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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	电流 -最大	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电容比	电容比条件	q @ vr，f
SVC270-TL-E	-	RFQ	9514	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SVC270				3-MCPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000																							28.2pf @ 8v，1MHz									1对普通阴极	16 V									1.75	C2/C8	100 @ 3V，100MHz
FQB8N90CTM	-	RFQ	6711	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB8N90		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道			900 v	6.3a（TC）	10V	1.9OHM @ 3.15a，10V	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±30V	2080 pf @ 25 V	-	171W（TC）
BC183LC_J35Z	-	RFQ	8966	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC183			350兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																									30 V	100 ma								15NA（icbo）				NPN	600mv @ 5mA，100mA	40 @ 10µA，5V	150MHz
1N4739A-T50A	0.4000	RFQ	8018	Onmi	-	（CT）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4739			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																				10 µA @ 7 V															9.1 v	5欧姆
FQA9N90C	-	RFQ	8927	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA9		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450		n通道			900 v	9A（TC）	10V	1.4OHM @ 4.5A，10V	5V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±30V	2730 PF @ 25 V	-	280W（TC）
1N5244B_T50A	-	RFQ	7853	Onmi	-	（TB）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5244			500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																		1.2 V @ 200 ma		100 na @ 10 V															14 V	15欧姆
SST45011MW6T1G	0.1400	RFQ	168	Onmi	*	大部分	积极的					SST45011					下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-SST45011MW6T1G-488	Ear99	8541.21.0095	2,251
CPH3248-TL-E	0.1400	RFQ	9	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				3,000
2SC3661-U-TB-E	0.0600	RFQ	27	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
FDMS86500DC	3.6900	RFQ	2	Onmi	Dual Cool™，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS86500		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			60 V	29a（ta），108a（tc）	8V，10V	2.3MOHM @ 29A，10V	4.5V @ 250µA	107 NC @ 10 V	±20V	7680 pf @ 30 V	-	3.2W（ta），125W（tc）
MSRD620CT	-	RFQ	5276	Onmi	SwitchMode™	管子	过时的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MSRD6		标准		DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	75	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														1对普通阴极	200 v	3a	1.15 V @ 3 A	55 ns	5 µA @ 200 V	-55°C 〜175°C
NTBG022N120M3S	28.9200	RFQ	2276	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	NTBG022		sicfet （碳化硅）		D2PAK-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NTBG022N120M3STR	Ear99	8541.29.0095	800		n通道			1200 v	58A（TC）	18V	30mohm @ 40a，18v	4.4V @ 20mA	20 NC @ 18 V	+22V，-10V	3200 PF @ 800 V	-	234W（TC）
1SV234-TB-E	-	RFQ	4198	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		125°C（TJ）		TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	1SV234					下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000			50 mA											150兆									0.23pf @ 50V，1MHz									引脚-1对系列连接	50V				5ohm @ 10mA，100MHz
NTS1260MFST3G	-	RFQ	7512	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTS1260		肖特基		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	488-NTS1260MFST3GTR	Ear99	8541.10.0080	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															60 V		600 mv @ 12 a		90 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	12a	-
DF06S2	-	RFQ	2956	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼	DF06		标准		4-SDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,500																		1.1 V @ 1 A		5 µA @ 600 V		2 a										单相	600 v
FDP10N60NZ	-	RFQ	1042	Onmi	Unifet-II™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP10		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			600 v	10A（TC）	10V	750MOHM @ 5A，10V	5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±25V	1475 PF @ 25 V	-	185W（TC）
NTD18N06G	-	RFQ	1096	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD18		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道			60 V	18A（18A）	10V	60mohm @ 9a，10v	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	710 PF @ 25 V	-	2.1W（ta），55W（（（（（（）
BZX85C30RL	-	RFQ	7503	Onmi	*	大部分	积极的										下载					Ear99	8541.10.0050	1
FDD5N50NZTM	1.0400	RFQ	460	Onmi	Unifet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD5N50		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			500 v	4A（TC）	10V	1.5OHM @ 2A，10V	5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±25V	440 pf @ 25 V	-	62W（TC）
FGH75T65SHDT-F155	8.3200	RFQ	6087	Onmi	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FGH75	标准		455 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，75a，3ohm，15V															76 ns					沟渠场停止	650 v	150 a	225 a	2.1V @ 15V，75a	3MJ（在）上，750µJ（OFF）	123 NC	28ns/86ns
S1DFL	0.4000	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-123F	S1D		标准		SOD-123F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）															200 v		1.1 V @ 1 A	2 µs	1 µA @ 200 V	-50°C〜150°C	1a	4pf @ 4V，1MHz
HUF753433	-	RFQ	6302	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	HUF75		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		n通道			55 v	75A（TC）	10V	9mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	205 NC @ 20 V	±20V	3000 pf @ 25 V	-	270W（TC）
2SC4075D	0.2900	RFQ	18	Onmi	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1
SZ1SMB5936BT3G	0.8400	RFQ	2	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SZ1SMB5936			3 W	SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500																		1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 22.8 V															30 V	28欧姆
SGS6N60UFDTU	-	RFQ	3638	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SGS6N	标准		22 W	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				300V，3A，80OHM，15V															52 ns					-	600 v	6 a	25 a	2.6V @ 15V，3A	（57µJ）（在），25µJ（25µJ）中	15 NC	15NS/60NS
IRL530a	-	RFQ	1043	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRL53		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			100 v	14A（TC）	5V	120MOHM @ 7A，5V	2V @ 250µA	24 NC @ 5 V	±20V	755 pf @ 25 V	-	62W（TC）
FDD4685TF_SB82135	-	RFQ	8240	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD468		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道			40 V	8.4a（ta），32a （TC）		27mohm @ 8.4a，10v	3V @ 250µA	27 NC @ 5 V		2380 pf @ 20 V	-	-
ISL9V3036D3S	-	RFQ	8609	Onmi	Ecospark®	管子	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ISL9	逻辑		150 w	TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,800				300V，1KOHM，5V																				-	360 v	21 a		1.6V @ 4V，6A	-	17 NC	- /4.8µs
FDPF18N50T	3.7100	RFQ	529	Onmi	Unifet™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FDPF18		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			500 v	18A（TC）	10V	265MOHM @ 9A，10V	5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±30V	2860 pf @ 25 V	-	38.5W（TC）
FDI9406-F085	-	RFQ	6996	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	FDI9406		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		n通道			40 V	110A（TC）	10V	2.2MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	138 NC @ 10 V	±20V	7710 PF @ 25 V	-	176W（TJ）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²