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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BAW74-D87Z	-	RFQ	2793	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BAW74	标准		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度															1对公共阳极	50 V	200mA	1 V @ 100 ma	4 ns	100 µA @ 50 V	150°C （最大）
1N914B	0.1000	RFQ	38	Onmi	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		1N914B	标准		do-35	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	5,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																100 v		1 V @ 100 ma	4 ns	5 µA @ 75 V	-55°C 〜175°C	200mA	4pf @ 0v，1MHz
MMBZ5231BLT3	-	RFQ	9947	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMBZ52		225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000																				900 mv @ 10 ma		5 µA @ 2 V							5.1 v	17欧姆
BC817-25LT1	0.0200	RFQ	293	Onmi	-	大部分	过时的		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BC817		300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																										45 v	500 MA	100NA（ICBO）			NPN	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	100MHz
NTMC1300R2	-	RFQ	4358	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		NTMC13	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道						30V	2.2a，1.8a		90MOHM @ 3A，10V	2.2V @ 250µA	5NC @ 4.5V		300pf @ 20V	逻辑级别门
NTSB30100CTG	-	RFQ	1526年	Onmi	-	管子	过时的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		NTSB30100	肖特基		D²Pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															1对普通阴极	100 v	15a	850 MV @ 15 A		500 µA @ 100 V	-40°C〜150°C
FAM65HR51XS2	37.5992	RFQ	2045	Onmi	-	管子	积极的			通过洞	16 sip裸露的垫子，形成铅	MOSFET	FAM65				下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-FAM65HR51XS2	Ear99	8542.39.0001	72	H桥逆变器			64 a	650 v	-
FQD13N10LTF	-	RFQ	1539年	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		FQD1	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道				100 v	10A（TC）	5V，10V	180MOHM @ 5A，10V	2V @ 250µA	12 nc @ 5 V	±20V	520 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），40W（TC）
MMDF2C03HDR2	-	RFQ	9179	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MMDF2	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道						30V	4.1a，3a		70MOHM @ 3A，10V	3V @ 250µA	16NC @ 10V		630pf @ 24V	逻辑级别门
NTD78N03-001	-	RFQ	9133	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		NTD78	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道				25 v	11.4A（ta），78a tc）	4.5V，10V	6mohm @ 78a，10v	3V @ 250µA	35 NC @ 4.5 V	±20V	2250 pf @ 12 V	-	1.4W（TA），64W（tc）
FCH47N60-F133	11.2600	RFQ	6441	Onmi	SuperFet®II	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		FCH47N60	MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道				600 v	47A（TC）	10V	70mohm @ 23.5a，10v	5V @ 250µA	270 NC @ 10 V	±30V	8000 F @ 25 V	-	417W（TC）
NTP6448ANG	-	RFQ	9642	Onmi	-	管子	过时的		-	通过洞	TO-220-3		NTP644	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道				100 v	80A（TC）	10V	13mohm @ 76a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	-
2SC3859-TB-E	0.0500	RFQ	45	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
NDB5060L	2.8700	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		NDB5060	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道				60 V	26a（TC）	5V，10V	35mohm @ 13a，10v	2V @ 250µA	24 NC @ 5 V	±16V	840 pf @ 30 V	-	68W（TC）
BZX84C12_D87Z	-	RFQ	3153	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BZX84C12		350兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000																				900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V							12 v	25欧姆
NTD110N02R-001G	-	RFQ	8108	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		NTD110	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道				24 V	12.5A（ta），110a （TC）	4.5V，10V	4.6mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	28 NC @ 4.5 V	±20V	3440 pf @ 20 V	-	1.5W（TA），110W（tc）
FCH150N65F-F155	6.7300	RFQ	98	Onmi	SuperFet®II	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		FCH150	MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道				650 v	24A（TC）	10V	150MOHM @ 12A，10V	5V @ 2.4mA	94 NC @ 10 V	±20V	3737 PF @ 100 V	-	298W（TC）
NVMFS5C410NLWFAFT1G	4.4500	RFQ	8995	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道				40 V	50a（50A），330a tc（TC）	4.5V，10V	0.82MOHM @ 50a，10V	2V @ 250µA	143 NC @ 10 V	±20V	8862 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），167W（TC）
1N5348BRL	-	RFQ	5775	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	T-18，轴向		1N5348		5 w	轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000																				1.2 V @ 1 A		5 µA @ 8.4 V							11 V	2.5欧姆
MMFT960T1	-	RFQ	8581	Onmi	*	（CT）	过时的						mmft96				下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000
2N5551G	-	RFQ	9844	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3		2N5551		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000																										160 v	600 MA	50NA（iCBO）			NPN	200mv @ 5mA，50mA	80 @ 10mA，5V	300MHz
NDF05N50ZG	-	RFQ	5261	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		NDF05	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道				500 v	5.5A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.2a，10v	4.5V @ 50µA	28 NC @ 10 V	±30V	632 PF @ 25 V	-	30W（TC）
2N7002VA	0.8300	RFQ	808	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666		2N7002	MOSFET （金属 o化物）	250MW	SOT-563F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）						60V	280mA		7.5OHM @ 50mA，5V	2.5V @ 250µA	-		50pf @ 25V	逻辑级别门
NTP5411NG	-	RFQ	7714	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		NTP541	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道				60 V	80A（TC）	10V	10mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	166W（TC）
1N5245B_T50A	-	RFQ	1503	Onmi	-	（TB）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		1N5245		500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																				1.2 V @ 200 ma		100 na @ 11 V							15 v	16欧姆
NZ8F10VMX2WT5G	0.4100	RFQ	4	Onmi	NZ8F	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	2-XDFN				250兆	2-x2dfnw（（1x0.6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000																				900 mv @ 10 ma		100 na @ 7 V							10 v	30欧姆
NTR4502PT1G	0.4600	RFQ	9956	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		NTR4502	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道				30 V	1.13A（TA）	4.5V，10V	200mohm @ 1.95a，10V	3V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 15 V	-	400MW（TJ）
FQP90N08	-	RFQ	1001	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		FQP9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道				80 V	71A（TC）	10V	16mohm @ 35.5a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±25V	3250 pf @ 25 V	-	160W（TC）
NTB6410ANT4G	3.1200	RFQ	3395	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		NTB6410	MOSFET （金属 o化物）		D²Pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道				100 v	76A（TC）	10V	13mohm @ 76a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	188W（TC）
MCH6630-TL-E-ON	0.0700	RFQ	93	Onmi	*	大部分	积极的						MCH6630	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	3,000															-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²