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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
2SB1122T-TD-E	0.4700	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA		2SB1122		500兆	pcp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																								50 V	1 a	100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，2V	150MHz
NSVT3946DXV6T1G	0.4100	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666		NSVT3946		500MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	4,000																								40V	200mA	-			NPN，PNP	300mv @ 5mA，50mA / 400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz，250MHz
EGP30B	-	RFQ	9537	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			通过洞	DO-201 AD，轴向		EGP30	标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,250		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															100 v	950 mv @ 3 a	50 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	3a	95pf @ 4V，1MHz
NSVMUN5333DW1T3G	0.1034	RFQ	4846	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363		NSVMUN5333		250MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000																								50V	100mA	500NA			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	250mv @ 1mA，10mA	80 @ 5mA，10v	-	4.7kohms	47kohms
FSB50450T	-	RFQ	1890年	Onmi	SPM®	管子	过时的			通过洞	23-PowerDip 模块（ 0.748“，19.00mm）	MOSFET	FSB504				下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	15	3期			1.5 a	500 v	1500vrms
SMMBT5089LT1G	0.5100	RFQ	6	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		SMMBT5089		300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																								25 v	50 mA	50NA（iCBO）			NPN	500mv @ 1mA，10mA	400 @ 100µA，5V	50MHz
KSD568RTU	-	RFQ	6318	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		KSD568		1.5 w	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000																								60 V	7 a	10µA（ICBO）			NPN	500mv @ 500mA，5a	40 @ 3a，1V	-
KSD1020GBU	-	RFQ	9567	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3		KSD1020		350兆	TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																								25 v	700 MA	100NA（ICBO）			NPN	400mv @ 70mA，700mA	200 @ 100mA，1V	170MHz
uma4nt1	-	RFQ	2390	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353		MA4		150MW	SC-88A（SC-70-5/SOT-353）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																								50V	100mA	500NA			2 PNP-）	250mv @ 300µA，10mA	160 @ 5mA，10v	-	10KOHMS	-
NTTFS5C673NLTWG	1.6600	RFQ	4417	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		NTTFS5	MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道				60 V	（13A）（TA），50A（tc）	4.5V，10V	9.3MOHM @ 25a，10V	2V @ 250µA	9.5 NC @ 10 V	±20V	880 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），46W（tc）
BC307BR1G	-	RFQ	5449	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）		BC307		350兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																								45 v	100 ma	15NA			PNP	250mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	280MHz
BD243BG	-	RFQ	6050	Onmi	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				65 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	900																								80 V	6 a	700µA			NPN	1.5V @ 1a，6a	15 @ 3a，4V	-
BC546ATAR	-	RFQ	2515	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		BC546		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																								65 v	100 ma	15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	300MHz
BC807-16LT3G	0.1900	RFQ	5	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BC807		300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																								45 v	500 MA	100NA（ICBO）			PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
NTMFS4C027NT1G	1.2000	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		NTMFS4	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道				30 V	16.4a（ta），52a （TC）	4.5V，10V	4.8mohm @ 18a，10v	2.1V @ 250µA	18.2 NC @ 10 V	±20V	1670 pf @ 15 V	-	2.51W（TA），25.5W（tc）
BF420ZL1G	-	RFQ	9631	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）		BF420		830兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																								300 v	50 mA	10NA（ICBO）			NPN	500mv @ 2mA，20mA	50 @ 25mA，20V	60MHz
MMBT3906TT1G	0.1800	RFQ	6722	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416		MMBT3906		200兆	SC-75，SOT-416	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																								40 V	200 ma	-			PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
1985-MBT2222A	-	RFQ	2613	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	-	-		MBT222			-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	3,000																										-			-	-	-	-
NTP185N60S5H	3.4100	RFQ	6613	Onmi	SUPERFET®V	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NTP185N60S5H	Ear99	8541.29.0095	800			n通道				600 v	15A（TC）	10V	185MOHM @ 7.5A，10V	4.3V @ 1.4mA	25 NC @ 10 V	±30V	1350 pf @ 400 V	-	116W（TC）
FW217A-TL-2W	-	RFQ	1789年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		FW217	MOSFET （金属 o化物）	2.2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）						35V	6a		39mohm @ 6a，10v	-	10NC @ 10V		470pf @ 20V	逻辑级别门，4.5V驱动器
MM5Z16VMT5G	-	RFQ	9098	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的						MM5Z1				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000
NJVMJD31CRLG	0.7200	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		NJVMJD31		1.56 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,800																								100 v	3 a	50µA			NPN	1.2V @ 375mA，3a	10 @ 3A，4V	3MHz
NSVDTA143EM3T5G	0.0813	RFQ	8990	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-723		NSVDTA143		260兆	SOT-723	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2832-NSVDTA143EM3T5GTR	Ear99	8541.21.0095	8,000																								50 V	100 ma	500NA			pnp-预先偏见	250mv @ 1mA，10mA	15 @ 5mA，10v		4.7科姆斯	4.7科姆斯
MRA4007T3G	0.4100	RFQ	7459	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		MRA4007	标准		SMA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）															1000 v	1.1 V @ 1 A		10 µA @ 1000 V	-55°C 〜175°C	1a	-
VN2410LZL1G	-	RFQ	7394	Onmi	-	（CT）	过时的		-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）		VN2410	MOSFET （金属 o化物）		TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000			n通道				240 v	200ma（ta）	2.5V，10V	10ohm @ 500mA，10v	2V @ 1mA		±20V	125 pf @ 25 V	-	350MW（TC）
S3BB	0.5100	RFQ	2	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB		S3B	标准		DO-214AA（SMB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）															100 v	1.15 V @ 3 A	1.5 µs	10 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	3a	18pf @ 0v，1MHz
KSD362N	-	RFQ	2613	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		KSD362		40 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1200																								70 v	5 a	20µA（ICBO）			NPN	1V @ 500mA，5a	20 @ 5A，5V	10MHz
SB10-04A3-AT1	-	RFQ	1954年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		SB10	肖特基		do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	4,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															40 V	550 mv @ 1 a		800 µA @ 40 V	125°c （最大）	1a	45pf @ 10V，1MHz
2N5772_D75Z	-	RFQ	6717	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		2N5772		350兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																								15 v	300 MA	500NA			NPN	500mv @ 3mA，300mA	30 @ 30mA，400mv	-
MMBZ5243B	-	RFQ	2760	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMBZ52		350兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		900 mv @ 10 ma		500 NA @ 9.9 V							13 V	13欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²