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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
MCH3481-TL-W	-	RFQ	4065	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-3平线	MCH3481		MOSFET （金属 o化物）		SC-70FL/MCPH3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道				20 v	2A（TA）	1.2V，4.5V	104MOHM @ 1A，4.5V	900mv @ 1mA	2.9 NC @ 4.5 V	±9V	175 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
NTD4969N-1G	0.1900	RFQ	16	Onmi	-	管子	过时的				通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTD49		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道				30 V	9.4a（TA），41A（tc）		9mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	9 NC @ 4.5 V		837 PF @ 15 V	-
FDD6770A	-	RFQ	3065	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD677		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道				25 v	（24A）（TA），50A （TC）	4.5V，10V	4MOHM @ 24A，10V	3V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	2405 pf @ 13 V	-	3.7W（3），65W（TC）
1N4001RLG	0.3000	RFQ	94	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4001		标准		轴向	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																50 V	1.1 V @ 1 A		10 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	1a	-
MCH6336-TL-W	-	RFQ	9527	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	MCH6336		MOSFET （金属 o化物）		SC-88FL/MCPH6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道				12 v	5A（5A）	1.8V，4.5V	43mohm @ 3A，4.5V	1.4V @ 1mA	6.9 NC @ 4.5 V	±10V	660 pf @ 6 V	-	1.5W（TA）
3LN02M-TL-E	0.1000	RFQ	102	Onmi	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
2N4403ZL1	-	RFQ	5274	Onmi	*	大部分	积极的											下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0075	1
NTMFS5H419NLT1G	1.5900	RFQ	979	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS5		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道				40 V	29a（ta），155a（tc）	4.5V，10V	2.1MOHM @ 20A，10V	2V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	2900 PF @ 20 V	-	3.1W（ta），89W（tc）
FDC610PZ	0.5800	RFQ	6070	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FDC610		MOSFET （金属 o化物）		SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道				30 V	4.9a（ta）	4.5V，10V	42MOHM @ 4.9A，10V	3V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±25V	1005 pf @ 15 V	-	1.6W（TA）
BC817-40WT1G	0.2100	RFQ	40	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC817			460兆	SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																									45 v	500 MA				100NA（ICBO）			NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	100MHz
FQPF33N10L	1.4900	RFQ	956	Onmi	QFET®	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道				100 v	18A（TC）	5V，10V	52MOHM @ 9A，10V	2V @ 250µA	40 NC @ 5 V	±20V	1630 PF @ 25 V	-	41W（TC）
mmun2230lt1g	0.2600	RFQ	12	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMUN2230			246兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																									50 V	100 ma				500NA			npn-预先偏见	250mv @ 5mA，10mA	3 @ 5mA，10v		1 kohms	1 kohms
PN200A_D74Z	-	RFQ	3114	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PN200			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																									45 v	500 MA				50NA			PNP	400mv @ 20mA，200mA	300 @ 10mA，1V	250MHz
nrvhprs1jfa	0.1161	RFQ	6031	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计				表面安装	SOD-123F	NRVHPRS1		标准		SOD-123FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																600 v	1.3 V @ 800 mA	250 ns	5 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	800mA	10pf @ 4V，1MHz
but11tu	-	RFQ	3031	Onmi	-	管子	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	But11			100 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000																									400 v	5 a				1ma			NPN	1.5V @ 600mA，3a	-	-
FDP045N10A	-	RFQ	1965年	Onmi	PowerTrench®	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP045		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道				100 v	120A（TC）	10V	4.5MOHM @ 100A，10V	4V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±20V	5270 pf @ 50 V	-	263W（TC）
gbu4a	1.5800	RFQ	1	Onmi	-	管子	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU	GBU4		标准		gbu	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	20																			1 V @ 4 A		5 µA @ 50 V		4 a					单相	50 V
MPS6514_D26Z	-	RFQ	5777	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	MPS651			625兆	TO-92-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																									25 v	200 ma				50NA（iCBO）			NPN	500mv @ 5mA，50mA	150 @ 2mA，10v	-
2N5952_J35Z	-	RFQ	2316	Onmi	-	大部分	过时的		30 V		通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N5952	1khz	JFET		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000	n通道			8mA	-	-											2DB										15 v
KSC2334YTU	1.1600	RFQ	5714	Onmi	-	管子	积极的			150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSC2334			1.5 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																									100 v	7 a				10µA（ICBO）			NPN	600mv @ 500mA，5a	120 @ 3a，5v	-
BD234G	0.9100	RFQ	1	Onmi	-	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD234			25 w	TO-126	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500																									45 v	2 a				100µA（ICBO）			PNP	600mv @ 100mA，1a	25 @ 1A，2V	3MHz
FCP7N60	2.7500	RFQ	342	Onmi	SuperFet™	管子	不适合新设计			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FCP7		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道				600 v	7A（TC）	10V	600MOHM @ 3.5A，10V	5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±30V	920 PF @ 25 V	-	83W（TC）
FJX1182YTF	-	RFQ	9644	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	FJX118			150兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																									30 V	500 MA				100NA（ICBO）			PNP	250mv @ 10mA，100mA	120 @ 100mA，1V	200MHz
2SC3396-TB-E	0.0500	RFQ	63	Onmi	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
ksh29itu	-	RFQ	1720年	Onmi	-	管子	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	KSH29			1.56 w	我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,040																									40 V	1 a				50µA			NPN	700mv @ 125mA，1a	15 @ 1A，4V	3MHz
SBRS8140T3	-	RFQ	2002	Onmi	*	大部分	积极的						SBRS8140					-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	2,500
MMBZ5248BLT1G	0.1600	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBZ5248			225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																			900 mv @ 10 ma		100 na @ 14 V										18 V	21欧姆
NTMFS4935NBT3G	-	RFQ	8114	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4935		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道				30 V	13a（13A），93A （TC）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 30a，10V	2V @ 250µA	49.4 NC @ 10 V	±20V	4850 pf @ 15 V	-	930MW（TA），48W （TC）
SI9936DY	-	RFQ	8822	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI9936		MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	2 n 通道（双）						30V	5a		50mohm @ 5a，10v	1V @ 250µA	35nc @ 10V		525pf @ 15V	-
MM3Z3V9ST1	-	RFQ	3404	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±3％		-65°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323	MM3Z3			200兆	SOD-323	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MM3Z3V9ST1OS	Ear99	8541.10.0050	3,000																			900 mv @ 10 ma		3 µA @ 1 V										4.03 v	90欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²