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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	当前 -关闭状态（最大）	scr	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
MCH5541-TL-E	-	RFQ	8493	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6-SMD（5条线），平坦的铅		MCH5541		500MW	5-MCPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																		30V	700mA	100NA（ICBO）			NPN，PNP （发射器耦合）	190mv @ 10mA，200ma / 220mv @ 10mA，200mA	300 @ 50mA，2V	540MHz，520MHz
FFSH2065B-F085	7.3100	RFQ	2766	Onmi	汽车，AEC-Q101	管子	积极的			通过洞	TO-247-2		FFSH2065	SIC （碳化硅）		TO-247-2	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		没有恢复t> 500mA（IO）																									650 v	1.7 V @ 20 A	0 ns	40 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	20a	866pf @ 1V，100kHz
TIP110G	0.8400	RFQ	852	Onmi	-	管子	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		TIP110		2 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	TIP110GOS	Ear99	8541.29.0095	50																																		60 V	2 a	2mA			npn-达灵顿	2.5V @ 8mA，2a	1000 @ 1A，4V	-
PN930	-	RFQ	1548年	Onmi	-	大部分	过时的		-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		PN930		625兆	TO-92-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																																		45 v	100 ma	10NA			NPN	1V @ 500µA，10mA	10 @ 10µA，5V	-
TIP48G	1.0300	RFQ	7165	Onmi	-	管子	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		提示48		2 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																																		300 v	1 a	1ma			NPN	1V @ 200mA，1a	30 @ 300mA，10v	10MHz
NSVIMD10AMT1G	0.4900	RFQ	88	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-74，SOT-457		NSVIMD10		285MW	SC-74R	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																																		50V	500mA	500NA			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5v / 68 @ 100mA，5V	-	13KOHMS，130OHMS	10KOHMS
KSB1149ostu	-	RFQ	8873	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3		KSB11		1.3 w	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,920																																		100 v	3 a	10µA（ICBO）			pnp-达灵顿	1.2V @ 1.5mA，1.5a	2000 @ 1.5A，2V	-
BU407HTU	-	RFQ	1242	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		BU407		60 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000																																		150 v	7 a	5mA			NPN	1V @ 800mA，5a	-	10MHz
2N697	-	RFQ	8515	Onmi	-	大部分	过时的		-	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以		2N697			TO-5	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200																																		40 V		-			NPN	1.5V @ 15mA，150mA	40 @ 150mA，10v	100MHz
dta114yet1g	0.1700	RFQ	8	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-75，SOT-416		DTA114		200兆	SC-75，SOT-416	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																																		50 V	100 ma	500NA			pnp-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v		10 kohms	47科姆斯
2N4123TA	-	RFQ	4043	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		2N4123		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																																		30 V	200 ma	50NA（iCBO）			NPN	300mv @ 5mA，50mA	50 @ 2mA，1V	250MHz
MM5Z43VT1	-	RFQ	1002	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±7％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523		MM5Z4		200兆	SOD-523	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																												900 mv @ 10 ma		50 NA @ 30.1 V							43 V	150欧姆
2SB1122T-TD-E	0.4700	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA		2SB1122		500兆	pcp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																																		50 V	1 a	100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，2V	150MHz
FQI9N50CTU	-	RFQ	1168	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		FQI9	MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						500 v	9A（TC）	10V	800MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	1030 pf @ 25 V	-	135W（TC）
IRLR110ATM	-	RFQ	7813	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IRLR11	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						100 v	4.7A（TC）	5V	440MOHM @ 2.35a，5V	2V @ 250µA	8 nc @ 5 V	±20V	235 pf @ 25 V	-	2.5W（22W），22W（tc）
FSB50450T	-	RFQ	1890年	Onmi	SPM®	管子	过时的			通过洞	23-PowerDip 模块（ 0.748“，19.00mm）	MOSFET	FSB504				下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	15	3期					1.5 a	500 v	1500vrms
2SA2210-EPN-1E	1.6700	RFQ	350	Onmi	*	管子	积极的			-	-		2SA2210			-	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50
FDI3652	-	RFQ	6968	Onmi	PowerTrench®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		FDI3652	MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400			n通道						100 v	（9A）（61A）（61a tc）	6V，10V	16mohm @ 61a，10v	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	2880 pf @ 25 V	-	150W（TC）
SMMBT5089LT1G	0.5100	RFQ	6	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		SMMBT5089		300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																																		25 v	50 mA	50NA（iCBO）			NPN	500mv @ 1mA，10mA	400 @ 100µA，5V	50MHz
NTB110N65S3HF	6.8100	RFQ	7	Onmi	FRFET®，SuperFet®III	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		NTB110	MOSFET （金属 o化物）		D²Pak-3（TO-263-3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道						650 v	30A（TC）	10V	110mohm @ 15a，10v	5V @ 740µA	62 NC @ 10 V	±30V	2635 PF @ 400 V	-	240W（TC）
MCR100-3G	-	RFQ	9815	Onmi	-	盒子	过时的		-40°C〜110°C	通过洞	TO-226-3，TO-92-3		MCR10			TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	5,000				5 ma															100 v	800 MA	800 mv	10a @ 60hz	200 µA	1.7 v	10 µA	敏感门
MMSZ5258BT1	-	RFQ	4118	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123		MMSZ525		500兆	SOD-123	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																												900 mv @ 10 ma		100 na @ 27 V							36 V	70欧姆
NRVBSS16HE	0.5300	RFQ	6095	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	2-SMD，平坦的铅		NRVBSS16	肖特基		SOD-323HE	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																									60 V	680 mv @ 1 a	8.3 ns	50 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	1a	43pf @ 4V，1MHz
NRVB1045MFST1G	0.5424	RFQ	3930	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买			表面安装	8-Powertdfn，5个线索		NRVB1045	肖特基		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																									45 v	750 mv @ 20 a		500 µA @ 45 V	-55°C 〜175°C	10a	-
FDPF12N50NZT	-	RFQ	1982	Onmi	Unifet-II™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		FDPF1	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						500 v	11.5A（TC）	10V	520MOHM @ 5.75A，10V	5V @ 250µA	30 NC @ 400 V	±25V	1235 PF @ 25 V	-	42W（TC）
DTA124EET1G	0.2100	RFQ	9	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-75，SOT-416		DTA124		200兆	SC-75，SOT-416	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																																		50 V	100 ma	500NA			pnp-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	60 @ 5mA，10v		22 KOHMS	22 KOHMS
NVMFS5C426NWFT1G	-	RFQ	9872	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道						40 V	235a（TC）	10V	1.3MOHM @ 50a，10v	3.5V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	4300 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），128W（tc）
SBC847CLT1G	0.3600	RFQ	2	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		SBC847		300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																		45 v	100 ma	15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
BF199_D74Z	-	RFQ	7662	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		BF199		350MW	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000					-																													25V	50mA				NPN		38 @ 7mA，10v	1.1GHz			-
NTR0202PLT1	-	RFQ	1459	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		NTR020	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	NTR0202PLT1OS	Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道						20 v	400mA（TA）	4.5V，10V	800MOHM @ 200mA，10V	2.3V @ 250µA	2.18 NC @ 10 V	±20V	70 pf @ 5 V	-	225MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²