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离散半导体产品（26937）

产品编号	定价（美元）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 - 最大	供应商设备包	数据表	ROHS状态	水分灵敏度水平（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	FET类型	电流 - 保持（ih）（最大）	排出源电压（VDSS）	电流 - 连续排水（ID） @ 25°C	驱动电压（最大RDS，最小RDS打开）	rds on（max） @ id，vgs	VGS（th）（Max） @ ID	门充电（QG）（Max） @ VGS	VGS（最大）	输入电容（CISS）（最大） @ vds	FET功能	功率耗散（最大）	电压 - 偏离状态	电流 - 在状态（IT（RMS））（最大）	电压 - 栅极触发（VGT）（最大）	当前-NonRep。Suger50，60Hz（ITSM）	电流 - 门触发器（IGT）（最大）	SCR类型	电压-DC反向（VR）（最大）	电压 - 向前（vf）（max） @如果	反向恢复T（TRR）	电流 - 反向泄漏 @ vr	工作温度 - 交界处	电流 - 平均纠正（IO）	电容 @ vr，f	电压 - 收集器发射器故障（最大）	电流 - 收集器（IC）（最大）	当前 - 收集器截止（最大）	电压-Zener（nom）（VZ）	阻抗（最大）（ZZT）	晶体管类型	VCE饱和度（Max） @ IB，IC	直流电流增益（HFE）（min） @ ic，vce	频率 - 过渡	电阻 - 底座（R1）	电阻 - 发射极底座（R2）
NVTFS052P04M8LTAG	0.9100	RFQ	6335	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（TR）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS052	MOSFET（金属O化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	ROHS3符合条件	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			P通道		40 V	4.7A（TA），13.2A（TC）	4.5V，10V	69mohm @ 5A，10V	2.4V @ 95µA	6.3 NC @ 10 V	±20V	424 pf @ 20 V	-	2.9W（TA），23W（TC）
KSB1116GBU	-	RFQ	5928	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）形成铅	KSB11		750兆W	TO-92-3	下载		1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																												50 V	1 a	100NA（ICBO）			PNP	300mv @ 50mA，1a	200 @ 100mA，2V	120MHz
BC32716TFR	-	RFQ	6352	Onmi	-	胶带和卷轴（TR）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）形成铅	BC327		625兆W	TO-92-3	-		1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																												45 v	800 MA	100NA			PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
2N6395	0.3600	RFQ	5	Onmi	-	大部分	过时的			通过洞	TO-220-3	2N6395			TO-220AB	下载	Rohs不合规	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	500				50 mA											100 v	12 a	1.5 v	100A @ 60Hz	30 ma	标准恢复
BC847BPDXV6T1G	0.4000	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（TR）	积极的		-55°C〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	BC847		357MW	SOT-563	下载	ROHS3符合条件	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	4,000																												45V	100mA	15NA（ICBO）			NPN，PNP	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	100MHz
MMBZ5254ELT3G	-	RFQ	8823	Onmi	-	胶带和卷轴（TR）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBZ52		225兆W	SOT-23-3（TO-236）	下载		1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000																						900 mv @ 10 ma		100 na @ 21 V							27 V	41欧姆
mmfz8v2t1g	-	RFQ	1997	Onmi	-	胶带和卷轴（TR）	过时的	-	-	表面安装	SOD-123	MMFZ8V		500兆W	SOD-123	-		1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																															8.2 v
NDB6060L	-	RFQ	5255	Onmi	-	胶带和卷轴（TR）	过时的		-65°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NDB6060	MOSFET（金属O化物）		D²Pak（TO-263）	下载	ROHS3符合条件	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			N通道		60 V	48a（TC）	5V，10V	20mohm @ 24A，10V	2V @ 250µA	60 NC @ 5 V	±16V	2000 pf @ 25 V	-	100W（TC）
NTTFS5C454NLTAG	2.1600	RFQ	6749	Onmi	-	胶带和卷轴（TR）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NTTFS5	MOSFET（金属O化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	ROHS3符合条件	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			N通道		40 V	20A（TA），85A（TC）	4.5V，10V	3.8mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 V	-	3.2W（TA），55W（TC）
FS8K	0.9100	RFQ	4	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（TR）	积极的			表面安装	TO-277，3-PowerDFN	FS8K	标准		TO-277-3	下载	ROHS3符合条件	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		标准恢复> 500NS，> 200mA（IO）																			800 v	1.1 V @ 8 A	3.37 µs	5 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	8a	118pf @ 0v，1MHz
2SD1816T-TL-E	1.0400	RFQ	117	Onmi	-	胶带和卷轴（TR）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 Leads + Tab），SC-63	2SD1816		1 w	TP-FA	下载	ROHS3符合条件	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	700																												100 v	4 a	1µA（ICBO）			NPN	400mv @ 200mA，2a	200 @ 500mA，5V	180MHz
NTD95N02R-1G	-	RFQ	7236	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3短线，IPAK，TO-251AA	NTD95	MOSFET（金属O化物）		我帕克	下载		1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			N通道		24 V	12A（TA），32A（TC）	4.5V，10V	5mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	21 NC @ 4.5 V	±20V	2400 PF @ 20 V	-	1.25W（TA），86W（TC）
MR851	-	RFQ	5452	Onmi	-	大部分	过时的			通过洞	DO-201AA，DO-27，轴向	MR85	标准		轴向	下载	Rohs不合规	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500		快速恢复=<500ns，>200mA（IO）																			100 v	1.25 V @ 3 A	300 ns	10 µA @ 100 V	-65°C〜125°C	3a	-
mpsa64rlra	-	RFQ	8373	Onmi	-	胶带和卷轴（TR）	过时的		-55°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3长体（形成的铅）	MPSA64		625兆W	TO-92（TO-226）	下载	Rohs不合规	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																												30 V	500 MA	100NA（ICBO）			PNP-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	125MHz
LB1234-E	0.3000	RFQ	106	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	1（无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
2SA1417S-TD-E	0.7000	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（TR）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SA1417		500兆W	pcp	-	ROHS3符合条件	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																												100 v	2 a	100NA（ICBO）			PNP	400mv @ 100mA，1a	100 @ 100mA，5V	120MHz
FJPF13009H1TU	2.3100	RFQ	937	Onmi	-	管子	上次购买		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，形成的线索	FJPF13009		50 W	TO-220F-3（Y形成）	下载	ROHS3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																												400 v	12 a	-			NPN	3V @ 3a，12a	6 @ 8a，5v	4MHz
BC560ABU	-	RFQ	8519	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC560		500兆W	TO-92-3	下载		1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																												45 v	100 ma	15NA（ICBO）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5v	150MHz
NTMFS5H600NLT1G-IRH1	2.1732	RFQ	7796	Onmi	-	胶带和卷轴（TR）	积极的		-55°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN，5个线索		MOSFET（金属O化物）		5-DFN（5x6）（8-SOFL）	-	ROHS3符合条件	1（无限）	到达不受影响	488-NTMFS5H600NLT1G-IRH1TR	Ear99	8541.29.0095	1,500			N通道		60 V	35A（TA），250A（TC）	4.5V，10V	1.3MOHM @ 50a，10V	2V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±20V	6680 pf @ 30 V	-	3.3W（TA），160W（TC）
BZX85C3V3_T50A	-	RFQ	2705	Onmi	-	胶带和盒子（TB）	过时的	±6％	-65°C〜200°C	通过洞	DO-204AL，DO-41，轴向	BZX85C3		1 w	do-41	下载		1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																						1.2 V @ 200 ma		60 µA @ 1 V							3.3 v	20欧姆
1N5926BG	2.6900	RFQ	1	Onmi	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AL，DO-41，轴向				DO-204AL（DO-41）	下载	ROHS3符合条件	1（无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0050	112
KSP26TA	-	RFQ	4072	Onmi	-	胶带和盒子（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）形成铅	KSP26		625兆W	TO-92-3	下载		1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																												50 V	500 MA	100NA（ICBO）			NPN-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	-
BC558TF	-	RFQ	8733	Onmi	-	胶带和卷轴（TR）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）形成铅	BC558		500兆W	TO-92-3	下载		1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																												30 V	100 ma	15NA（ICBO）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5v	150MHz
NTLJD2105LTBG	-	RFQ	2677	Onmi	-	胶带和卷轴（TR）	过时的		-55°C〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	NTLJD21	MOSFET（金属O化物）	520MW	6-WDFN（2x2）	下载		1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	N和P通道				8V	2.5a		50mohm @ 4A，4.5V	1V @ 250µA	-		-	-
NTF3055L175T1	-	RFQ	5698	Onmi	-	胶带和卷轴（TR）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	NTF305	MOSFET（金属O化物）		SOT-223（TO-261）	下载	Rohs不合规	1（无限）	到达不受影响	NTF3055L175T1OS	Ear99	8541.29.0095	1,000			N通道		60 V	2a（ta）	5V	175MOHM @ 1A，5V	2V @ 250µA	10 NC @ 5 V	±15V	270 pf @ 25 V	-	1.3W（TA）
TIP29AG	1.0300	RFQ	346	Onmi	-	管子	积极的		-65°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TIP29		2 w	TO-220	下载	ROHS3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																												60 V	1 a	300µA			NPN	700mv @ 125mA，1a	15 @ 1A，4V	3MHz
MMBZ5261ELT1	-	RFQ	5029	Onmi	-	胶带和卷轴（TR）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBZ52		225兆W	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																						900 mv @ 10 ma		100 na @ 36 V							47 V	105欧姆
2N6497	-	RFQ	2062	Onmi	-	管子	过时的		-65°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	2N6497		80 W	TO-220	下载	Rohs不合规	1（无限）	到达不受影响	2N6497OS	Ear99	8541.29.0095	50																												250 v	5 a	-			NPN	5V @ 2a，5a	10 @ 2.5A，10V	5MHz
DTA124XET1G	0.0297	RFQ	6039	Onmi	-	胶带和卷轴（TR）	积极的			表面安装	SC-75，SOT-416	DTA124		200兆W	SC-75，SOT-416	下载	ROHS3符合条件	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																												50 V	100 ma	500NA			PNP-预先偏见	250mv @ 1mA，10mA	80 @ 5mA，10v		22 KOHMS	47科姆斯
PN3251	-	RFQ	8584	Onmi	-	大部分	过时的		-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PN325		625兆W	TO-92-3	-	Rohs不合规	1（无限）	到达不受影响	PN3251。	Ear99	8541.21.0075	1,000																												40 V	50 mA	-			PNP	-	-	250MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²