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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BXL4001	-	RFQ	1282	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		BXL40	MOSFET （金属 o化物）		TO-220（LS）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	100			n通道				75 v	85a（ta）	10V	12.4mohm @ 43a，10v	4V @ 1mA	115 NC @ 10 V	±20V	6700 PF @ 20 V	-	1.75W（ta），75W（（（（（（（（（（
FDN372S	-	RFQ	4067	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		FDN372	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道				30 V	2.6a（ta）	4.5V，10V	40mohm @ 2.6a，10v	3V @ 1mA	8.1 NC @ 5 V	±16V	630 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
VEC2401-TL-E	0.1500	RFQ	480	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0095	3,000
FQB19N10LTM	-	RFQ	7306	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		FQB1	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800			n通道				100 v	19a（tc）	5V，10V	100mohm @ 9.5a，10v	2V @ 250µA	18 nc @ 5 V	±20V	870 pf @ 25 V	-	3.75W（ta），75W（（（（（（（（（（
TIP29CG	1.1700	RFQ	1471	Onmi	-	管子	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		TIP29		2 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50																								100 v	1 a	300µA	NPN	700mv @ 125mA，1a	15 @ 1A，4V	3MHz
MMBT3904TT1G	0.1800	RFQ	23	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416		MMBT3904		300兆	SC-75，SOT-416	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000																								40 V	200 ma	-	NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
FJPF13007	-	RFQ	9134	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		FJPF13007		40 W	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	200																								400 v	8 a	-	NPN	3V @ 2a，8a	8 @ 2a，5v	4MHz
2SA1709S-EPN-AN	-	RFQ	4483	Onmi	-	（TB）	过时的					2SA1709				-		（1 （无限）	到达不受影响	过时的	0000.00.0000	2,500
FDD24AN06LA0-F085	-	RFQ	3365	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		FDD24	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道				60 V	7.1a（ta），40a（tc）	5V，10V	19mohm @ 40a，10v	2V @ 250µA	21 NC @ 5 V	±20V	1850 pf @ 25 V	-	75W（TC）
KSA709COTA	-	RFQ	4535	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		KSA709		800兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,000																								150 v	700 MA	100NA（ICBO）	PNP	400mv @ 20mA，200mA	70 @ 50mA，2V	50MHz
NTD15N06-001	-	RFQ	9572	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		NTD15	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	75			n通道				60 V	15A（TA）	10V	90MOHM @ 7.5A，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	450 pf @ 25 V	-	1.5W（ta），48W（tj）
FSB50550US	8.8300	RFQ	450	Onmi	MOTIONSPM®5	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	23-powersmd模块，鸥翼	MOSFET	FSB50550				下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.39.0001	450	3期			2 a	500 v	1500vrms
MTP5N40E	0.6000	RFQ	7	Onmi	*	大部分	积极的									下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	1
BC847BPDW1T1G	0.2400	RFQ	39	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363		BC847		380MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000																								45V	100mA	15NA（icbo）	NPN，PNP	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	100MHz
FDMF5071	4.0700	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	39-PowerVFQFN	MOSFET	FDMF5071				下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8542.39.0001	3,000	1期			90 a		-
FDMS8820	1.3100	RFQ	4727	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		FDMS88	MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道				30 V	28a（28a），116a （TC）	4.5V，10V	2mohm @ 28a，10v	2.5V @ 250µA	88 NC @ 10 V	±20V	5315 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），78W（tc）
SBC857BLT1G	0.3500	RFQ	59	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		SBC857		300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000																								45 v	100 ma	15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
KSA1182YMTF	-	RFQ	8211	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		KSA1182		150兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000																								30 V	500 MA	100NA（ICBO）	PNP	250mv @ 10mA，100mA	120 @ 100mA，1V	200MHz
FSBS10CH60F	-	RFQ	4357	Onmi	SPM®	管子	过时的		通过洞	27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm）	IGBT	FSB10				下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	10	3期			10 a	600 v	2500vrms
IRFR224BTM_TC002	-	RFQ	4763	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IRFR2	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道				250 v	3.8A（TC）	10V	1.1OHM @ 1.9A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±30V	450 pf @ 25 V	-	-
2N4400TA	-	RFQ	3490	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		2N4400		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,000																								40 V	600 MA	-	NPN	750mv @ 50mA，500mA	50 @ 150mA，1V	-
FJN3301RTA	-	RFQ	6120	Onmi	-	（CT）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		FJN330		300兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	2,000																								50 V	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 500µA，10mA	20 @ 10mA，5v	250MHz
MMBD2836LT1G	0.1700	RFQ	25	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMBD2836	标准		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度															1对公共阳极	75 v	100mA（dc）	1.2 V @ 100 ma	4 ns	100 na @ 50 V	-55°C〜150°C
2SA1552T-TL-E	0.8500	RFQ	195	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		2SA1552		1 w	TP-FA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	700																								160 v	1.5 a	1µA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	200 @ 100mA，5V	120MHz
2SC6082	-	RFQ	4731	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		2SC6082		2 w	TO-220毫升	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	100																								50 V	15 a	10µA（ICBO）	NPN	400MV @ 375mA，7.5a	200 @ 330mA，2V	195MHz
MJD340T4G	0.6600	RFQ	39	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MJD340		15 W	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500																								300 v	500 MA	100µA	NPN	-	30 @ 50mA，10v	10MHz
BC558B	-	RFQ	3913	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		BC558		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	2,000																								30 V	100 ma	15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	150MHz
2SA1380E	0.2500	RFQ	6	Onmi	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1
BD442S	-	RFQ	7420	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3		BD442		36 W	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	250																								80 V	4 a	100µA	PNP	800mv @ 200mA，2a	40 @ 500mA，1V	3MHz
bud42dt4g	-	RFQ	4620	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		芽42		25 w	DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500																								350 v	4 a	100µA	NPN	1V @ 500mA，2a	10 @ 2a，5v	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²