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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	（ih）（IH））	测试条件	功率 -输出	获得	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	噪音图	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
FJE3303H2TU	0.7400	RFQ	6229	Onmi	-	管子	积极的			150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3		FJE3303				20 w	TO-126-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	60																														400 v	1.5 a						10µA（ICBO）			NPN	3V @ 500mA，1.5a	14 @ 500mA，2V	4MHz
BD14016STU	0.7500	RFQ	1	Onmi	-	管子	积极的			150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3		BD140				1.25 w	TO-126-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2832-BD14016STU	Ear99	8541.29.0095	60																														80 V	1.5 a						100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	-
FJPF13007H2	-	RFQ	2170	Onmi	-	大部分	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		FJPF13007				40 W	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200																														400 v	8 a						-			NPN	3V @ 2a，8a	26 @ 2a，5v	4MHz
Mac16m	-	RFQ	6391	Onmi	-	管子	过时的				通过洞	TO-220-3		Mac16					TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	50	单身的			50 mA															标准	600 v	16 a	1.5 v	150a @ 60Hz	50 mA
BC214L_L34Z	-	RFQ	8626	Onmi	-	大部分	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		BC214				625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																														30 V	500 MA						15NA（icbo）			PNP	600mv @ 5mA，100mA	140 @ 2mA，5V	200MHz
HGTP12N60A4	-	RFQ	8043	Onmi	-	管子	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		HGTP12N60	标准			167 w	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400					390V，12a，10ohm，15V																								-	600 v	54 a	96 a	2.7V @ 15V，12A	（55µJ）（在55µj），50µJ（50µJ）	78 NC	17NS/96NS
BF245C_D74Z	-	RFQ	7490	Onmi	-	（TB）	过时的		30 V		通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		BF245		-	JFET		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000	n通道		25mA			-	-																		-
BZX79C2V4_T50R	-	RFQ	1513年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		BZX79C2				500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000																										1.5 V @ 100 ma		100 µA @ 1 V										2.4 v	100欧姆
PN2484_D75Z	-	RFQ	7753	Onmi	-	（TB）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		PN248				625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																														60 V	100 ma						10NA（ICBO）			NPN	350mv @ 100µA，1mA	100 @ 10µA，5V	-
NVMFSC1D6N06CL	6.6400	RFQ	7708	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		NVMFSC1			MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6.15）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道							60 V	35A（TA），224A （TC）	-	-	2V @ 250µA	91 NC @ 10 V	±20V	6660 pf @ 25 V	-	4.1W（TA），166W（tc）
FGH40T120SMD	9.5800	RFQ	3902	Onmi	-	管子	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		FGH40	标准			555 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2156-FGH40T120SMD-488	Ear99	8541.29.0095	30					600V，40a，10ohm，15V																						65 ns		沟渠场停止	1200 v	80 a	160 a	2.4V @ 15V，40a	2.7MJ（在）上，1.1MJ off）	370 NC	40NS/475NS
NTR4503NT1G	0.4400	RFQ	11	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		NTR4503			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道							30 V	1.5A（TA）	4.5V，10V	110mohm @ 2.5a，10v	3V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±20V	250 pf @ 24 V	-	420MW（TA）
FDN371N	-	RFQ	2746	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		FDN371			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道							20 v	2.5a（ta）	2.5V，4.5V	50mohm @ 2.5a，4.5V	1.5V @ 250µA	10.7 NC @ 4.5 V	±12V	815 PF @ 10 V	-	500MW（TA）
IRLR210ATM	-	RFQ	9312	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IRLR21			MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道							200 v	2.7A（TC）	5V	1.5OHM @ 1.35a，5V	2V @ 250µA	9 NC @ 5 V	±20V	240 pf @ 25 V	-	2.5W（21W），21W（TC）
FCBB20CH60SF	-	RFQ	3851	Onmi	-	管子	过时的				通过洞	模块	-	FCBB2						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2832-FCBB20CH60SF	Ear99	8541.29.0095	10	-							-
NTMFS5C682NLT1G	2.7700	RFQ	5	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		NTMFS5			MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道							60 V	25A（TC）	4.5V，10V	21mohm @ 10a，10v	2V @ 16µA	5 NC @ 10 V	±20V	410 pf @ 25 V	-	28W（TC）
BC817-16LT1	-	RFQ	7268	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BC817				300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																														45 v	500 MA						100NA（ICBO）			NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
FDB035N10A	6.9800	RFQ	1	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		FDB035			MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道							100 v	120A（TC）	10V	3.5MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	116 NC @ 10 V	±20V	7295 PF @ 25 V	-	333W（TC）
BC237BTFR	-	RFQ	2172	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		BC237				500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																														45 v	100 ma						15NA			NPN	600mv @ 5mA，100mA	180 @ 2mA，5v	250MHz
TN5415A	-	RFQ	7479	Onmi	-	大部分	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		TN5415				1 w	TO-226-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500																														200 v	100 ma						50µA			PNP	2.5V @ 5mA，50mA	30 @ 50mA，10v	-
BC548BTAR	-	RFQ	1017	Onmi	-	（TB）	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		BC548				500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																														30 V	100 ma						15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	300MHz
ISL9V2040S3ST	-	RFQ	1036	Onmi	Ecospark®	胶带和卷轴（（tr）	上次购买			-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		ISL9V2040	逻辑			130 w	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800					300V，1KOHM，5V																								-	430 v	10 a		1.9V @ 4V，6A	-	12 nc	- /3.64µs
NTTFS004N04CTAG	1.5000	RFQ	3141	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		NTTFS004			MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道							40 V	18A（18A），77A （TC）	10V	4.9MOHM @ 35A，10V	3.5V @ 50µA	18 nc @ 10 V	±20V	1150 pf @ 25 V	-	3.2W（TA），55W（tc）
2N5089BU	-	RFQ	3793	Onmi	-	大部分	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		2N5089				625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2N5089BU-NDR	Ear99	8541.21.0095	1,000																														25 v	100 ma						50NA（iCBO）			NPN	500mv @ 1mA，10mA	400 @ 100µA，5V	50MHz
SBE809-TL-E	0.1500	RFQ	72	Onmi	*	大部分	积极的													-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8541.10.0070	3,000
BC556_J35Z	-	RFQ	6050	Onmi	-	大部分	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		BC556				500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																														65 v	100 ma						15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	150MHz
MPSA77	-	RFQ	4667	Onmi	-	大部分	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3		MPSA77				625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000																														60 V	500 MA						500NA			pnp-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	-
MMBT2484LT1G	0.2300	RFQ	304	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMBT2484				225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																														60 V	100 ma						10NA（ICBO）			NPN	350mv @ 100µA，1mA	250 @ 1mA，5v	-
KSA1175OTA	-	RFQ	8243	Onmi	-	（TB）	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3		KSA1175				250兆	TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																														50 V	150 ma						100NA（ICBO）			PNP	300mv @ 10mA，100mA	70 @ 1mA，6v	180MHz
MMBZ5227BLT1G	0.1400	RFQ	17	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMBZ5227				225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																										900 mv @ 10 ma		15 µA @ 1 V										3.6 v	24欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²