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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 电压 -额定值 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (amp) | 功率 -输出 | 获得 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 噪音图 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电压 -测试 | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) | 噪声图( db typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBRB30H60CT-1H | - | ![]() | 3058 | 0.00000000 | Onmi | SwitchMode™ | 大部分 | 过时的 | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | MBRB30 | 肖特基 | i2pak((TO-262) | - | rohs3符合条件 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 15a | 620 MV @ 15 A | 300 µA @ 60 V | -55°C 〜175°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBE813-TL-E | - | ![]() | 1696年 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | SBE813 | 肖特基 | 8-VEC | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 30 V | 3a | 520 mv @ 3 a | 20 ns | 42 µA @ 15 V | -55°C〜125°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4746ATR | 0.3200 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4746 | 1 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µA @ 13.7 V | 18 V | 20欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SUR8820G | 1.0000 | ![]() | 1501 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-SUR8820G-488 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NJVMJD253T4G-VF01 | - | ![]() | 8170 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | NJVMJD253 | 12.5 w | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 100 v | 4 a | 100NA(ICBO) | PNP | 600mv @ 100mA,1a | 40 @ 200ma,1V | 40MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTB90N02G | - | ![]() | 4613 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | NTB90 | MOSFET (金属 o化物) | D²Pak | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 24 V | 90A(ta) | 4.5V,10V | 5.8MOHM @ 90A,10V | 3V @ 250µA | 29 NC @ 4.5 V | ±20V | 2120 PF @ 20 V | - | 85W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF199_D74Z | - | ![]() | 7662 | 0.00000000 | Onmi | - | (TB) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) | BF199 | 350MW | TO-92-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | - | 25V | 50mA | NPN | 38 @ 7mA,10v | 1.1GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC3915-TB-E | 0.2300 | ![]() | 51 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAW56T | - | ![]() | 2316 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SOT-523 | BAW56 | 标准 | SOT-523 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对公共阳极 | 85 v | 75mA | 1 V @ 50 mA | 4 ns | 2 µA @ 75 V | 125°c (最大) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | mmun2235lt1g | 0.1300 | ![]() | 105 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MMUN2235 | 246兆 | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 250mv @ 1mA,10mA | 80 @ 5mA,10v | 2.2 kohms | 47科姆斯 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5952 | - | ![]() | 5374 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 过时的 | 30 V | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 2N5952 | 1khz | JFET | TO-92-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | n通道 | 8mA | - | - | 2DB | 15 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFSP3065B-F085 | 8.5100 | ![]() | 3807 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | FFSP3065 | SIC (碳化硅) | TO-220-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 2156-FFSP3065B-F085 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 30 A | 0 ns | 40 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 30a | 1280pf @ 1V,100kHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS86540 | 3.3400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | FDS86 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 60 V | 18A(18A) | 8V,10V | 4.5MOHM @ 18A,10V | 4V @ 250µA | 90 NC @ 10 V | ±20V | 6410 PF @ 30 V | - | 2.5W(ta),5W((((((() | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TN6715A | - | ![]() | 2489 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | TN6715 | 1 w | TO-226-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | 40 V | 1.5 a | 100NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 100mA,1a | 50 @ 1a,1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR8170TFSTAG | 0.5300 | ![]() | 9704 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 8-Powerwdfn | 肖特基 | 8-WDFN(3.3x3.3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 488-MBR8170TFSTAGTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 170 v | 890 mv @ 8 a | 30 µA @ 170 V | -55°C 〜175°C | 8a | 237pf @ 1V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBS822-TL-H | - | ![]() | 8341 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | 6-SMD(5条线),平坦的铅 | SBS822 | 肖特基 | 5-MCPH | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 20 v | 1a | 460 mv @ 1 a | 10 ns | 110 µA @ 10 V | -55°C〜125°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BDX33BG | 1.2100 | ![]() | 492 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | BDX33 | 70 W | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 V | 10 a | 500µA | npn-达灵顿 | 2.5V @ 6mA,3a | 750 @ 3a,3v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPS3563G | - | ![]() | 9304 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 | MPS356 | 350兆 | TO-92(to-226) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 12 v | 50 mA | 10NA(ICBO) | NPN | 20 @ 8mA,10v | 600MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | fjns3205rbu | - | ![]() | 1260 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 过时的 | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 | FJNS32 | 300兆 | TO-92S | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 50 V | 100 ma | 100NA(ICBO) | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 30 @ 5mA,5V | 250 MHz | 4.7科姆斯 | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NSVMMUN2217LT1G | 0.3300 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | NSVMMUN2217 | 246兆 | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 250mv @ 1mA,10mA | 35 @ 5mA,10v | 4.7科姆斯 | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847CLT1 | - | ![]() | 3377 | 0.00000000 | Onmi | * | (CT) | 过时的 | BC847 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1n970btr | - | ![]() | 5368 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N970 | 500兆 | do-35 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 18.2 V | 24 V | 33欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NRVTSA3100ET3G | 0.4200 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | NRVTSA3100 | 肖特基 | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 995 mv @ 3 a | 5 µA @ 100 V | -55°C 〜175°C | 3a | 14.3pf @ 100V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZT2222AT3G | 0.4500 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | PZT2222 | 1.5 w | SOT-223(TO-261) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 4,000 | 40 V | 600 MA | 10NA(ICBO) | NPN | 1V @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MUR210 | - | ![]() | 4373 | 0.00000000 | Onmi | SwitchMode™ | 大部分 | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | MUR21 | 标准 | 轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 940 mv @ 2 a | 30 ns | 2 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 2a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC849BLT3 | - | ![]() | 6595 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BC849 | 300兆 | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 30 V | 100 ma | 15NA(icbo) | NPN | 600mv @ 5mA,100mA | 200 @ 2mA,5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SB10-05A2-AT1 | - | ![]() | 1743年 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | SB10 | 肖特基 | do-41 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 580 mv @ 1 a | 30 ns | 1 ma @ 50 V | 125°c (最大) | 1a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQI10N20CTU | - | ![]() | 8375 | 0.00000000 | Onmi | QFET® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | FQI1 | MOSFET (金属 o化物) | i2pak((TO-262) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 200 v | 9.5A(TC) | 10V | 360MOHM @ 4.75a,10V | 4V @ 250µA | 26 NC @ 10 V | ±30V | 510 pf @ 25 V | - | 72W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSRD8620CTRG-VF01 | - | ![]() | 3134 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 过时的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SSRD8620 | 标准 | DPAK | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 75 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 200 v | 3a | 1.15 V @ 3 A | 75 ns | 1 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N7000RLAG | - | ![]() | 7447 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3) | 2N7000 | MOSFET (金属 o化物) | TO-92(to-226) | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,000 | n通道 | 60 V | 200ma(ta) | 4.5V,10V | 5ohm @ 500mA,10v | 3V @ 1mA | ±20V | 60 pf @ 25 V | - | 350MW(TC) |
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