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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	当前 -关闭状态（最大）	scr	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
NTB90N02G	-	RFQ	4613	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		NTB90	MOSFET （金属 o化物）		D²Pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道					24 V	90A（ta）	4.5V，10V	5.8MOHM @ 90A，10V	3V @ 250µA	29 NC @ 4.5 V	±20V	2120 PF @ 20 V	-	85W（TC）
1n970btr	-	RFQ	5368	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		1N970		500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																															5 µA @ 18.2 V							24 V	33欧姆
2SB1201T-E	-	RFQ	4748	Onmi	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		2SB1201		800兆	TP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500																																			50 V	2 a	100NA（ICBO）			PNP	700mv @ 50mA，1a	200 @ 100mA，2V	150MHz
NST856BF3T5G	0.0658	RFQ	1261	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-1123		NST856		290兆	SOT-1123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000																																			65 v	100 ma	15NA（icbo）			PNP	800mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
NTJD4105CT1G	0.4700	RFQ	4133	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363		NTJD4105	MOSFET （金属 o化物）	270MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道							20V，8V	630mA，775mA		375MOHM @ 630mA，4.5V	1.5V @ 250µA	3NC @ 4.5V		46pf @ 20V	逻辑级别门
FQD5N60CTM_F080	-	RFQ	2947	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		FQD5	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					600 v	2.8A（TC）	10V	2.5OHM @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±30V	670 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），49W（tc）
MBT3904DW1T1G	0.2400	RFQ	45	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363		MBT3904		150MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																			40V	200mA	-			2 NPN （双）	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
BC237G	-	RFQ	2748	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3		BC237		350兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000																																			45 v	100 ma	15NA			NPN	600mv @ 5mA，100mA	380 @ 2mA，5V	200MHz
NDD60N550U1-35G	-	RFQ	4214	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		NDD60	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道					600 v	8.2A（TC）	10V	550MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±25V	540 pf @ 50 V	-	94W（TC）
NVMFS5C468NLWFT1G	-	RFQ	7706	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道					40 V	37A（TC）	4.5V，10V	10.3MOHM @ 20A，10V	2V @ 250µA	7.3 NC @ 10 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	3.5W（ta），28W（28W）TC）
efc2k102anuztdg	0.7700	RFQ	5716	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	10-SMD，没有铅		EFC2K102	MOSFET （金属 o化物）	3.1W（TA）	10-WLCSP （2.98x1.49）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）							12V	33A（TA）		2.75MOHM @ 5A，4.5V	1.3V @ 1mA	42nc @ 3.8V		-	-
1N5255B	-	RFQ	5430	Onmi	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		1N5255		500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																													1.2 V @ 200 ma		100 na @ 21 V							28 V	44欧姆
NRVBSS29FA	0.1548	RFQ	5755	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-123W			肖特基		SOD-123FA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NRVBSS29FATR	Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																									90 v		850 mv @ 2 a	7 ns	100 µA @ 90 V	-55°C〜150°C	2a	62pf @ 4V，1MHz
1SMA5931BT3	-	RFQ	2835	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA		1SMA5931		1.5 w	SMA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																													1.5 V @ 200 ma		500 NA @ 13.7 V							18 V	12欧姆
FDFMA2P853	-	RFQ	4106	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子		FDFMA2	MOSFET （金属 o化物）		6-microfet（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道					20 v	3A（3A）	1.8V，4.5V	120MOHM @ 3A，4.5V	1.3V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±8V	435 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.4W（TA）
2SD1388TP-4	-	RFQ	2774	Onmi	-	（TB）	过时的						2SD1388				-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,000
FDS7098N3	-	RFQ	1273	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		FDS70	MOSFET （金属 o化物）		8-so flmp	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					30 V	14A（TA）	4.5V，10V	9mohm @ 14a，10v	3V @ 250µA	22 NC @ 5 V	±20V	1587 PF @ 15 V	-	（3W）（TA）
SBC857CLT1G	0.3400	RFQ	26	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		SBC857		300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																			45 v	100 ma	15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
1N4732ATR	0.2800	RFQ	33	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向		1N4732		1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																															10 µA @ 1 V							4.7 v	8欧姆
NJVMJD45H11T4G	0.9800	RFQ	2	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		NJVMJD45		1.75 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																																			80 V	8 a	1µA			PNP	1V @ 400mA，8a	60 @ 2a，1V	90MHz
IRLM110ATF	-	RFQ	6194	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		IRLM11	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道					100 v	1.5A（TC）	5V	440MOHM @ 750mA，5V	2V @ 250µA	8 nc @ 5 V	±20V	235 pf @ 25 V	-	2.2W（TC）
MBR4045PT	-	RFQ	3378	Onmi	SwitchMode™	管子	过时的			通过洞	TO-218-3		MBR4045	肖特基		SOT-93	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								1对普通阴极	45 v	20a	700 mv @ 20 a		1 mA @ 45 V	-65°C〜150°C
1N5999B	-	RFQ	5659	Onmi	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		1N5999		500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000																													1.2 V @ 200 ma		100 na @ 7 V							9.1 v	10欧姆
MCH5541-TL-E	-	RFQ	8493	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6-SMD（5条线），平坦的铅		MCH5541		500MW	5-MCPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																			30V	700mA	100NA（ICBO）			NPN，PNP （发射器耦合）	190mv @ 10mA，200ma / 220mv @ 10mA，200mA	300 @ 50mA，2V	540MHz，520MHz
FPDB30PH60	-	RFQ	3921	Onmi	PFCSPM®3	管子	过时的			通过洞	27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm）	IGBT	FPDB30				下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	2期				20 a	600 v	2500vrms
MMBD2835LT1	-	RFQ	5998	Onmi	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的						MMBD28				下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000
MMSZ10T1G	0.2300	RFQ	6927	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123		MMSZ10		500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																													900 mv @ 10 ma		200 na @ 7 V							10 v	20欧姆
1N971B	-	RFQ	7729	Onmi	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		1N971		500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000																															5 µA @ 20.6 V							27 V	41欧姆
KSP63BU	-	RFQ	1099	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		KSP63		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																																			30 V	500 MA	100NA（ICBO）			pnp-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	125MHz
MCR22-008	-	RFQ	2039	Onmi	-	大部分	过时的		-40°C〜110°C	通过洞	TO-226-3，TO-92-3		MCR22			TO-92（to-226）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	5,000				5 ma														600 v	1.5 a	800 mv	15a @ 60hz	200 µA	1.7 v	10 µA	敏感门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²