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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
MSRD620CTT4RG	1.1700	RFQ	1958年	Onmi	SwitchMode™	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MSRD620	标准		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对公共阳极	200 v	3a	1.15 V @ 3 A	75 ns	1 µA @ 200 V	-55°C 〜175°C
NTS1045EMFST3G	-	RFQ	2777	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTS1045	肖特基		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													45 v		600 mv @ 10 a		50 µA @ 45 V	-55°C〜150°C	10a	300pf @ 45V，1MHz
BC558B	-	RFQ	3913	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC558		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																							30 V	100 ma	15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	150MHz
SNSSSSSSSSSSSSSSSSSSSSSSSSSMR6T1G	0.4800	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SNSS30201		535 MW	6-TSOP	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							30 V	2 a	100NA			NPN	200mv @ 100mA，1a	300 @ 500mA，5V	300MHz
2SA1552S-H	-	RFQ	1972	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	2SA1552		1 w	TP	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500																							160 v	1.5 a	1µA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	140 @ 100mA，5V	120MHz
2n4921g	-	RFQ	1207	Onmi	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	2N4921		30 W	TO-126	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500																							40 V	1 a	500µA			NPN	600mv @ 100mA，1a	30 @ 500mA，1V	3MHz
BDX33BG	1.2100	RFQ	492	Onmi	-	管子	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BDX33		70 W	TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																							80 V	10 a	500µA			npn-达灵顿	2.5V @ 6mA，3a	750 @ 3a，3v	-
SBE813-TL-E	-	RFQ	1696年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	8-SMD，平坦的铅	SBE813	肖特基		8-VEC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												2独立	30 V	3a	520 mv @ 3 a	20 ns	42 µA @ 15 V	-55°C〜125°C
NRVB140SFT3G	-	RFQ	2582	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-123F	NRVB140	肖特基		SOD-123FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	10,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													40 V		550 mv @ 1 a		500 µA @ 40 V	-55°C〜125°C	1a	-
SB007-03C-TB-E	0.4800	RFQ	6	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SB00	肖特基		3-CP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度													30 V		550 mv @ 70 mA	10 ns	5 µA @ 15 V	-55°C〜125°C	70mA	3pf @ 10V，1MHz
BZX84C15ET1	-	RFQ	7249	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±6％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84C15		225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma		50 NA @ 10.5 V							15 v	30欧姆
MPS3563G	-	RFQ	9304	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	MPS356		350兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000																							12 v	50 mA	10NA（ICBO）			NPN		20 @ 8mA，10v	600MHz
2SC5414AE	-	RFQ	8997	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2SC5414			3-np	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	500																									-			-	-	-	-
ksh29citu	-	RFQ	3843	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	KSH29		1.56 w	我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,040																							100 v	1 a	50µA			NPN	700mv @ 125mA，1a	15 @ 1A，4V	3MHz
NTB90N02G	-	RFQ	4613	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB90	MOSFET （金属 o化物）		D²Pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	24 V	90A（ta）	4.5V，10V	5.8MOHM @ 90A，10V	3V @ 250µA	29 NC @ 4.5 V	±20V	2120 PF @ 20 V	-	85W（TC）
1n970btr	-	RFQ	5368	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N970		500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																			5 µA @ 18.2 V							24 V	33欧姆
2SB1201T-E	-	RFQ	4748	Onmi	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	2SB1201		800兆	TP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500																							50 V	2 a	100NA（ICBO）			PNP	700mv @ 50mA，1a	200 @ 100mA，2V	150MHz
NST856BF3T5G	0.0658	RFQ	1261	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-1123	NST856		290兆	SOT-1123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000																							65 v	100 ma	15NA（icbo）			PNP	800mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
NTJD4105CT1G	0.4700	RFQ	4133	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	NTJD4105	MOSFET （金属 o化物）	270MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道			20V，8V	630mA，775mA		375MOHM @ 630mA，4.5V	1.5V @ 250µA	3NC @ 4.5V		46pf @ 20V	逻辑级别门
FQD5N60CTM_F080	-	RFQ	2947	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD5	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	600 v	2.8A（TC）	10V	2.5OHM @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±30V	670 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），49W（tc）
BC237G	-	RFQ	2748	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	BC237		350兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000																							45 v	100 ma	15NA			NPN	600mv @ 5mA，100mA	380 @ 2mA，5V	200MHz
NDD60N550U1-35G	-	RFQ	4214	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NDD60	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道	600 v	8.2A（TC）	10V	550MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±25V	540 pf @ 50 V	-	94W（TC）
NVMFS5C468NLWFT1G	-	RFQ	7706	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道	40 V	37A（TC）	4.5V，10V	10.3MOHM @ 20A，10V	2V @ 250µA	7.3 NC @ 10 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	3.5W（ta），28W（28W）TC）
efc2k102anuztdg	0.7700	RFQ	5716	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	10-SMD，没有铅	EFC2K102	MOSFET （金属 o化物）	3.1W（TA）	10-WLCSP （2.98x1.49）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）			12V	33A（TA）		2.75MOHM @ 5A，4.5V	1.3V @ 1mA	42nc @ 3.8V		-	-
1N5255B	-	RFQ	5430	Onmi	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5255		500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																	1.2 V @ 200 ma		100 na @ 21 V							28 V	44欧姆
NRVBSS29FA	0.1548	RFQ	5755	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-123W		肖特基		SOD-123FA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NRVBSS29FATR	Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													90 v		850 mv @ 2 a	7 ns	100 µA @ 90 V	-55°C〜150°C	2a	62pf @ 4V，1MHz
1SMA5931BT3	-	RFQ	2835	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	1SMA5931		1.5 w	SMA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																	1.5 V @ 200 ma		500 NA @ 13.7 V							18 V	12欧姆
FDFMA2P853	-	RFQ	4106	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	FDFMA2	MOSFET （金属 o化物）		6-microfet（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道	20 v	3A（3A）	1.8V，4.5V	120MOHM @ 3A，4.5V	1.3V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±8V	435 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.4W（TA）
2SD1388TP-4	-	RFQ	2774	Onmi	-	（TB）	过时的					2SD1388				-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,000
FDS7098N3	-	RFQ	1273	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS70	MOSFET （金属 o化物）		8-so flmp	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	30 V	14A（TA）	4.5V，10V	9mohm @ 14a，10v	3V @ 250µA	22 NC @ 5 V	±20V	1587 PF @ 15 V	-	（3W）（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²