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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	当前 -关闭状态（最大）	scr	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
NVMFS5C468NLWFT1G	-	RFQ	7706	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道					40 V	37A（TC）	4.5V，10V	10.3MOHM @ 20A，10V	2V @ 250µA	7.3 NC @ 10 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	3.5W（ta），28W（28W）TC）
efc2k102anuztdg	0.7700	RFQ	5716	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	10-SMD，没有铅		EFC2K102	MOSFET （金属 o化物）	3.1W（TA）	10-WLCSP （2.98x1.49）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）							12V	33A（TA）		2.75MOHM @ 5A，4.5V	1.3V @ 1mA	42nc @ 3.8V		-	-
1N5255B	-	RFQ	5430	Onmi	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		1N5255		500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																														1.2 V @ 200 ma		100 na @ 21 V							28 V	44欧姆
NRVBSS29FA	0.1548	RFQ	5755	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-123W			肖特基		SOD-123FA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NRVBSS29FATR	Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																										90 v		850 mv @ 2 a	7 ns	100 µA @ 90 V	-55°C〜150°C	2a	62pf @ 4V，1MHz
1SMA5931BT3	-	RFQ	2835	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA		1SMA5931		1.5 w	SMA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																														1.5 V @ 200 ma		500 NA @ 13.7 V							18 V	12欧姆
FDFMA2P853	-	RFQ	4106	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子		FDFMA2	MOSFET （金属 o化物）		6-microfet（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道					20 v	3A（3A）	1.8V，4.5V	120MOHM @ 3A，4.5V	1.3V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±8V	435 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.4W（TA）
2SD1388TP-4	-	RFQ	2774	Onmi	-	（TB）	过时的						2SD1388				-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,000
FDS7098N3	-	RFQ	1273	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		FDS70	MOSFET （金属 o化物）		8-so flmp	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					30 V	14A（TA）	4.5V，10V	9mohm @ 14a，10v	3V @ 250µA	22 NC @ 5 V	±20V	1587 PF @ 15 V	-	（3W）（TA）
SBC857CLT1G	0.3400	RFQ	26	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		SBC857		300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																				45 v	100 ma	15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
1N4732ATR	0.2800	RFQ	33	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向		1N4732		1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																																10 µA @ 1 V							4.7 v	8欧姆
NJVMJD45H11T4G	0.9800	RFQ	2	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		NJVMJD45		1.75 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																																				80 V	8 a	1µA			PNP	1V @ 400mA，8a	60 @ 2a，1V	90MHz
IRLM110ATF	-	RFQ	6194	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		IRLM11	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道					100 v	1.5A（TC）	5V	440MOHM @ 750mA，5V	2V @ 250µA	8 nc @ 5 V	±20V	235 pf @ 25 V	-	2.2W（TC）
MBR4045PT	-	RFQ	3378	Onmi	SwitchMode™	管子	过时的			通过洞	TO-218-3		MBR4045	肖特基		SOT-93	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																									1对普通阴极	45 v	20a	700 mv @ 20 a		1 mA @ 45 V	-65°C〜150°C
1N5999B	-	RFQ	5659	Onmi	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		1N5999		500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000																														1.2 V @ 200 ma		100 na @ 7 V							9.1 v	10欧姆
MCH5541-TL-E	-	RFQ	8493	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6-SMD（5条线），平坦的铅		MCH5541		500MW	5-MCPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																				30V	700mA	100NA（ICBO）			NPN，PNP （发射器耦合）	190mv @ 10mA，200ma / 220mv @ 10mA，200mA	300 @ 50mA，2V	540MHz，520MHz
FPDB30PH60	-	RFQ	3921	Onmi	PFCSPM®3	管子	过时的			通过洞	27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm）	IGBT	FPDB30				下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	2期				20 a	600 v	2500vrms
MMSZ10T1G	0.2300	RFQ	6927	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123		MMSZ10		500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																														900 mv @ 10 ma		200 na @ 7 V							10 v	20欧姆
1N971B	-	RFQ	7729	Onmi	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		1N971		500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000																																5 µA @ 20.6 V							27 V	41欧姆
KSP63BU	-	RFQ	1099	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		KSP63		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																																				30 V	500 MA	100NA（ICBO）			pnp-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	125MHz
MCR22-008	-	RFQ	2039	Onmi	-	大部分	过时的		-40°C〜110°C	通过洞	TO-226-3，TO-92-3		MCR22			TO-92（to-226）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	5,000				5 ma															600 v	1.5 a	800 mv	15a @ 60hz	200 µA	1.7 v	10 µA	敏感门
VEC2401-TL-E	0.1500	RFQ	480	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
fep16dtd	-	RFQ	1338	Onmi	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3		FEP16	标准		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																									1对系列连接	200 v	8a	950 MV @ 8 A	35 ns	10 µA @ 200 V	-55°C〜150°C
Mac3030-8G	0.6700	RFQ	3173	Onmi	-	大部分	积极的		-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					TO-220AB	下载					Ear99	8541.30.0080	1	单身的			50 mA														标准	250 v	8 a	2 v	80a @ 60hz	50 mA
mpsa56g	-	RFQ	7721	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3		MPSA56		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000																																				80 V	500 MA	100NA			PNP	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	50MHz
1N4154TR	-	RFQ	6189	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		1N4154	标准		do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																										35 v		1 V @ 30 mA	4 ns	100 na @ 25 V	175°c （最大）	100mA	4pf @ 0v，1MHz
495220TU	-	RFQ	7996	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		49522		40 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																																				325 v	4 a	5mA（iCBO）			npn-达灵顿	1.5V @ 5mA，2a	1000 @ 3A，5V	-
HUFA76429S3S	-	RFQ	9214	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		HUFA76	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道					60 V	47A（TC）	4.5V，10V	22mohm @ 47a，10v	3V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±16V	1480 pf @ 25 V	-	110W（TC）
P2N2907AZL1	-	RFQ	8335	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）		P2N290		625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																																				60 V	600 MA	10NA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
FQB10N50CFTM-WS	-	RFQ	1329	Onmi	FRFET®，QFET™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		FQB10N50	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道					500 v	10A（TC）	10V	610MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±30V	2210 PF @ 25 V	-	143W（TC）
NTNS3A67PZT5G	0.4300	RFQ	3639	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	表面安装	3-XFDFN		NTNS3	-		SOT-883（XDFN3）（1x0.6）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	8,000			-						-		-	-				-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²