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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
NTMFS5H400NLT3G	3.9754	RFQ	4998	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		NTMFS5		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道					40 V	46A（TA），330a （TC）	4.5V，10V		2V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	7700 PF @ 20 V	-	3.3W（TA），160W（tc）
FDD6530A	-	RFQ	8984	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		FDD653		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					20 v	21a（21a）	2.5V，4.5V	32MOHM @ 8A，4.5V	1.2V @ 250µA	9 NC @ 4.5 V	±8V	710 pf @ 10 V	-	3.3W（TA），33W（tc）
NSVDTA115EET1G	0.0630	RFQ	1157	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-75，SOT-416		NSVDTA115			200兆	SC-75，SOT-416	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2832-NSVDTA115EET1GTR	Ear99	8541.21.0095	3,000																												50 V	100 ma						500NA			pnp-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v		100 kohms	100 kohms
MM5Z6V2	-	RFQ	7741	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±6％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523F		MM5Z6			200兆	SOD-523F	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000																							3 µA @ 4 V													6.2 v	10欧姆
FSV1060V	1.3200	RFQ	69	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			表面安装	TO-277，3-PowerDfn		FSV1060		肖特基		TO-277-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	60 V		520 mv @ 10 a		220 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	10a	550pf @ 4V，1MHz
MJB42CT4G	1.2100	RFQ	8922	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MJB42			2 w	D²Pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800																												100 v	6 a						700µA			PNP	1.5V @ 600mA，6a	15 @ 3a，4V	3MHz
MM5Z22VT1	-	RFQ	1595年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±6％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523		MM5Z2			200兆	SOD-523	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																					900 mv @ 10 ma		50 NA @ 15.4 V													22 v	55欧姆
KSE45H11TU	-	RFQ	1513年	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		KSE45			1.67 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																												80 V	10 a						10µA			PNP	1V @ 400mA，8a	60 @ 2a，1V	40MHz
KSA1304OTU	-	RFQ	8357	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		KSA13			20 w	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																												150 v	1.5 a						10µA（ICBO）			PNP	1.5V @ 50mA，500mA	40 @ 500mA，10V	4MHz
FDBL0120N40	3.9600	RFQ	4713	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn		FDBL0120		MOSFET （金属 o化物）		8-hpsof	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道					40 V	240a（TC）	10V	1.2MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	107 NC @ 10 V	±20V	7735 pf @ 25 V	-	300W（TJ）
NRVA4003T3G	0.4000	RFQ	8677	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		NRVA4003		标准		SMA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																	300 v		1.1 V @ 1 A		10 µA @ 300 V	-55°C〜150°C	1a	-
NXV65HR82DZ1	32.4111	RFQ	5081	Onmi	汽车，AEC-Q101	管子	积极的			通过洞	16-SSIP裸露的垫，形成铅	MOSFET						下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NXV65HR82DZ1	Ear99	8542.39.0001	72	H桥				26 a	650 v	5000vrm
BC214L	-	RFQ	9498	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		BC214			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																												30 V	500 MA						15NA（icbo）			PNP	600mv @ 5mA，100mA	140 @ 2mA，5V	200MHz
NTMFS4H02NFT3G	-	RFQ	9835	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		NTMFS4		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道					25 v	37A（TA），193a （TC）	4.5V，10V	1.4mohm @ 30a，10v	2.1V @ 250µA	40.9 NC @ 10 V	±20V	2652 PF @ 12 V	-	3.13W（TA），83W（tc）
BC63916	-	RFQ	6404	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		BC639			1 w	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000																												80 V	1 a						100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	100MHz
NSL12AWT1G	-	RFQ	7197	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363		NSL12			450兆	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																												12 v	2 a						100NA			PNP	290mv @ 20mA，1a	100 @ 800mA，1.5 V	100MHz
SBCP68T1G	-	RFQ	3636	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		SBCP68			1.5 w	SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																												20 v	1 a						10µA（ICBO）			NPN	500mv @ 100mA，1a	85 @ 500mA，1V	60MHz
MUR260	-	RFQ	1575年	Onmi	SwitchMode™	大部分	过时的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		MUR26		标准		轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	600 v		1.35 V @ 2 A	75 ns	5 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	2a	-
SMMBT3904LT3G	0.3100	RFQ	1	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		SMMBT3904			300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																												40 V	200 ma						-			NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
BAT54st	-	RFQ	9038	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOT-523		BAT54		肖特基		SOT-523	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																1对系列连接	30 V	100mA	1 V @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 25 V	125°c （最大）
KSD1616LPWD	-	RFQ	3277	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		KSD1616			750兆w	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1																												50 V	1 a						100NA（ICBO）			NPN	300mv @ 50mA，1a	300 @ 100mA，2V	160MHz
1N4154	-	RFQ	5348	Onmi	-	大部分	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		1N4154		标准		do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	2,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																	35 v		1 V @ 30 mA	4 ns	100 na @ 25 V	175°c （最大）	100mA	4pf @ 0v，1MHz
mmsz5268bt1g	0.2200	RFQ	92	Onmi	mmsz52xxxt1g	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123		MMSZ526			500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																					900 mv @ 10 ma		100 na @ 62 V													82 v	330欧姆
FJX1182YTF	-	RFQ	9644	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323		FJX118			150兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																												30 V	500 MA						100NA（ICBO）			PNP	250mv @ 10mA，100mA	120 @ 100mA，1V	200MHz
1N6006B_T50R	-	RFQ	2618	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		1N6006			500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000																					1.2 V @ 200 ma		100 na @ 14 V													18 V	42欧姆
MMBT589LT1G	0.5100	RFQ	104	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMBT589			310 MW	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																												30 V	1 a						100NA			PNP	650mv @ 200mA，2a	100 @ 500mA，2V	100MHz
NDS331N	0.4600	RFQ	318	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		NDS331		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道					20 v	1.3a（ta）	2.7V，4.5V	160MOHM @ 1.5A，4.5V	1V @ 250µA	5 NC @ 4.5 V	±8V	162 PF @ 10 V	-	500MW（TA）
NGTB50N60L2WG	-	RFQ	7848	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		NGTB50	标准		500 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，50a，10ohm，15V																		67 ns					沟渠场停止	600 v	100 a	200 a	1.8V @ 15V，50a	（800µJ）（600µJ）（600µJ）	310 NC	110NS/270NS
NTHD4N02FT1G	-	RFQ	4908	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅		nthd4n		MOSFET （金属 o化物）		chipfet™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道					20 v	2.9a（TJ）	2.5V，4.5V	80MOHM @ 2.9a，4.5V	1.2V @ 250µA	4 NC @ 4.5 V	±12V	300 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	910MW（TJ）
MBT35200MT2G	-	RFQ	5931	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		MBT35200			625兆	6-TSOP	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																												35 v	2 a						100NA			PNP	310mv @ 20mA，2a	100 @ 1.5A，1.5V	100MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²