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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	电流 -峰值输出	fet	（ih）（IH））	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	当前 -关闭状态（最大）	scr	电压 -崩溃	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）	当前 -崩溃
NTNS3A67PZT5G	0.4300	RFQ	3639	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	表面安装	3-XFDFN	NTNS3	-		SOT-883（XDFN3）（1x0.6）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	8,000				-				-		-	-				-	-
NTMTS1D2N08H	7.1500	RFQ	4382	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	ntmts1d	MOSFET （金属 o化物）		8-DFNW（8.3x8.4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000				n通道			80 V	41A（TA），335a （TC）	6V，10V	1.1MOHM @ 90A，10V	4V @ 590µA	147 NC @ 10 V	±20V	10100 PF @ 40 V	-	5W（5W），300W（300W）（TC）
5HN01SS-TL-E	-	RFQ	3635	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	3-SMD，平坦的铅	5HN01			3-SSFP	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	8,000
NVD6416ANLT4G-VF01	1.1600	RFQ	1	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NVD6416	MOSFET （金属 o化物）		DPAK-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500				n通道			100 v	19a（tc）	4.5V，10V	74mohm @ 19a，10v	2.2V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	1000 pf @ 25 V	-	71W（TC）
MKP1V160RL	-	RFQ	8516	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜125°C（TJ）		do-204al，do-41，轴向	MKP1V			轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	5,000			900 MA		100 ma																				150〜170V																								200 µA
SZMMBZ5264BLT1G	0.1900	RFQ	8851	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SZMMBZ5264		225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																											900 mv @ 10 ma		100 NA @ 46 V										60 V	170欧姆
FDD86581-F085	1.3400	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD86581	MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500				n通道			60 V	25A（TC）	10V	15mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	880 pf @ 30 V	-	48.4W（TJ）
FDD86250-F085	2.2700	RFQ	3178	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD86250	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500				n通道			150 v	50A（TC）	10V	22mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 75 V	-	160W（TJ）
FJN4309RBU	-	RFQ	6773	Onmi	-	大部分	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	FJN430		300兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																																	40 V	100 ma				100NA（ICBO）				pnp-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	200 MHz	4.7科姆斯
2SC4027S-E	-	RFQ	9498	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	2SC4027		1 w	TP	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500																																	160 v	1.5 a				1µA（ICBO）				NPN	450mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，5V	120MHz
FJNS4210RBU	-	RFQ	4967	Onmi	-	大部分	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3	FJNS42		300兆	TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																																	40 V	100 ma				100NA（ICBO）				pnp-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	200 MHz	10 kohms
FW274-TL-E	-	RFQ	9436	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	FW274	MOSFET （金属 o化物）	2.2W	8-sop	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	2 n 通道（双）						30V	6a		37mohm @ 6a，10v	2.6V @ 1mA	9.1nc @ 10V		490pf @ 10V	逻辑级别门
NRVS3BB	0.1502	RFQ	9449	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			表面安装	DO-214AA，SMB	NRVS3	标准		DO-214AA（SMB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																								100 v	1.15 V @ 3 A	1.5 µs	10 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	3a	40pf @ 4V，1MHz
KSC3953DS	-	RFQ	9932	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	KSC3953		1.3 w	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000																																	120 v	200 ma				100NA（ICBO）				NPN	1V @ 3mA，30mA	60 @ 10mA，10v	400MHz
NTTFS4929NTAG	-	RFQ	9041	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NTTFS4929	MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500				n通道			30 V	6.6a（ta），34A（tc）	4.5V，10V	11mohm @ 10a，10v	2.2V @ 250µA	8.8 NC @ 4.5 V	±20V	920 PF @ 15 V	-	810MW（TA），22.3W（tc）
KSC1674COBU	-	RFQ	7382	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	KSC1674		250MW	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000						-																											20V	20mA								NPN		70 @ 1mA，6v	600MHz			3DB〜5DB @ 100MHz
KSE5741TU	-	RFQ	6609	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSE57		80 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000																																	350 v	8 a				-				npn-达灵顿	3V @ 400mA，8a	200 @ 4A，5V	-
MCR100-6G	-	RFQ	6730	Onmi	-	盒子	过时的		-40°C〜110°C	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	MCR10			TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	5,000					5 ma												400 v	800 MA	800 mv	10a @ 60hz	200 µA	1.7 v	10 µA	敏感门
SAC900RLG	-	RFQ	9178	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.30.0080	2,000
HUF7663333P3-F085	-	RFQ	1091	Onmi	汽车，AEC-Q101，Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	HUF76	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400				n通道			100 v	39A（TC）	4.5V，10V	35mohm @ 39a，10v	3V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±16V	1820 PF @ 25 V	-	145W（TC）
FQA70N15	-	RFQ	8966	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA70	MOSFET （金属 o化物）		to-3pn	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450				n通道			150 v	70A（TC）	10V	28mohm @ 35a，10v	4V @ 250µA	175 NC @ 10 V	±25V	5400 PF @ 25 V	-	330W（TC）
MMBFJ112	0.5100	RFQ	44	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBFJ1		350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000				n通道										-																					35 v	5 ma @ 15 V	1 V @ 1 µA				50欧姆
mmun2112lt1g	0.1300	RFQ	64	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMUN2112		246兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																																	50 V	100 ma				500NA				pnp-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	60 @ 5mA，10v		22 KOHMS	22 KOHMS
BDX54C	-	RFQ	4630	Onmi	-	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BDX54		65 w	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																																	100 v	8 a				500µA				pnp-达灵顿	2V @ 12mA，3a	750 @ 3a，3v	-
KSA614YTU	-	RFQ	5341	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSA614		25 w	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000																																	55 v	3 a				50µA（ICBO）				PNP	500mv @ 100mA，1a	120 @ 500mA，5V	-
BZX85C3V9_T50A	-	RFQ	8846	Onmi	-	（TB）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	BZX85C3		1 w	do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																											1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V										3.9 v	15欧姆
MMBZ5243ELT1	-	RFQ	4642	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBZ52		225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MMBZ5243ELT1OS	Ear99	8541.10.0050	3,000																											900 mv @ 10 ma		500 NA @ 9.9 V										13 V	13欧姆
NVTFS4C13NWFTAG	1.3200	RFQ	7301	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS4	MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500				n通道			30 V	14A（TA）	4.5V，10V	9.4mohm @ 30a，10v	2.1V @ 250µA	15.2 NC @ 10 V	±20V	770 pf @ 15 V	-	（3W）（26W）（26W）TC）
BC547BTFR	-	RFQ	7734	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC547		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																																	45 v	100 ma				15NA（icbo）				NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	300MHz
2SC3332S	-	RFQ	4000	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2SC3332		700兆	3-np	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500																																	160 v	700 MA				100NA（ICBO）				NPN	400mv @ 25mA，250mA	140 @ 100mA，5V	120MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²