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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FMS6G20US60	-	RFQ	7790	Onmi	-	盒子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	25 pm-aa	FMS6		89 w	三相桥梁整流器	25 pm-aa	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	三相逆变器																				-	600 v	20 a	2.7V @ 15V，20A	250 µA	是的			1.277 NF @ 30 V
NTB75N06T4G	-	RFQ	2263	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB75	MOSFET （金属 o化物）			D²Pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道	60 V	75a（ta）	10V	9.5MOHM @ 37.5A，10V	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	4510 PF @ 25 V	-	2.4W（214W）（214W tj）
FDS6609A	-	RFQ	2957	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS66	MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道	30 V	6.3a（ta）	4.5V，10V	32MOHM @ 7A，10V	3V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	930 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
KSD1588OTU	-	RFQ	4765	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	KSD1588		2 w		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000																						60 V	7 a		10µA（ICBO）					NPN	500mv @ 500mA，5a	80 @ 3a，1V	-
BZX79C5V1_T50R	-	RFQ	5724	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	BZX79C5		500兆		do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000															1.5 V @ 100 ma		2 µA @ 2 V										5.1 v	60欧姆
BC237BZL1G	-	RFQ	5482	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	BC237		350兆		TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																						45 v	100 ma		15NA					NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	200MHz
SZBZX84C36LT3	0.0600	RFQ	40	Onmi	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SZBZX84		250兆		SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000															900 mv @ 10 ma		50 NA @ 25.2 V										36 V	90欧姆
nrvs1jfl	0.3900	RFQ	8825	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			表面安装	SOD-123F	NRVS1	标准			SOD-123F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												600 v	1.1 V @ 1 A	2 µs	1 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	1a	4pf @ 4V，1MHz
NVMFS6H801NLT1G	2.6600	RFQ	7652	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS6	MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVMFS6H801NLT1GTR	Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道	80 V	24A（24A），160A （TC）	4.5V，10V	2.7MOHM @ 50A，10V	2V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	5126 pf @ 40 V	-	3.8W（TA），167W（TC）
BAS19LT3G	0.1300	RFQ	24	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS19	标准			SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												120 v	1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 100 V	-55°C〜150°C	200mA	5pf @ 0v，1MHz
FJPF13007TTU	-	RFQ	3315	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FJPF13007		40 W		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																						400 v	8 a		-					NPN	3V @ 2a，8a	8 @ 2a，5v	4MHz
1N5821	-	RFQ	2809	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			通过洞	DO-201 AD，轴向	1N5821	肖特基			Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,250		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												30 V	500 mv @ 3 a		500 µA @ 30 V	-65°C〜125°C	3a	190pf @ 4V，1MHz
NTMS5P02R2G	0.9300	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NTMS5	MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500			P通道	20 v	3.95a（ta）	2.5V，4.5V	33mohm @ 5.4A，4.5V	1.25V @ 250µA	35 NC @ 4.5 V	±10V	1900 pf @ 16 V	-	790MW（TA）
kse172stu	-	RFQ	4246	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	KSE17		1.5 w		TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	60																						80 V	3 a		100NA（ICBO）					PNP	1.7V @ 600mA，3a	50 @ 100mA，1V	50MHz
NVH040N65S3F	10.9686	RFQ	8098	Onmi	SuperFet®III	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）			TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NVH040N65S3F	Ear99	8541.29.0095	30			n通道	650 v	65A（TC）	10V	40mohm @ 32.5a，10v	5V @ 2.1mA	153 NC @ 10 V	±30V	5875 PF @ 400 V	-	446W（TC）
FDC6333C-G	-	RFQ	6759	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FDC6333	MOSFET （金属 o化物）	700MW（TA）		SuperSot™-6	-		（1 （无限）	到达不受影响	488-FDC6333C-GTR	Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道			30V	2.5A（2a），2a（ta）		95mohm @ 2.5a，10v，130mohm @ 2a，10v	3V @ 250µA	6.6nc @ 10V，5.7nc @ 10V		282pf @ 15V，185pf @ 15V	-
FDZ209N	-	RFQ	9928	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	12-WFBGA	FDZ20	MOSFET （金属 o化物）			12-bga （2x2.5）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	60 V	4A（ta）	5V	80mohm @ 4A，5V	3V @ 250µA	9 NC @ 5 V	±20V	657 PF @ 30 V	-	2W（TA）
MM5Z27V	-	RFQ	4945	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±7％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523F	MM5Z2		200兆		SOD-523F	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000																	50 na @ 18.9 V										27 V	80欧姆
FES16JTR	-	RFQ	6846	Onmi	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2	FES16	标准			TO-220-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												600 v	1.5 V @ 8 A	50 ns	10 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	16a	145pf @ 4V，1MHz
BS170ZL1G	-	RFQ	5542	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	BS170	MOSFET （金属 o化物）			TO-92（to-226）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000			n通道	60 V	500mA（ta）	10V	5ohm @ 200mA，10v	3V @ 1mA		±20V	60 pf @ 10 V	-	350MW（TA）
NSD350HT1G	0.3500	RFQ	44	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-76，SOD-323	NSD350	标准			SOD-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												350 v	1.1 V @ 100 mA	55 ns	5 µA @ 350 V	-55°C〜150°C	200mA	5pf @ 0v，1MHz
2SK544D-AC	0.0700	RFQ	50	Onmi	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1
MBRS260T3H	-	RFQ	9864	Onmi	-	大部分	过时的			表面安装	DO-214AA，SMB	MBRS260	肖特基			SMB	-	rohs3符合条件	供应商不确定	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												60 V	630 mv @ 2 a		200 µA @ 60 V	-55°C〜125°C	2a	-
SZMMBZ5242BLT1	0.0700	RFQ	8	Onmi	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			225兆		SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,438															900 mv @ 10 ma		1 µA @ 9.1 V										12 v	30欧姆
FJV4114RMTF	-	RFQ	9595	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FJV411		200兆		SOT-23-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																						50 V	100 ma		100NA（ICBO）					pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	200 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
Smun2130T1	0.0200	RFQ	87	Onmi	*	大部分	积极的										下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
BC556CBU	-	RFQ	8740	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC556		500兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																						65 v	100 ma		15NA（icbo）					PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	150MHz
FDMS3622S	-	RFQ	3054	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS3622	MOSFET （金属 o化物）	1W		Power56	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）			25V	17.5a，34a		5mohm @ 17.5A，10V	2V @ 250µA	26NC @ 10V		1570pf @ 13V	逻辑级别门
SBC857BDW1T1G-M02	-	RFQ	6518	Onmi	汽车，AEC-Q101，SBC857BDW1T1G	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SBC857		380MW		SC-88/SC70-6/SOT-363	-			到达不受影响	488-SBC857BDW1T1G-M02	Ear99	8541.21.0095	1																						45V	100mA		15NA（icbo）						650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V
MM3Z3V0C	0.2100	RFQ	62	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F	MM3Z3V0		200兆		SOD-323F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000															1 V @ 10 mA		9 µA @ 1 V										3 V	89欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²