RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BC32716TFR	-	RFQ	6352	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC327		625兆	TO-92-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																												45 v	800 MA				100NA		PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
FDB24AN06LA0	-	RFQ	3189	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB24	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道		60 V	7.8A（ta），40a tc（TC）	5V，10V	19mohm @ 40a，10v	3V @ 250µA	21 NC @ 5 V	±20V	1850 pf @ 25 V	-	75W（TC）
NTMFS4701NT3G	-	RFQ	3509	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000			n通道		30 V	7.7a（ta）	4.5V，10V	8mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±20V	1280 pf @ 24 V	-	900MW（TA）
NJL1302DG	7.2100	RFQ	9375	Onmi	-	管子	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-5	NJL1302		200 w	TO-264	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	25																												260 v	15 a				50µA（ICBO）		PNP +二极管（隔离）	3V @ 1a，10a	75 @ 5A，5V	30MHz
FQI4N80TU	-	RFQ	7227	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	FQI4N80	MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		800 v	3.9a（TC）	10V	3.6OHM @ 1.95a，10V	5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±30V	880 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），130W（tc）
J112G	-	RFQ	6784	Onmi	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	J112		350兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000			n通道									-																		35 v	5 ma @ 15 V	1 V @ 1 µA		50欧姆
2N5551TF	0.3800	RFQ	49	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N5551		625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																												160 v	600 MA				50NA（iCBO）		NPN	200mv @ 5mA，50mA	80 @ 10mA，5V	100MHz
2N5224	-	RFQ	4928	Onmi	-	大部分	过时的	-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N522		625兆	TO-92-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000																												12 v	100 ma				-		NPN	350mv @ 3mA，10mA	40 @ 10mA，1V	-
FKPF12N80YDTU	-	RFQ	7593	Onmi	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FKPF1			TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	800	单身的			50 mA											标准	800 v	12 a	1.5 v	120a，132a	30 ma
FD6M016N03	-	RFQ	7343	Onmi	Power-SPM™	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	EPM15	FD6M016	MOSFET （金属 o化物）	-	EPM15	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	19	2 n 通道（双）				30V	80a		1.6mohm @ 40a，10v	3V @ 250µA	295nc @ 10V		11535pf @ 15V	-
FFPF20UP30STU	-	RFQ	2677	Onmi	-	管子	过时的		通过洞	TO-220-2完整包	FFPF20	标准		TO-220F-2L	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																			300 v	1.5 V @ 20 A	35 ns	100 µA @ 300 V	-65°C〜150°C	20a	-
MJD200G	0.6300	RFQ	2	Onmi	-	管子	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD200		1.4 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	75																												25 v	5 a				100NA（ICBO）		NPN	1.8V @ 1a，5a	45 @ 2a，1V	65MHz
KSA916YBU	-	RFQ	2662	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	KSA916		900兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	6,000																												120 v	800 MA				100NA（ICBO）		PNP	1V @ 50mA，500mA	120 @ 100mA，5V	120MHz
MPS6727G	-	RFQ	2450	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	MPS672		1 w	TO-92（to-226）	-		（1 （无限）	到达不受影响	mps6727gos	Ear99	8541.29.0095	5,000																												40 V	1 a				100NA（ICBO）		PNP	500mv @ 100mA，1a	50 @ 1a，1V	-
NJVMJD47T4G	0.6900	RFQ	4624	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NJVMJD47		1.56 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500																												250 v	1 a				200µA		NPN	1V @ 200mA，1a	30 @ 300mA，10v	10MHz
NTB45N06T4G	-	RFQ	1430	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB45	MOSFET （金属 o化物）		D²Pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道		60 V	45A（TA）	10V	26mohm @ 22.5a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1725 PF @ 25 V	-	2.4W（ta），125W（（（（（（）
KSA539CYTA	-	RFQ	2837	Onmi	-	（CT）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSA539		400兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																												45 v	200 ma				100NA（ICBO）		PNP	500mv @ 15mA，150mA	120 @ 50mA，1V	-
BC558B	-	RFQ	3913	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC558		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																												30 V	100 ma				15NA（icbo）		PNP	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	150MHz
BD1406	-	RFQ	2769	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD140		1.25 w	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250																												80 V	1.5 a				100NA（ICBO）		PNP	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	-
2SC4406-4-TL-E	0.0900	RFQ	27	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
2SB1203S-E	0.8400	RFQ	290	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	2SB1203		1 w	TP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500																												50 V	5 a				1µA（ICBO）		PNP	550mv @ 150mA，3a	140 @ 500mA，2V	130MHz
Mur450pf	-	RFQ	3930	Onmi	SwitchMode™	大部分	过时的		通过洞	do-201aa，do-27，轴向	MUR45	标准		轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																			520 v	1.15 V @ 4 A	95 ns	5 µA @ 520 V	-65°C〜175°C	4a	-
FQD8P10TM_F080	-	RFQ	5350	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD8	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道		100 v	6.6A（TC）	10V	530mohm @ 3.3a，10v	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	470 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），44W（tc）
BC184L_J35Z	-	RFQ	2976	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC184		350兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																												30 V	500 MA				15NA（icbo）		NPN	250mv @ 5mA，100mA	130 @ 100mA，5V	150MHz
FJPF5021R	-	RFQ	6623	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FJPF5021		40 W	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200																												500 v	5 a				10µA（ICBO）		NPN	1V @ 600mA，3a	15 @ 600mA，5V	15MHz
MPS5172G	-	RFQ	2731	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	MPS517		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	MPS5172GOS	Ear99	8541.21.0095	5,000																												25 v	100 ma				100NA		NPN	250mv @ 1mA，10mA	100 @ 10mA，10v	-
Smun2111T1	-	RFQ	5886	Onmi	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
FMB555551	0.5100	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FMB55		700MW	SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																												160V	600mA				50NA（iCBO）		2 NPN （双）	200mv @ 5mA，50mA	80 @ 10mA，5V	300MHz
2n4403rlrag	-	RFQ	4191	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	2N4403		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																												40 V	600 MA				-		PNP	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	200MHz
BC808-40LT1G	-	RFQ	4962	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC808		300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																												25 v	500 MA				100NA（ICBO）		PNP	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	100MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²