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离散半导体产品（（26937）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
2SA1507T	-	RFQ	7578	Onmi	-	大部分	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	2SA1507			1.5 w	to-126ml	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	200																																		160 v	1.5 a			1µA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	200 @ 100mA，5V	120MHz
SB02-03C-TB-E	0.1400	RFQ	333	Onmi	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				3,000
NRVTSB40200CTT4G	-	RFQ	5084	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NRVTSB40200		肖特基		D²Pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2156-NRVTSB40200CTT4G-488	Ear99	8541.10.0080	800		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							1对普通阴极	200 v	20a	1.45 V @ 20 A		100 µA @ 200 V	-55°C〜150°C
MPSA28RRP	-	RFQ	9939	Onmi	-	（TB）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPSA28			625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																																		80 V	500 MA			500NA			npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	200MHz
CPH3107-TL-E	-	RFQ	8862	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	CPH3107			900兆	3-CPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																		15 v	6 a			100NA（ICBO）			PNP	150mv @ 60mA，3a	200 @ 500mA，2V	140MHz
MCR218-6FP	0.2300	RFQ	28	Onmi	*	大部分	积极的											下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.30.0080	1
1N5926BG	2.6900	RFQ	1	Onmi	-	大部分	积极的				通过洞	do-204al，do-41，轴向					DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0050	112
ksa473ytstua	-	RFQ	8726	Onmi	-	管子	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				10 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	488-ksa473ytstua	Ear99	8541.29.0075	50																																		30 V	3 a			1µA（ICBO）			PNP	800mv @ 200mA，2a	120 @ 500mA，2V	100MHz
BC858BWT1	-	RFQ	8383	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC858			150兆	SC-70-3（SOT323）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																		30 V	100 ma			15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
FDS4435BZ	0.7200	RFQ	46	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS4435		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道					30 V	8.8a（ta）	4.5V，10V	20mohm @ 8.8a，10v	3V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±25V	1845 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
SBRS8140T3	-	RFQ	2002	Onmi	*	大部分	积极的						SBRS8140					-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	2,500
MBR120LSFT1	-	RFQ	6196	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	SOD-123F	MBR120		肖特基		SOD-123FL	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								20 v		450 MV @ 1 A		400 µA @ 20 V	-55°C〜125°C	1a	-
NVMS4816NR2G	-	RFQ	8683	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NVMS48		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					30 V	6.8a（ta）		10mohm @ 9a，10v	3V @ 250µA	9.2 NC @ 4.5 V		1060 pf @ 25 V	-	-
SZBZX84C56LT1G	0.1800	RFQ	13	Onmi	汽车，AEC-Q101，SZBZX84CXXXLT1G	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±7％		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SZBZX84			225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																												900 mv @ 10 ma		50 NA @ 39.2 V									56 v	200欧姆
1N6000B_T50A	-	RFQ	4985	Onmi	-	（TB）	过时的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6000			500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																												1.2 V @ 200 ma		100 na @ 8 V									10 v	15欧姆
NZT6714	-	RFQ	6786	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-3	NZT67			1 w	SOT-223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000																																		30 V	2 a			100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 100mA，1a	50 @ 1a，1V	-
BTA08-600BW3G	1.2600	RFQ	21	Onmi	-	大部分	积极的			-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					TO-220AB	下载					Ear99	8541.30.0080	1	单身的				60 ma													标准	600 v	8 a	1.1 v	90a @ 60Hz	50 mA
BD243CG	1.2300	RFQ	2528	Onmi	-	管子	积极的			-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BD243			65 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																																		100 v	6 a			700µA			NPN	1.5V @ 1a，6a	15 @ 3a，4V	3MHz
BFL4037-1E	-	RFQ	4791	Onmi	-	管子	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	BFL40		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3F	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道					500 v	11A（TC）	10V	430MOHM @ 8A，10V	-	48.6 NC @ 10 V	±30V	1200 pf @ 30 V	-	2W（TA），40W（TC）
1N5936B	-	RFQ	8427	Onmi	-	大部分	过时的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5936			3 W	轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,000																												1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 22.8 V									30 V	28欧姆
PN3567_D26Z	-	RFQ	7844	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PN356			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																																		40 V	600 MA			50NA（iCBO）			NPN	250mv @ 15mA，150mA	40 @ 150mA，1V	-
mje171stu	-	RFQ	7693	Onmi	-	管子	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	MJE171			1.5 w	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	60																																		60 V	3 a			100NA（ICBO）			PNP	1.7V @ 600mA，3a	50 @ 100mA，1V	50MHz
M1MA151AT1	-	RFQ	3332	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	M1MA151		标准		SC-59	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																								40 V		1.2 V @ 100 ma	3 ns	100 na @ 35 V	150°C （最大）	100mA	2pf @ 0v，1MHz
NTGS3433T1G	-	RFQ	7805	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	NTGS3433		MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道					12 v	2.35A（TA）	2.5V，4.5V	75MOHM @ 3.3a，4.5V	1.5V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±8V	550 pf @ 5 V	-	500MW（TA）
1n961b	-	RFQ	5742	Onmi	-	大部分	过时的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N961			500兆	do-35	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000																														10 µA @ 7.6 V									10 v	8.5欧姆
MJE200G	0.6500	RFQ	13	Onmi	-	大部分	积极的			-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	MJE200			15 W	TO-126	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500																																		40 V	5 a			100NA（ICBO）			NPN	1.8V @ 1a，5a	45 @ 2a，1V	65MHz
FJZ733OTF	-	RFQ	5400	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			150°C（TJ）	表面安装	SOT-623F	FJZ733			100兆	SOT-623F	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																		50 V	150 ma			100NA（ICBO）			PNP	300mv @ 10mA，100mA	70 @ 1mA，6v	180MHz
2N5950_J35Z	-	RFQ	3468	Onmi	-	大部分	过时的		30 V		通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N5950	-	JFET		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000	n通道			15mA		-	-																	-
MZP4735ARLG	-	RFQ	2870	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	MZP47			1 w	轴向	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	6,000																												1.5 V @ 200 ma		10 µA @ 3 V									6.2 v	2欧姆
DF08M	0.6200	RFQ	11	Onmi	-	管子	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-Edip（0.300英寸，7.62mm）	DF08		标准		4点	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50																												1.1 V @ 1 A		5 µA @ 800 V		1.5 a				单相	800 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²