2mA，5V	130MHz
BC856CMTF	-	RFQ	7780	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC856			310 MW	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																						65 v	100 ma					15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	150MHz
DCA015-TB-E	0.0700	RFQ	102	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8541.10.0070	3,000
MMFT2406T1G	-	RFQ	5744	Onmi	*		过时的					mmft24					-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,000
KSA1281YBU	-	RFQ	6155	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	KSA1281			1 w	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	6,000																						50 V	2 a					100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，1a	120 @ 500mA，2V	100MHz
MPSA63ZL1	-	RFQ	6032	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPSA63			625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																						30 V	500 MA					100NA（ICBO）			pnp-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	125MHz
1N976B	-	RFQ	7342	Onmi	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N976			500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000																	5 µA @ 32.7 V												43 V	93欧姆
S110FA	0.3900	RFQ	3702	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-123W	S110		肖特基		SOD-123FA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													100 v	800 mv @ 1 A		50 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	1a	55pf @ 4V，1MHz
ISL9V3040D3ST	1.9600	RFQ	8826	Onmi	Ecospark®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ISL9V3040	逻辑		150 w	TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			300V，1KOHM，5V																		-	430 v	21 a	1.6V @ 4V，6A	-	17 NC	- /4.8µs
HUF75637S3_NR4895	-	RFQ	6291	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	HUF75		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	44A（TC）	10V	30mohm @ 44a，10v	4V @ 250µA	108 NC @ 20 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	155W（TC）
2SA2127-AE	-	RFQ	3268	Onmi	-	（CT）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	2SA2127			1 w	3-MP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																						50 V	2 a					1µA（ICBO）			PNP	400mv @ 50mA，1a	200 @ 100mA，2V	420MHz
BAS16M3T5G	0.3000	RFQ	7	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-723	BAS16		标准		SOT-723	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	8,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度													100 v	1.25 V @ 150 mA	6 ns	1 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	200mA	2pf @ 0v，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²